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公开(公告)号：CN110011180A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811270688.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/042
Abstract: 在使发光元件脉冲发光的发光元件驱动电路中，抑制驱动电流的变动。一种在发光期间使VCSEL(12)脉冲发光的VCSEL驱动电路(10)，其包括驱动调整部(14＿2)，该驱动调整部(14＿2)在发光期间前的预发光期间，以使定电流电路(14＿1)所含的PMOS晶体管(MP0)以及NMOS晶体管(MB0)的漏极的电压亦即第一电压、与驱动VCSEL(12)的NMOS晶体管(MB1)的漏极的电压亦即第二电压相同的方式进行调整。
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公开(公告)号：CN107407594A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201580077364.2
申请日：2015-09-30
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01J1/429 , G01J1/0295 , G01J1/0433 , G01J1/32 , G01J1/4228 , G01J1/44 , H01L27/14647 , H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种基于可见光及红外线的测定来对紫外线的测定进行修正的光接收器。光接收器(1)具备：第一光接收元件(PD1)及第二光接收元件(PD2)、与紫外线区域的光的透射率低的UV截止滤波器(11)，透射过UV截止滤波器(11)后的光射入至第一光接收元件(PD1)，第一光接收元件(PD1)及第二光接收元件(PD2)能够更换为对紫外线区域具有灵敏度的光电二极管(PD_uv)、与对可见光及红外线区域具有灵敏度的光电二极管(PD_clear)。根据第一光接收元件(PD1)及第二光接收元件(PD2)的光电二极管(PD_ir+PD_vis)的光电流算出入射光的偏移。
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公开(公告)号：CN104247271B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380019102.1
申请日：2013-03-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H03M1/06 , G01J1/44 , G01J1/46 , G01J3/513 , G01J2001/444 , G01J2001/446 , G02F1/13318 , G02F1/1336 , G09G3/3406 , G09G2320/0626 , G09G2360/145 , H03M1/0634 , H03M1/12 , H03M1/123
Abstract: 包括：模数转换电路(ADC1、ADC2)；输出作为基准电荷量使用的基准电流Iref1、Iref2的基准电流源(11)；切换来自基准电流源(11)的基准电流Iref1的开关(SW21)；切换来自基准电流源关(SW21、SW22)的开关控制电路(12)。通过利用开关控制电路(12)控制开关(SW21、SW22)，按每模数转换期间的1/2的时间改换各模数转换电路(ADC1、ADC2)中使用的基准电流Iref1、Iref2。由此提供能够降低多个模数转换电路间的误差的模数转换装置。(11)的基准电流Iref2的开关(SW22)；和控制开
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公开(公告)号：CN104247271A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380019102.1
申请日：2013-03-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H03M1/06 , G01J1/44 , G01J1/46 , G01J3/513 , G01J2001/444 , G01J2001/446 , G02F1/13318 , G02F1/1336 , G09G3/3406 , G09G2320/0626 , G09G2360/145 , H03M1/0634 , H03M1/12 , H03M1/123
Abstract: 包括：模数转换电路(ADC1、ADC2)；输出作为基准电荷量使用的基准电流Iref1、Iref2的基准电流源(11)；切换来自基准电流源(11)的基准电流Iref1的开关(SW21)；切换来自基准电流源(11)的基准电流Iref2的开关(SW22)；和控制开关(SW21、SW22)的开关控制电路(12)。通过利用开关控制电路(12)控制开关(SW21、SW22)，按每模数转换期间的1/2的时间改换各模数转换电路(ADC1、ADC2)中使用的基准电流Iref1、Iref2。由此提供能够降低多个模数转换电路间的误差的模数转换装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110622038B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201880031613.8
申请日：2018-02-20
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 实现一种改善了测量速度的光传感器等。光传感器(100)具备运算部(30)，其基于在第一直方图中表示第一受光部(10)的受光概率分布的中心位置的反射光中心位置、和第二直方图中表示第二受光部(20)的受光概率分布的中心位置的参照光中心位置之间的差，对光传感器(100)与检测对象物(S)之间的距离进行运算。
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公开(公告)号：CN110651199B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201880032451.X
申请日：2018-03-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明抑制干扰光的影响而高精度地测定至检测对象物为止的距离。测距传感器(100)具备：VCSEL(1)；SPAD阵列(3)，其具有多个对VCSEL(1)发出的脉冲光的光子进行检测的SPAD(3a)；SPAD阵列(4)，其具有多个对脉冲光被检测对象物(200)反射的反射光的光子进行检测的SPAD(4a)；DLL(7)，其对从SPAD阵列(3)的SPAD(3a)输出的脉冲信号与从SPAD阵列(4)的SPAD(4a)输出的脉冲信号之间的时间差进行计测；干扰光入射SPAD判定部(10)，其基于VCSEL(1)未发光时的从SPAD阵列(4)的各SPAD(4a)输出的脉冲信号，对入射有干扰光的SPAD(4a)进行判定；以及SPAD前端电路(6)，其使被判定为入射有干扰光的SPAD(4a)的动作停止。
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公开(公告)号：CN110011180B
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN201811270688.X
申请日：2018-10-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/042
Abstract: 在使发光元件脉冲发光的发光元件驱动电路中，抑制驱动电流的变动。一种在发光期间使VCSEL(12)脉冲发光的VCSEL驱动电路(10)，其包括驱动调整部(14＿2)，该驱动调整部(14＿2)在发光期间前的预发光期间，以使定电流电路(14＿1)所含的PMOS晶体管(MP0)以及NMOS晶体管(MB0)的漏极的电压亦即第一电压、与驱动VCSEL(12)的NMOS晶体管(MB1)的漏极的电压亦即第二电压相同的方式进行调整。
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公开(公告)号：CN110709730A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880033249.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 用于对串扰值适当地进行更新的光传感器(1)具备：光子计数型的第一光接收部(5)，其用于接收对象物反射光(L1)和罩面板反射光(L2)；以及判断电路(6)，其根据基于对象物反射光(L1)及罩面板反射光(L2)中的至少一方的第一光接收脉冲信号(SPAD_SG1)、和基准脉冲信号(TX)，判断由对象物反射光(L1)的第一光接收部(5)进行的光接收的有无。
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