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公开(公告)号：CN109891605B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201780066394.2
申请日：2017-09-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 本发明的雪崩光电二极管，在第一导电型且具有均匀杂质浓度的基板半导体层(10)内部包括：第一导电型的第一半导体层(11)、第二导电型的第二半导体层(12)、第二导电型的第三半导体层(13)、第二导电型的第四半导体层(14)、形成于在横方向上远离第三半导体层(13)的位置的第一导电型的第五半导体层(15)、第二导电型的第六半导体层(16)、第一接点(31)以及第二接点(32)。第一半导体层(11)分别与第二半导体层(12)和第五半导体层(15)的正下方相接。第一半导体层(11)与第二半导体层(12)之间的结(AJ)处引起雪崩现象。
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公开(公告)号：CN109891605A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066394.2
申请日：2017-09-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 本发明的雪崩光电二极管，在第一导电型且具有均匀杂质浓度的基板半导体层(10)内部包括：第一导电型的第一半导体层(11)、第二导电型的第二半导体层(12)、第二导电型的第三半导体层(13)、第二导电型的第四半导体层(14)、形成于在横方向上远离第三半导体层(13)的位置的第一导电型的第五半导体层(15)、第二导电型的第六半导体层(16)、第一接点(31)以及第二接点(32)。第一半导体层(11)分别与第二半导体层(12)和第五半导体层(15)的正下方相接。第一半导体层(11)与第二半导体层(12)之间的结(AJ)处引起雪崩现象。
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公开(公告)号：CN109804472A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780060588.1
申请日：2017-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/107
Abstract: 雪崩光电二极管包括：第一导电型半导体层(2)，形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，在俯视基板时以隔开间隔包围第一导电型半导体层(2)的方式形成；第二第二导电型半导体层(5)，以与第一导电型半导体层(2)的底部相接的方式形成在比第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，以与第二第二导电型半导体层(5)的底部相接的方式形成在比第二第二导电型半导体层(5)深的位置。由第一导电型半导体层(2)与第二第二导电型半导体层(5)形成雪崩结。以使半导体基板(1)与第一导电型半导体层(2)电气分离的方式将第一、第三第二导电型半导体层(3、6)连接。
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公开(公告)号：CN109196663A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032650.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/12
Abstract: 本发明提供的光传感器(1)包括：向被检测物照射光的发光元件(20)；以及具有接受从发光元件(20)照射的光的受光面(40a)的受光元件(40)。在从发光元件(40)照射的光朝向受光面(40a)的路径上设置覆盖受光面(40a)的入射光限制部(60)，该入射光限制部(60)使向受光元件(40)入射的光中的入射角度低于规定值的光透射，而遮挡入射角度为规定值以上的光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518870A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048387.6
申请日：2014-09-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L27/146 , G01J3/51 , G01J3/02
CPC classification number: H01L27/14621 , G01J3/0259 , G01J3/513 , G02B5/008 , G02B5/20 , G02B5/204 , H01L31/02327
Abstract: 光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。
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公开(公告)号：CN105144384A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480023309.0
申请日：2014-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L31/02162
Abstract: 本发明提供难以在等离子体滤光部之下的绝缘层产生凹陷，能够准确地进行等离子体滤光部的微细加工的电路内置光电转换装置及其制造方法。在比配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置同一金属层(31)。该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和遮蔽光的屏蔽金属部(33)，该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向第一光电转换元件(101)引导的周期性的开口(32a)。
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公开(公告)号：CN101997054B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010267198.1
申请日：2010-08-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 夏秋和弘
IPC: H01L31/101
CPC classification number: G01J1/44 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/0264 , G01J3/027 , G01J3/0272 , G01J3/51 , G01J3/513 , H01L27/14621 , H01L27/14645
Abstract: 本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二极管相同的结构；由绿色滤色器形成在第一光电二极管上方的滤色器层；由黑色滤色器形成在第二光电二极管上方的滤色器层；以及运算电路部，将第二光电二极管的检测信号从第一光电二极管的检测信号减去。
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公开(公告)号：CN101997054A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010267198.1
申请日：2010-08-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 夏秋和弘
IPC: H01L31/101
CPC classification number: G01J1/44 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/0264 , G01J3/027 , G01J3/0272 , G01J3/51 , G01J3/513 , H01L27/14621 , H01L27/14645
Abstract: 本发明提供一种半导体光电探测器元件和半导体装置，该半导体光电探测器元件的制造成本被降低且精度被提高。该半导体光电探测器元件包括：第一光电二极管，形成在P型硅基板中；第二光电二极管，形成在P型硅基板中并且具有与第一光电二极管相同的结构；由绿色滤色器形成在第一光电二极管上方的滤色器层；由黑色滤色器形成在第二光电二极管上方的滤色器层；以及运算电路部，将第二光电二极管的检测信号从第一光电二极管的检测信号减去。
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公开(公告)号：CN1238906C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03120928.9
申请日：2003-03-21
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L21/763 , H01L27/0203 , H01L27/1446
Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。
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