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公开(公告)号：CN101034727B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200710085508.6
申请日：2007-03-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0287 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/221 , H01S5/223 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选至少为6nm并且至多为200nm。
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公开(公告)号：CN102170090B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110082164.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2231 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件。该发光元件包括：具有六方晶系结晶的氮化物基III-V族化合物半导体层；形成在该氮化物基III-V族化合物半导体层中的光谐振器；和形成在该光谐振器端面的端面涂膜，其中，粘合层形成在该光谐振器的该端面和该端面涂膜之间，至少部分的该端面涂膜或粘合层包含AlNxOy，其中x＜1，y＜1，x+y＝1。这样，就得到了端面涂膜设置在粘合层上的结构。本发明增加了光谐振器端面和端面涂膜之间的粘合力，从而就不需要通过控制薄膜厚度来防止pn结短路和光吸收。
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公开(公告)号：CN102956803A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210295063.5
申请日：2012-08-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/483 , H01L33/507 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件(A)，其具有简单结构，由此可以容易地并且精确地确认是否发出了紫外线，该半导体发光器件包括：用于发出在紫外或深紫外区域中的紫外线半导体发光元件(1)；帽部分(6)，帽部分在顶部中具有通孔，紫外线通过通孔(63)，帽部分包围半导体发光元件(1)；用于透射紫外线的半透明盖(7)，所述半透明盖设置成密封地封闭所述通孔(63)；及UV激发磷光体(8)，其被紫外线激发并发出可见光，所述UV激发磷光体设置在帽部分(6)的内侧。
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公开(公告)号：CN102280817B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110190349.2
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101499619B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910007989.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136673A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110041101.X
申请日：2006-10-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件，包括：III-V族氮化物半导体层；设置在III-V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。
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公开(公告)号：CN1983748B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610171711.0
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/028 , H01S5/2036 , H01S5/22
Abstract: 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。
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公开(公告)号：CN102044843A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010559244.5
申请日：2006-10-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件。该氮化物半导体发光器件，包括：III-V族氮化物半导体层；设置在III-V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。
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公开(公告)号：CN101997268A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010261391.4
申请日：2010-08-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/16152 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0217 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3407 , H01S2304/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。
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公开(公告)号：CN101950920A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010294325.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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