光电转换装置
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107710420A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201680035963.2

    申请日:2016-02-24

    Abstract: 在光电转换装置(1)中,在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上,间隔地配置有多个第一电极(103n),在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上,间隔地配置有多个第二电极(103p)。

    光信息记录介质及其再生方法

    公开(公告)号:CN102610242B

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201210074646.5

    申请日:2008-08-28

    Abstract: 光信息记录介质,具备第1、2区,第1区中利用设有周期比光学记录介质再生装置所具有的光学系统的分辨极限要长的蛇行的导向槽,来记录用以识别介质种类的介质识别信息,第2区中具有轨距比第1区的轨距小的导向槽,利用含有长度为光学系统的分辨极限以下的标记或间隙的标记列来记录内容信息,与第1区相比,第2区设置在外周侧,在第1区与第2区之间具备空白区,空白区包含:与相邻的空白区外的导向槽之间的轨距和第1区的轨距相同的最靠近第1区的导向槽,和与相邻的空白区外的导向槽之间的轨距和第2区的轨距相同的最靠近第2区的导向槽,空白区中,形成有轨距从第1区的轨距变化为第2区的轨距的至少2圈以上的轨道,空白区不记录信息。

    光信息记录介质及其再生方法

    公开(公告)号:CN102610242A

    公开(公告)日:2012-07-25

    申请号:CN201210074646.5

    申请日:2008-08-28

    Abstract: 光信息记录介质,具备第1、2区,第1区中利用设有周期比光学记录介质再生装置所具有的光学系统的分辨极限要长的蛇行的导向槽,来记录用以识别介质种类的介质识别信息,第2区中具有轨距比第1区的轨距小的导向槽,利用含有长度为光学系统的分辨极限以下的标记或间隙的标记列来记录内容信息,与第1区相比,第2区设置在外周侧,在第1区与第2区之间具备空白区,空白区包含:与相邻的空白区外的导向槽之间的轨距和第1区的轨距相同的最靠近第1区的导向槽,和与相邻的空白区外的导向槽之间的轨距和第2区的轨距相同的最靠近第2区的导向槽,空白区中,形成有轨距从第1区的轨距变化为第2区的轨距的至少2圈以上的轨道,空白区不记录信息。

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