公开(公告)号：CN105914581B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510648476.0

申请日：2015-10-09

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 近藤崇 ,  村上朱实 ,  武田一隆 ,  城岸直辉 ,  早川纯一朗 ,  樱井淳

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/42

Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。

公开(公告)号：CN107785777A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201710432803.8

申请日：2017-06-09

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 近藤崇 ,  早川纯一朗 ,  城岸直辉 ,  村上朱实 ,  樱井淳

IPC: H01S5/40

CPC classification number: G03G15/04072 ,  H01S5/005 ,  H01S5/026 ,  H01S5/125 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/423 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/18 ,  H01S5/4025

Abstract: 发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。

公开(公告)号：CN107728265A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710550326.5

申请日：2017-07-07

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 早川纯一朗 ,  村上朱实 ,  近藤崇 ,  城岸直辉 ,  樱井淳

IPC: G02B6/42

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  G02B6/4287 ,  G02B6/4295 ,  G02B6/4296

Abstract: 本发明涉及一种光发射元件、光发射元件阵列和光传导装置，该光发射元件包括半导体堆叠结构，半导体堆叠结构包括：光发射部分；以及光接收部分，其接收从光发射部分通过半导体层沿横向传播的光，其中，光发射部分和光接收部分共享量子层。该光发射元件还包括光反射层，光反射层覆盖光接收部分中的量子层的侧表面的1/3以上。

公开(公告)号：CN105914581A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201510648476.0

申请日：2015-10-09

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 近藤崇 ,  村上朱实 ,  武田一隆 ,  城岸直辉 ,  早川纯一朗 ,  樱井淳

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/343 ,  H01S5/42

CPC classification number: G02B26/10 ,  G02B19/0052 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/343 ,  H04B10/503

Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。

公开(公告)号：CN1453911A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03119738.8

申请日：2003-03-10

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 植木伸明 ,  乙间广己 ,  村上朱实 ,  坂本朗

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18344

Abstract: 表面发射半导体激光器包括：衬底；具有设置在衬底上并在其顶表面上具有接触区的第一柱体结构的激光器部分；以及具有设置在衬底上的第二柱体结构的电极部分。电极部分包括与接触区电连接并从其中延伸的导电层。