公开(公告)号：CN104781914B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201380059067.6

申请日：2013-11-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 室祐継 ,  上村哲也 ,  稻叶正 ,  水谷笃史

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明的蚀刻方法是在对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，在基板的第1层应用含有氢氟酸化合物及氧化剂的蚀刻液而去除第1层。本发明还提供蚀刻液及半导体元件的制造方法。根据本发明的蚀刻方法，可在对含有TiN的第1层进行蚀刻时，实现该TiN层在蚀刻后的表面均匀化，以及金属层(第2层)在蚀刻后的表面均匀化。

公开(公告)号：CN103403845B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280011143.1

申请日：2012-02-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 水谷笃史 ,  稻叶正 ,  小山朗子

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G13/00 ,  C09K13/00 ,  C09K13/02 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/32134 ,  H01L28/92

Abstract: 一种形成电容器结构的方法以及用于其的硅蚀刻液，所述方法包括：施用硅蚀刻液于多晶硅膜或非晶硅膜，所述硅蚀刻液含碱化合物与羟胺化合物的组合，且所述硅蚀刻液的pH值被调节为11或大于11；移除所述多晶硅膜或所述非晶硅膜的部份或整体；以及形成构成电容器的凹凸形状。

公开(公告)号：CN104781914A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380059067.6

申请日：2013-11-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 室祐継 ,  上村哲也 ,  稻叶正 ,  水谷笃史

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C09K13/08 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明的蚀刻方法是在对具有含有氮化钛(TiN)的第1层及含有过渡金属的第2层的基板进行处理时，选定第1层中的表面含氧率为0.1摩尔％～10摩尔％的基板，在基板的第1层应用含有氢氟酸化合物及氧化剂的蚀刻液而去除第1层。

公开(公告)号：CN100456131C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410039650.3

申请日：2004-03-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤忠伸 ,  大岛直人 ,  稻叶正

IPC: G03C1/08 ,  G03C7/407 ,  G03C1/035

CPC classification number: G03C7/407 ,  G03C1/08 ,  G03C7/3022 ,  G03C7/3041 ,  G03C2001/03517 ,  G03C2007/3025 ,  G03C2200/52

Abstract: 提供一种在更高感光度和遍及宽的曝光照度下无倒易律反常，在更高感光度下反差大的卤化银彩色照相感光材料。本发明的卤化银乳剂，其特征在于，在卤化银粒子中至少掺杂两种能产生10-5秒钟以上和3秒钟以下之间平均电子缓释时间的金属配位化合物，就该两种金属配位化合物而言，平均电子缓释时间之比至少处于三倍以上，其中短的平均电子缓释时间的金属配位化合物含量，与长的平均电子缓释时间的金属配位化合物含量之摩尔比处于三倍以上。

公开(公告)号：CN1365024A

公开(公告)日：2002-08-21

申请号：CN02101604.6

申请日：2002-01-07

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 细谷阳一 ,  守本洁 ,  稻叶正

IPC: G03C1/035

CPC classification number: G03C7/30541 ,  G03C1/0051 ,  G03C1/0053 ,  G03C1/10 ,  G03C1/34 ,  G03C1/38 ,  G03C7/3003 ,  G03C7/3022 ,  G03C7/3885 ,  G03C7/392 ,  G03C2001/0056 ,  G03C2001/03552 ,  G03C2200/03 ,  G03C2200/24 ,  Y10S430/156 ,  Y10S430/158

Abstract: 一种卤化银照相感光材料,其包含一个在其上至少有一层卤化银感光乳剂层的支持体,其中所述感光材料包含至少一种通式(I)所示的化合物和至少一种通式(II)或(III)表示的释放有助于照相的基团的化合物,该化合物在与显影剂的氧化物形式偶合后能够形成一种基本不会影响染色的化合物,通式中各取代基的定义见说明书中。(X)k－(L)m－(A－B)n(I),COUP1－D1(II),COUP2－C－E－D2(III)。