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公开(公告)号：CN103339808A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066671.2
申请日：2011-12-01
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S3/1055 , H01S3/101
CPC classification number: H01S5/0042 , B82Y20/00 , G01J1/0403 , G01J1/0407 , G01J1/0414 , G01J3/021 , G01J3/1804 , G01J2001/4247 , G01R31/2635 , H01S5/141 , H01S5/3401
Abstract: 一种用于自动表征从半导体晶片分离的半导体条上的多个外腔半导体激光器芯片的系统和过程。该系统包括：衍射光栅，被安装在旋转台上，用于使衍射光栅转动通过衍射角范围；操纵镜，被安装在旋转台上并被定向成垂直于衍射光栅的表面；激光分析仪；以及激光器条定位台。该定位台被自动移动以使平台上的激光器条中的每个激光器芯片与衍射光栅对准（一次一个芯片），使得从激光器条中的激光器芯片发出的激光束的部分被光栅的一阶衍射反射回同一激光器芯片以锁定激射波长，并且激光束被操纵镜反射的余下部分被激光分析仪接收并表征。对于每个激光器芯片，旋转台被自动转动以使衍射光栅相对于激光器芯片所发出的激光束转动通过衍射角范围，并且激光分析仪自动地表征每个衍射角下的激光器光学性质（诸如光谱、功率或空间模式）。
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公开(公告)号：CN101861661B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200880117523.7
申请日：2008-10-08
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/76254
Abstract: 用于制造绝缘体上氮化镓半导体的方法和装置包括：将单晶硅层接合至透明衬底；以及在该单晶硅层上生长单晶氮化镓层。
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公开(公告)号：CN103119809A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045031.3
申请日：2011-09-13
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3211
Abstract: 基于第III族氮化物的激光二极管包含由n-掺杂的(Al,In)GaN形成的n-侧包覆层、由n-掺杂的(Al)InGaN形成的n-侧波导层、有源区、由p-掺杂的(Al)InGaN形成的p-侧波导层以及由p-掺杂的(Al,In)GaN形成的p-侧包覆层。通过操作n-侧波导层的铟浓度和厚度，使光模块移离p-型层中的高受体浓度。调节p-侧包覆层和p-侧波导层中的掺杂剂和组成分布，以降低光损耗并增加电光转化效率。
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公开(公告)号：CN103119809B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180045031.3
申请日：2011-09-13
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2018 , H01S5/2031 , H01S5/3211
Abstract: 基于第III族氮化物的激光二极管包含由n-掺杂的(Al,In)GaN形成的n-侧包覆层、由n-掺杂的(Al)InGaN形成的n-侧波导层、有源区、由p-掺杂的(Al)InGaN形成的p-侧波导层以及由p-掺杂的(Al,In)GaN形成的p-侧包覆层。通过操作n-侧波导层的铟浓度和厚度，使光模块移离p-型层中的高受体浓度。调节p-侧包覆层和p-侧波导层中的掺杂剂和组成分布，以降低光损耗并增加电光转化效率。
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公开(公告)号：CN102405569B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080018130.8
申请日：2010-04-19
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0092 , H01S5/06256
Abstract: 提供金属化图案以降低半导体激光器中芯片断裂的可能性。根据本文披露的一个实施例，金属化图案的焊盘边缘跨过激光器衬底的多个结晶平面而延伸。如此，在任何给定应力集中处开始的裂纹将需要跨衬底中的许多结晶平面传播，以达到很大的尺寸。本公开的其它实施例涉及相邻多对接触焊盘的相应几何形状和取向。公开并要求保护又一些其它的实施例。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103430406A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280013813.3
申请日：2012-03-08
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S5/0625 , H01S5/16 , H01S5/34 , H01S5/223
CPC classification number: H01S5/06256 , B82Y20/00 , H01S5/1017 , H01S5/168 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/3402
Abstract: 提供了量子级联激光器及其制造方法。该量子级联激光器包括沿激光器的波导轴延伸的一个或多个p型电隔离区（40）和多个电隔离的激光器段（10,12,16）。有源波导芯（20）被夹在上侧（22,26）和下侧（24）n型包覆层之间，且有源芯以及上侧和下侧n型包覆层延伸通过该量子级联激光器的电隔离的激光器各段。上侧n型包覆层的一部分包括足够多的p型掺杂剂变为p型且变为电隔离区，该电隔离区沿着用于分离该量子级联激光器各段的突出物、横跨上侧n型包覆层的厚度的至少一部分而延伸。
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公开(公告)号：CN103403985A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010630.6
申请日：2012-02-02
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/343 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 半导体激光器的一个实施例包括：(a)GaN、AlGaN、InGaN或AlN衬底；(b)位于衬底之上的n掺杂包层；(c)位于n掺杂包层之上的p掺杂包层；(d)位于n掺杂包层和p掺杂包层之间的至少一个有源层，并且所述包层中的至少一个包括AlInGaN/GaN、AlInGaN/AlGaN、AlInGaN//InGaN或AlInGaN/AlN的超结构结构，其组成使整个结构的总晶格失配应变不超出40nm％。
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公开(公告)号：CN102405569A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201080018130.8
申请日：2010-04-19
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0092 , H01S5/06256
Abstract: 提供金属化图案以降低半导体激光器中芯片断裂的可能性。根据本文披露的一个实施例，金属化图案的焊盘边缘跨过激光器衬底的多个结晶平面而延伸。如此，在任何给定应力集中处开始的裂纹将需要跨衬底中的许多结晶平面传播，以达到很大的尺寸。本公开的其它实施例涉及相邻多对接触焊盘的相应几何形状和取向。公开并要求保护又一些其它的实施例。
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公开(公告)号：CN102396120A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201080017074.6
申请日：2010-04-12
Applicant: 康宁股份有限公司
IPC: H01S3/08
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0092 , H01S5/0261 , H01S5/0612 , H01S5/0654
Abstract: 提供一种控制DBR激光二极管的方法，其中控制前、后DBR加热元件使得DBR区段的后光栅部的反射率低于DBR区段的前光栅部的反射率。由此，激光发射模式选择由前光栅部支配，且可控制前DBR区段加热元件用于波长调谐。此外，可控制后DBR区段加热元件，以使DBR反射光谱的光谱带宽变窄。公开并要求保护其它实施例。
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公开(公告)号：CN102246369A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980151576.5
申请日：2009-12-14
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/34 , B82Y20/00 , H01S5/041 , H01S5/20 , H01S5/2004 , H01S5/34333
Abstract: 提供了包括有源和/或无源MQW区的多量子阱激光器结构。每个MQW区包括多个量子阱和介于其间的势垒层。毗邻的MQW区被间隔层分开，间隔层比介于MQW之间的势垒层厚。量子阱的带隙低于介于其间的势垒层和间隔层的带隙。有源区可包括有源和无源MQW，且被配置用于光子的电泵浦受激发射，或它可包括被配置用于光子的光泵浦受激发射的有源MQW区。
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