公开(公告)号：CN116075494A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180054355.7

申请日：2021-08-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 平野诚人 ,  松田广和 ,  E·A·皮德科 ,  G·A·菲洛年科 ,  C·雷布莱恩德

IPC: C07C51/02

Abstract: 本发明涉及碱土金属甲酸盐的制造方法，其包括下述第一工序：在溶剂的存在下，在前述溶剂以被分离成有机相和水相的状态存在的双相体系中，使用均相催化剂，使氢、二氧化碳、和碱土金属的碳酸盐或碳酸氢盐进行反应，从而制造碱土金属的甲酸盐。

公开(公告)号：CN115666765A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035339.3

申请日：2021-04-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 井原辉一 ,  西山真哉 ,  谷贤辅 ,  松田广和 ,  铃木聪 ,  松田康壮 ,  片山博之

IPC: B01D53/62 ,  B01D53/22 ,  B01D53/81 ,  C01B32/50 ,  E04H5/02

Abstract: 本发明提供二氧化碳捕获处理系统，其包含二氧化碳浓缩混合气体生成装置、二氧化碳转化装置、最终处理装置、以及二氧化碳直接捕获装置，其中，二氧化碳浓缩混合气体生成装置具有分离膜，提高所导入的混合气体中的二氧化碳浓度而生成二氧化碳浓缩混合气体；二氧化碳转化装置将从二氧化碳浓缩混合气体生成装置接取的浓缩混合气体中的二氧化碳转化成化学稳定的化合物；最终处理装置具备吸附材料，通过利用吸附材料吸附二氧化碳而将该二氧化碳与其它气体成分分离；二氧化碳直接捕获装置将周围环境中所含的空气导入，并供给至二氧化碳捕获处理系统的最终处理装置或该最终处理装置的上游侧。在二氧化碳捕获处理系统中，在工厂内生成的二氧化碳会全部在工厂内被处理，而不会被排出至工厂的外部，另外，由于将周围环境中所含的空气导入并进行与工厂中的排出气体同样的处理，因此能够使从工厂向外部的二氧化碳的排出成为负值。

公开(公告)号：CN114787076A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080085654.2

申请日：2020-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松田广和 ,  平野诚人

IPC: C01B3/00 ,  B01D61/02 ,  B01D61/44 ,  C01B3/22

Abstract: 本发明涉及氢气的制造方法，其包括：将包含甲酸碱金属盐的水溶液浓缩的第一工序；通过电透析将上述甲酸碱金属盐的至少一部分质子化而生成甲酸的第二工序；和将上述甲酸分解而制造氢气的第三工序。

公开(公告)号：CN103904200A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310731773.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松田广和 ,  小名春华

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L33/52 ,  B29C43/18 ,  H01L33/56 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/005 ,  Y10T428/265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种封装片，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备埋设层，其用于埋设光半导体元件；被覆层，其相对于埋设层配置于厚度方向的一侧；以及，用于抑制被覆层所含的成分转移至埋设层的阻隔层，其夹设于埋设层与被覆层之间，厚度为50μm以上且1000μm以下。

公开(公告)号：CN102270728A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110159301.5

申请日：2011-06-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松田广和 ,  末广一郎

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  Y10T428/24752 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种光半导体用封装片，其包含：含有荧光体的含荧光体层；和含有封装树脂且层叠在所述含荧光体层上的封装树脂层，其中，在其间的层叠面上，所述含荧光体层的端部从所述封装树脂层的端部突出，且所述含荧光体层的突出长度是所述封装树脂层厚度1～10倍。

公开(公告)号：CN119768388A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380062050.X

申请日：2023-08-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 和田一仁 ,  平野诚人 ,  松田广和 ,  芹生将哉 ,  E·A·皮德科 ,  C·雷布莱恩德

IPC: C07C51/00 ,  B01J31/24 ,  C07B61/00 ,  C07C53/02 ,  C07C53/06

Abstract: 本发明的催化反应方法是在溶剂的存在下使用催化剂使起始化合物反应的方法。上述溶剂包含有机溶剂、水系溶剂、及抗氧化剂。起始化合物的反应在有机溶剂与水系溶剂分离的两相体系中进行。本发明的有机化合物的制造方法包括在溶剂的存在下使用催化剂使起始化合物反应，由上述起始化合物合成有机化合物。上述溶剂包含有机溶剂、水系溶剂、及抗氧化剂。起始化合物的反应在有机溶剂与水系溶剂分离的两相体系中进行。

公开(公告)号：CN118785969A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380023165.8

申请日：2023-02-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 平野诚人 ,  松田广和 ,  芹生将哉 ,  E·A·皮德科 ,  G·A·菲洛年科 ,  C·雷布莱恩德

IPC: B01J31/24 ,  C07B61/00 ,  C07C51/00 ,  C07C51/02 ,  C07C53/06

Abstract: 本发明涉及催化反应方法，其中，在使用了选自由说明书中记载的通式(1A)表示的金属络合物、其互变异构体、立体异构体、及它们的盐组成的组中的至少一种以上的催化剂的催化反应中，以说明书中记载的通式(1B)表示的配体的物质的量与反应体系中的前述催化剂的物质的量之比超过0且为15以下的方式使用前述配体。

公开(公告)号：CN116096699A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180054239.5

申请日：2021-08-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松田广和 ,  府冈大祐 ,  平野诚人 ,  E·A·皮德科 ,  G·A·菲洛年科 ,  C·雷布莱恩德

IPC: C07C51/02

Abstract: 本发明涉及甲酸盐的制造方法，其为在溶剂的存在下使用催化剂使氢、与二氧化碳、碳酸氢盐或碳酸盐进行反应而制造甲酸盐的方法，前述反应中，前述溶剂为以有机溶剂与水系溶剂分离的状态存在的双相体系，前述催化剂为选自说明书中的通式(1)表示的钌络合物、其互变异构体或立体异构体、或者它们的氯化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN114466816A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202080066490.9

申请日：2020-09-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小竹慎也 ,  松田广和 ,  平野诚人 ,  井原辉一

IPC: C01B3/22 ,  C01B3/50 ,  B01J31/16

Abstract: 本发明涉及氢气制造方法，其包括：第一工序，在反应器中通过使用催化剂的脱氢化反应由储氢剂生成包含氢和二氧化碳的混合气体；第二工序，由生成的上述混合气体通过纯化得到氢浓度高的气体；第三工序，使用分离膜单元将上述反应器中的溶液分离为透过液和上述催化剂富集的溶液；和第四工序，将上述催化剂富集的溶液供给至上述反应器而在上述第一工序中进行再利用。

公开(公告)号：CN103959488B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380003482.X

申请日：2013-12-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 伊藤久贵 ,  二宫明人 ,  大薮恭也 ,  梅谷荣弘 ,  松田广和

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/56

Abstract: 系统具备制造条件决定装置和制造管理装置。制造条件决定装置具备：第一信息存储区域，其存储与光半导体元件和光半导体装置相关的第一信息；第二信息存储区域，其存储与清漆相关的第二信息；以及决定单元，其根据第一信息存储区域所存储的第一信息以及第二信息存储区域所存储的第二信息来决定制造条件。制造管理装置具备第三信息存储区域和管理单元，该第三信息存储区域存储与由决定单元决定的制造条件相关的第三信息，该管理单元根据第三信息存储区域所存储的第三信息来管理片材制造工序的制造条件。