公开(公告)号：CN103305146B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310078333.1

申请日：2013-03-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 龟井胜利 ,  本田哲士 ,  土生刚志 ,  盛田美希 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种高度差追随性优异的粘合片。本发明的粘合片具备粘合剂层和基材层，其中，该粘合剂层在70℃下的弹性模量E’与厚度之积为0.7N/mm以下，且该基材层在70℃下的弹性模量E’为1.0MPa以下。通过制成具备这样的基材层和粘合剂层的粘合片，可以提供贴附时与被粘物的密合性提高、高度差追随性优异的粘合片。

公开(公告)号：CN105666976A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610020536.9

申请日：2011-07-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B37/12

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B5/022 ,  B32B5/028 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B25/08 ,  B32B25/12 ,  B32B25/14 ,  B32B25/18 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B27/281 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B29/002 ,  B32B37/12 ,  B32B2250/44 ,  B32B2270/00 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/302 ,  B32B2307/306 ,  B32B2307/414 ,  B32B2307/514 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/732 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L22/20 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2924/014 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法，及生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45％的雾度。

公开(公告)号：CN101859692B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201010142167.3

申请日：2010-04-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 川岛教孔 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  C09J7/02 ,  C09J133/08

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B3/28 ,  B32B3/30 ,  B32B7/06 ,  B32B25/042 ,  B32B25/06 ,  B32B25/08 ,  B32B25/14 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/22 ,  B32B27/283 ,  B32B27/302 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B29/06 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/12 ,  B32B2255/26 ,  B32B2270/00 ,  B32B2274/00 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  C09J7/29 ,  C09J2203/326 ,  C09J2467/006 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明涉及半导体晶片保护用压敏粘合片及其粘贴方法。本发明提供半导体晶片保护用压敏粘合片的粘贴方法，该方法包括将包含依次叠置的基材、至少一中间层和压敏粘合剂层的半导体晶片保护用压敏粘合片粘贴至半导体晶片的表面，其中，将该压敏粘合片在50℃至100℃范围内的粘贴温度下粘贴至该半导体晶片，并且与该压敏粘合剂层接触的中间层在该粘贴温度下具有损耗角正切(tanδ)为0.5以上。

公开(公告)号：CN104080875A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007835.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 铃木俊隆 ,  石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  关口裕香 ,  长友绫 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正 ,  白井稚人

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供在各种环境下都能够得到稳定的粘接特性和剥离特性的粘合带。一种粘合带，其为在热塑性树脂薄膜的单面形成有压敏性粘合剂层的粘合带，其中，至少在热塑性树脂薄膜和压敏性粘合剂层的任一者中含有包含碳数1～4的亚烷基和碳数12～18的饱和脂肪酸残基的亚烷基双饱和脂肪酸酰胺。

公开(公告)号：CN104054161A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201380005859.5

申请日：2013-01-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  浅井文辉 ,  高本尚英

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供以能辨识的状态赋予了各种信息的倒装芯片型半导体装置的制造方法，其为工序简化的制造方法。一种倒装芯片型半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：工序A，将倒装芯片型半导体背面用薄膜层压到半导体晶圆上，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜用于在倒装芯片连接于被粘物上的半导体元件的背面形成；工序B，切割前述半导体晶圆；以及，工序C，对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行激光标记，其中，前述工序C的倒装芯片型半导体背面用薄膜是未固化的。

公开(公告)号：CN103289588A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310066139.1

申请日：2013-03-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  盛田美希 ,  龟井胜利 ,  土生刚志 ,  本田哲士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  C09J123/00 ,  C09J123/14 ,  C09J123/10 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种保持充分的粘合力且通纸性等剥离隔离膜后的处理性优异的粘合片。本发明的粘合片具备基材层和粘合剂层，该粘合剂层在滚球粘性试验中的球号为2以下，且对硅镜面晶圆的粘合力为0.3N/20mm以上。通过使用这样的粘合片，能够得到兼顾了作为粘合片的充分的粘合力和通纸性等剥离隔离膜后的处理性的粘合片。

公开(公告)号：CN102876245A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210245045.6

申请日：2012-07-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  高本尚英 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/00 ,  C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  C09J11/06 ,  H01L21/683 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/29 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置用粘接膜及切割带一体型半导体背面用膜。本发明提供了一种半导体装置用粘接膜，其即使在长期间保存之后也能具有与制造时同样的物性。该半导体装置用粘接膜含有热固化性树脂，对于所述半导体装置用粘接膜的用差示扫描量热仪测定的反应放热峰温度±80℃温度范围内的反应放热量而言，在25℃的条件下保存4周之后的反应放热量相对于保存前的反应放热量为0.8~1倍的范围。

公开(公告)号：CN102382582A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110264171.1

申请日：2011-09-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  浅井文辉 ,  高桥智一 ,  井本荣一 ,  岛崎雄太

IPC: C09J7/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67132 ,  C08G18/4854 ,  C08G18/672 ,  C08G18/757 ,  C08G2170/40 ,  C09J7/10 ,  C09J175/16 ,  C09J2203/326 ,  C09J2475/00 ,  C08G18/48

Abstract: 提供一种半导体晶片保护用粘合片，其即使在将半导体晶片研磨至极薄时、研磨大口径晶片时也不使半导体晶片弯曲(翘曲)，且对图案的追随性优异，不因经时而从图案上浮起，研磨时应力分散性好，可抑制晶片破裂、晶片边缘缺损，剥离时不发生层间剥离，不在晶片表面残留粘合剂残渣。该半导体晶片保护用粘合片特征在于，其为在保护半导体晶片时贴合于半导体晶片表面的半导体晶片保护用片材，其单面具有粘合性，由不存在基材与粘合剂的界面的1层构成，该保护片在伸长10％时的应力松弛率为40％以上，贴附于30μm的有高低差部分时24小时后的带浮起幅度比初始大40％以下，粘合片的厚度为5μm～1000μm，进而使两面的粘合力互不相同。

公开(公告)号：CN102376611A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110217098.2

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 河本裕介 ,  高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/50 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L23/3157 ,  C09J163/00 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/31504 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其在倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上形成，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在23℃-165℃范围内的体积收缩率为100ppm/℃-400ppm/℃。

公开(公告)号：CN102220092A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110099960.4

申请日：2011-04-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉 ,  山本晃好 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3164 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/14 ,  Y10T428/2809 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预先固化。