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公开(公告)号：JP6076486B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2015536335
申请日：2015-01-13
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: C04B35/115 , C01F7/02 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/645 , C04B37/00 , C04B37/005 , H01L21/2007 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5436 , C04B2235/549 , C04B2235/72 , C04B2235/963 , C04B2237/062 , C04B2237/30 , C04B2237/343 , C04B2237/708
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公开(公告)号：JP5877933B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2015536337
申请日：2015-02-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K3/00 , C04B35/111 , C04B41/91 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , H01B17/56 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
Abstract: 導体用の貫通孔(2)が配列されている絶縁基板(1)を提供する。絶縁基板(1)の厚さが25〜300μmであり、貫通孔(2)の径(W)が20μm〜100μmであり、絶縁基板(1)がアルミナ焼結体からなる。アルミナ焼結体の相対密度が99.5%以上であり、平均粒径が2〜50μmである。
Abstract translation: 提供了（1）具有用于所述导体（2）的通孔的绝缘基板被布置。 绝缘基板（1）的厚度为25〜300Myuemu，所述通孔（2）（W）的直径为20μm至100μm，所述绝缘性基板（1）由氧化铝烧结体构成。 所述氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上，2〜50微米的平均粒径。
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公开(公告)号：JP6854902B2
公开(公告)日：2021-04-07
申请号：JP2019538029
申请日：2018-07-31
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/208 , H01L33/16 , H01L33/32
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2020073439A
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：JP2019233204
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B19/02 , C30B25/18 , H01L21/208 , C30B29/38
Abstract: 【課題】窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶から選択された13族元素窒化物結晶からなり、上面及び底面を有する13族元素窒化物結晶層において、転位密度を低くでき、全体にわたって特性のばらつきを少なくできるような微構造を提供する。 【解決手段】13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。高輝度発光部5が、13族元素窒化物結晶13のm面に沿って伸びている部分を含む。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JPWO2019038933A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2017034035
申请日：2017-09-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 【課題】窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶から選択された13族元素窒化物結晶からなり、上面及び底面を有する13族元素窒化物結晶層において、転位密度を低くでき、全体にわたって特性のばらつきを少なくできるような微構造を提供する。 【解決手段】13族元素窒化物結晶層13の上面13aをカソードルミネッセンスによって観測したときに、線状の高輝度発光部5と、高輝度発光部5に隣接する低輝度発光領域6とを有する。高輝度発光部5が、13族元素窒化物結晶13のm面に沿って伸びている部分を含む。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP5877932B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2015536336
申请日：2015-02-20
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H05K3/00 , C04B35/111 , C04B41/91 , H05K1/03
CPC classification number: H05K1/115 , C04B35/111 , C04B35/119 , C04B35/634 , H01B17/56 , H01B3/12 , H05K1/03 , H05K3/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/6023 , C04B2235/606 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , H05K2201/09009 , Y10T428/24273
Abstract: 導体用の貫通孔(2)が配列されている絶縁基板(1)を提供する。絶縁基板(1)の厚さが25〜100μmであり、貫通孔(2)の径が20μm〜100μmである。絶縁基板(1)が、本体部分(5)と、貫通孔(2)に露出する露出領域(4)とを備える。絶縁基板(1)がアルミナ焼結体からなる。アルミナ焼結体の相対密度が99.5%以上であり、アルミナ焼結体の純度が99.9%以上であり、本体部分(5)を構成するアルミナ焼結体の粒子(5a)の平均粒径が3〜6μmであり、露出領域(4)におけるアルミナ焼結体を構成するアルミナ粒子が板状をなしており、板状のアルミナ粒子(4a)の平均長さが8〜25μmである。
Abstract translation: 提供了（1）具有用于所述导体（2）的通孔的绝缘基板被布置。 绝缘基板（1）的厚度为25至100μm，所述通孔（2）的直径为20μm至100μm。 绝缘性基板（1）包括主体部分（5），暴露于所述通孔的暴露区域（2）（4）。 绝缘性基板（1）它是由氧化铝烧结体的。 所述氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上时，氧化铝烧结体的纯度为至少99.9％，构成主体部（5）3中的氧化铝烧结体的粒子（5a）的平均粒径 一〜6Myuemu，构成氧化铝烧结体在暴露区域的氧化铝颗粒（4）具有板形状，该板状的氧化铝颗粒的平均长度（4A）为8〜25Myuemu。
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公开(公告)号：JP5755390B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2015511532
申请日：2014-10-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L27/12 , C04B35/00 , C04B35/115 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/683 , C04B35/111 , C04B35/115 , C30B29/06 , H01L21/2007 , H01L27/12 , H01L29/16 , C04B2235/3206 , C04B2235/3225 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6025 , C04B2235/612 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/662 , C04B2235/945 , C04B2235/963 , Y10T428/21 , Y10T428/219 , Y10T428/24777
Abstract: 半導体用複合ウエハーのハンドル基板において、ノッチを形成したウエハーのパーティクルを抑制できるようにする。半導体用複合ウエハーのハンドル基板1A、1Bが多結晶セラミックス焼結体により形成されており、外周縁部にノッチ2A、2Bを有している。ノッチが焼成面によって形成されている。
Abstract translation: 在半导体复合晶片的处理衬底，以能够抑制颗粒的晶片以形成一个凹口。 手柄基板1A的半导体复合晶片，1B是由多晶陶瓷烧结体形成的具有凹口2A，和图2B的外周缘。 凹口是由烘焙表面形成。
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