公开(公告)号：JP2021052053A

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：JP2019172818

申请日：2019-09-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野村 勝 ,  宮澤 杉夫

IPC: B23K26/57 ,  H01L21/02

Abstract: 【課題】ガラスからなる仮固定基板よりも強度や耐久性を高くすることかでき、かつ画像認識による読み取りが可能な情報担持凹部を有する仮固定基板を提供する。 【解決手段】電子部品を接着し、仮固定するための固定面と、前記固定面の反対側にある照射面とを備える仮固定基板を提供する。仮固定基板は、透光性アルミナからなり、画像認識によって読み取り可能な情報を担持する情報担持凹部を備える。情報担持凹部の深さが0.5μm以上、3.0μm以下であり、情報担持凹部の幅が5.0μm以上、30.0μm以下であり、かつ情報担持凹部の深さの前記幅に対する比率(深さ/幅)が0.02以上である。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6182661B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2016504104

申请日：2015-02-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出 晃啓 ,  高垣 達朗 ,  宮澤 杉夫 ,  岩崎 康範

IPC: H01L27/12 ,  B23K20/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76256 ,  H01L27/1203

公开(公告)号：JP2016058567A

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：JP2014184079

申请日：2014-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 大橋 玄章 ,  柴田 和義 ,  宮澤 杉夫

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 【課題】熱伝導率が高く、しかも、400nm以下の紫外線に対して高い前方透過率を確保することができ、例えば半導体ウエハ等の支持基板等として用いて好適な透光性焼結セラミック支持体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】支持体10は、波長210〜400nmの平均の前方透過率が60%以上である。支持体10は、材質がアルミナ、もしくはスピネル、YAG、イットリア、酸化亜鉛、AlON、AlNを含有する基板14にて構成されている。基板14の断面を見た場合に、単位面積当たり、最大長さが0.5μm以下のポア(気孔)の数が10,000個以下である。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供：具有高导热性的半透明烧结陶瓷支撑体，其能够实现400nm以下的紫外线的高正射透射率，适用于作为 例如 半导体晶片; 以及制造这种半透明烧结陶瓷支撑体的方法。解决方案：对于波长210-400nm，支撑体10的平均正向透射率为60％以上。 支撑体10由包括氧化铝或尖晶石YAG，氧化钇，氧化锌，AlON和AlN作为其材料的基板14组成。 当观察基板14的一部分时，最大长度为0.5μm以下的孔的数量为每单位面积10,000以下。图1

公开(公告)号：JP5877932B1

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：JP2015536336

申请日：2015-02-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣 達朗 ,  岩崎 康範 ,  宮澤 杉夫 ,  井出 晃啓 ,  中西 宏和

IPC: H05K3/00 ,  C04B35/111 ,  C04B41/91 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/115 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/634 ,  H01B17/56 ,  H01B3/12 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  H05K2201/09009 ,  Y10T428/24273

Abstract: 導体用の貫通孔(2)が配列されている絶縁基板(1)を提供する。絶縁基板(1)の厚さが25〜100μmであり、貫通孔(2)の径が20μm〜100μmである。絶縁基板(1)が、本体部分(5)と、貫通孔(2)に露出する露出領域(4)とを備える。絶縁基板(1)がアルミナ焼結体からなる。アルミナ焼結体の相対密度が99.5%以上であり、アルミナ焼結体の純度が99.9%以上であり、本体部分(5)を構成するアルミナ焼結体の粒子(5a)の平均粒径が3〜6μmであり、露出領域(4)におけるアルミナ焼結体を構成するアルミナ粒子が板状をなしており、板状のアルミナ粒子(4a)の平均長さが8〜25μmである。

Abstract translation: 提供了（1）具有用于所述导体（2）的通孔的绝缘基板被布置。 绝缘基板（1）的厚度为25至100μm，所述通孔（2）的直径为20μm至100μm。 绝缘性基板（1）包括主体部分（5），暴露于所述通孔的暴露区域（2）（4）。 绝缘性基板（1）它是由氧化铝烧结体的。 所述氧化铝烧结体的相对密度为99.5％以上时，氧化铝烧结体的纯度为至少99.9％，构成主体部（5）3中的氧化铝烧结体的粒子（5a）的平均粒径 一〜6Myuemu，构成氧化铝烧结体在暴露区域的氧化铝颗粒（4）具有板形状，该板状的氧化铝颗粒的平均长度（4A）为8〜25Myuemu。

公开(公告)号：JP5755390B1

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：JP2015511532

申请日：2014-10-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣 達朗 ,  岩崎 康範 ,  宮澤 杉夫 ,  井出 晃啓 ,  中西 宏和

IPC: H01L27/12 ,  C04B35/00 ,  C04B35/115 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/683 ,  C04B35/111 ,  C04B35/115 ,  C30B29/06 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/12 ,  H01L29/16 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/945 ,  C04B2235/963 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/219 ,  Y10T428/24777

Abstract: 半導体用複合ウエハーのハンドル基板において、ノッチを形成したウエハーのパーティクルを抑制できるようにする。半導体用複合ウエハーのハンドル基板1A、1Bが多結晶セラミックス焼結体により形成されており、外周縁部にノッチ2A、2Bを有している。ノッチが焼成面によって形成されている。

Abstract translation: 在半导体复合晶片的处理衬底，以能够抑制颗粒的晶片以形成一个凹口。 手柄基板1A的半导体复合晶片，1B是由多晶陶瓷烧结体形成的具有凹口2A，和图2B的外周缘。 凹口是由烘焙表面形成。