陶瓷封装体及电子器件
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105051889A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201480017049.6

    申请日:2014-03-18

    Abstract: 本发明涉及一种陶瓷封装体及电子器件。本发明的陶瓷封装体使用高温密封材料(16)将上表面开口的陶瓷制容器(12)及封堵该容器(12)的开口的盖体(14)密封,其中,在容器(12)的侧壁(12b)的上端面与高温密封材料(16)之间包括接合层(24)。接合层(24)包括形成在侧壁(12b)的上端面的金属化层(26)和形成在该金属化层(26)上的应力缓和层(28)。应力缓和层(28)是膜硬度在50以上、低于500的非电解镀层。

    压电/电致伸缩膜型元件的制造方法

    公开(公告)号:CN101796664B

    公开(公告)日:2013-03-13

    申请号:CN200980100318.4

    申请日:2009-03-05

    Abstract: 本发明提供一种压电/电致伸缩膜型元件的制造方法,该制造方法能够防止空腔的平面位置与构成由电极膜以及压电/电致伸缩体膜层叠所得振动层叠体的膜的平面位置的偏离。在制造具有基板以及由在基板的表面对应于所述空腔的平面位置而设置的由下部电极膜、压电/电致伸缩膜以及上部电极膜层叠得到的振动层叠体的压电/电致伸缩膜型元件时,以在空腔里填充有遮光剂的基板为掩模通过光刻法形成下部电极膜。其后,向着下部电极膜使压电/电致伸缩材料的粉末电泳来形成压电/电致伸缩体膜的同时,以压电/电致伸缩体膜为掩模通过光刻法形成上部电极。也可以以下部电极膜为掩模通过光刻法形成压电/电致伸缩体膜。

    流体特性测定装置及其再生方法

    公开(公告)号:CN101484790B

    公开(公告)日:2011-08-24

    申请号:CN200780025082.3

    申请日:2007-07-04

    Abstract: 本发明提供了一种压电/电致伸缩膜型传感器20,其具有陶瓷基体1和压电/电致伸缩元件12,所述陶瓷基体1具有薄隔膜部3和厚部2,由此形成空洞10,所述压电/电致伸缩元件12包含设置在该陶瓷基体1上的压电/电致伸缩体5和将该压电/电致伸缩体5夹持的上部电极6和下部电极4。该压电/电致伸缩膜型传感器20特征在于压电/电致伸缩体5含有碱金属或碱土金属,同时上部电极6和下部电极4含有金或铂,在使用场所的氛围气变化时,该传感器处理这种改变,至少可以防止可靠性低的测定的继续。

    压电/电致伸缩膜型传感器
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101484791A

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200780025092.7

    申请日:2007-07-04

    Abstract: 本发明提供一种压电/电致伸缩膜型传感器20,其中,压电/电致伸缩体5含有碱金属或碱土金属,同时,该压电/电致伸缩体5的表面附近含有硫化物和端子电极18、19的主成分。该压电/电致伸缩膜型传感器20中,耐受电压以上的高电压难以作用于压电/电致伸缩体5,因此,可防止介质击穿,并且,难以带上静电,因而,可防止静电破坏,不吸引尘埃、尘土等。

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