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公开(公告)号：JP5692085B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2011540496
申请日：2010-11-08
Applicant: 日本電気株式会社
CPC classification number: H01L45/1616 , H01C17/08 , H01C7/006 , H01C7/18 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/1675
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公开(公告)号：JP6662289B2
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：JP2016523124
申请日：2015-05-20
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/3065 , H01L21/8239
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公开(公告)号：JPWO2018003864A1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017023765
申请日：2017-06-28
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
Abstract: 整流素子を搭載した不揮発スイッチと、整流素子を搭載しない不揮発素子とが同一配線中に形成された半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置は、論理回路の信号経路中に設けられた第1のスイッチング素子及び第2のスイッチング素子を含み、上記第1のスイッチング素子は、整流素子と、抵抗変化素子とを有し、上記第2のスイッチング素子は、上記整流素子を持たず、抵抗変化素子を有し、上記第1のスイッチング素子と上記第2のスイッチング素子とが同一配線層中に形成されている。
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公开(公告)号：JP2018536327A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2018516872
申请日：2015-10-16
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H03K19/177
CPC classification number: H03K19/17756 , G06F15/7867 , G06F17/5054 , H03K19/173 , H03K19/17736 , H03K19/17748 , H03K19/1776
Abstract: 再構成可能回路が、第1および第2の配線と、異なる時間においてアクティブな2つ以上の経路とを含む。各経路は、第1の端子が第1の配線に接続された第1のNVRSと、ドレイン端子が第1のNVRSの第2の端子に接続された第1のトランジスタと、第1の端子が第1のNVRSの第2の端子に接続された第2のNVRSと、ソース端子が第2のNVRSの第2の端子に接続され、ドレイン端子が第2の配線に接続された第2のトランジスタと、出力が第1のトランジスタのゲート端子に接続された2入力AND回路とを含む。時間制御信号が、2入力AND回路の第1の入力および第2のトランジスタのゲート端子に供給される。書込み制御信号が、2入力AND回路の第2の入力に供給される。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6428860B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2017118654
申请日：2017-06-16
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/28 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1675
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公开(公告)号：JPWO2017051527A1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2016004240
申请日：2016-09-16
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/00 , H01L45/142 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L49/00
Abstract: 本発明は、プログラム電圧を低減しつつプログラム電圧および高抵抗状態のリーク電流のバラツキを低減した、金属析出型の抵抗変化素子を製造できるようにすることを目的とする。本発明の抵抗変化素子は、トランジスタの形成された半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に埋め込まれ、金属イオンを供給する第1と第2の電極と、前記第1の絶縁膜と前記第1と第2の電極とを覆う第2の絶縁膜と、前記第1と第2の電極の端部を含む上面の一部を、並進対称性を有して前記第2の絶縁膜から露出させる第1と第2の開口部と、前記第1と第2の開口部を各々覆い、前記開口部で前記第1と第2の電極の前記端部を含む前記上面の一部に接続する金属析出型の第1と第2の抵抗変化膜と、前記第1と第2の抵抗変化膜の上面に各々接続する第3と第4の電極と、前記第3と第4の電極とに接続し、前記トランジスタの拡散層に接続する第5の電極と、を有する。
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公开(公告)号：JP6299760B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2015523854
申请日：2014-06-17
Applicant: 日本電気株式会社
Inventor： 多田 宗弘
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0011 , G11C13/0016 , G11C13/0064 , G11C2013/0076 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
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公开(公告)号：JPWO2016157820A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017509253
申请日：2016-03-22
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: オン状態のリテンション性能の向上とオフ状態のリーク電流の低減を可能にしたスイッチング素子を提供する。本発明のスイッチング素子は、第1電極及び第2電極と、第1電極及び第2電極間に設けられた抵抗変化層と、を有し、抵抗変化層は第1電極と接する第1イオン伝導層と、第2電極と接する第2イオン伝導層とで構成され、第1電極は第1イオン伝導層に含まれる金属と同種の金属を含み、その金属は濃度が第1電極と第1イオン伝導層との界面から第1電極内の方向に小さくなるように分布している構成である。
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公开(公告)号：JP6233306B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2014521274
申请日：2013-06-03
Applicant: 日本電気株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L49/00 , H01L45/00 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/085 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1675
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