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公开(公告)号：JPWO2020262493A1
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020024910
申请日：2020-06-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F27/25 , H01F27/245 , H01F30/10 , H01F30/12 , H01F1/153
Abstract: 磁束密度1.45Tの条件における鉄損を低減するFe基アモルファス合金薄帯を提供する。本開示の一態様は、Fe基アモルファス合金薄帯である。Fe基アモルファス合金薄帯は、少なくとも一方面に、連続した線状のレーザ照射痕を複数有する。線状レーザ照射痕は、Fe基アモルファス合金薄帯の鋳造方向に直交する方向に沿って設けられる。線状レーザ照射痕は、表面にを有し、凹凸を鋳造方向に評価したとき、Fe基アモルファス合金薄帯の厚さ方向における最高点と最低点との差HLが0.25μm〜2.0μmである。
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公开(公告)号：JP2020202397A
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2020148684
申请日：2020-09-04
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 【課題】 角部での亀裂や割れ、欠け、バリを抑制した窒化珪素系セラミックス集合基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 矩形状の窒化珪素系セラミックス焼結基板から所定のサイズの窒化珪素系セラミックス集合基板を製造する方法において、前記窒化珪素系セラミックス焼結基板の外縁部に、前記窒化珪素系セラミックス集合基板の四辺に対応する、スクライブ孔からなる連続溝状の辺ブレークラインを形成するとともに、隣接する辺ブレークラインの交点近傍に前記隣接する辺ブレークラインの両方と交差するスリット状の角ブレークラインを形成し、窒化珪素系セラミックス焼結基板を辺ブレークラインに沿って折ることにより、窒化珪素系セラミックス集合基板と辺マージン部及び角マージン部とに分割し、前記窒化珪素系セラミックス集合基板に相当する部分の表面をクリーニングする方法。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP2016132008A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015008502
申请日：2015-01-20
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: B23K26/21
Abstract: 【課題】 端面が厚み方向に歪んだ金属箔であっても、端面同士を正確に突合せて溶接することが可能な、金属箔の突合せ溶接方法を提供する。 【解決手段】 一対の金属箔の端面同士の突合せにより突合せ線を形成し、前記一対の金属箔を定盤上にて保持する工程と、次いで、前記定盤を下敷きにして、前記突合せ線上に前記一対の金属箔に対してタック性を有する弾性体の一面を押付けて密着させる工程と、次いで、前記弾性体の一面の密着を維持したまま前記定盤から前記一対の金属箔を離し、前記弾性体と反対側から前記突合せ線にレーザを照射する工程と、を有する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：即使在金属箔的端面在厚度方向上变形的情况下，也可以提供能够使端面彼此精确对接和焊接的金属箔的对接焊接方法。解决方案： 金属箔包括：通过将一对金属箔的端面彼此对接并将一对金属箔保持在表面板上而形成对接线的工艺; 在衬垫所述表面板的同时，将所述一对金属箔具有粘性的弹性体的表面推压粘附在所述对接线上的随后过程; 以及随后从表面板释放一对金属箔的同时保持弹性体表面的粘附并将其从与弹性体相对的一侧施加到对接线的激光束的方法。图1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020157321A
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：JP2019056985
申请日：2019-03-25
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 【課題】径の異なる金属線の先端同士を接合する溶融接合において、細径の金属線の断線と、接合不良の発生を抑制することが可能な、溶融接合方法を提供する。 【解決手段】 第1の金属線の先端と第2の金属線の先端とを重ね合わせ、かつ、前記第2の金属線に金属板を接触させて配置し、前記第1の金属線に高エネルギー密度ビームを照射して前記第1の金属線の先端に溶融金属溜りを形成し、前記溶融金属溜りを凝固させ、前記第1の金属線と前記第2の金属線とを接合する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019061922A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017187625
申请日：2017-09-28
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 【課題】中空撚り線の中空部を形成するサイドダミー線の引抜きを容易にした、中空撚り線の製造方法を提供する。 【解決手段】 被覆線の端部近傍の外皮部分を、端部方向に移動させるセミストリップを行って、撚り線の一部を露出させるセミストリップ工程と、外皮部分を、セミストリップ工程と逆方向に移動させ、外皮部分の先端部から、センターダミー線を突出させると共に、露出させた撚り線の一部から、サイドダミー線の一部を突出させるダミー線突出工程と、突出させたセンターダミー線とサイドダミー線の夫々の一部を個々にクランプし、被覆線から引抜くダミー線引抜き工程と、を有する。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2017028192A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015147570
申请日：2015-07-27
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 【課題】角部に亀裂や欠けが生じることを抑制する窒化珪素セラミックス集合基板の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化珪素セラミックス集合基板12の周囲に耳部11を有する矩形の窒化珪素セラミックス焼結基板1から、回路基板を多数個取りするための回路形成部と縁部17とを有する窒化珪素セラミックス集合基板を製造するための窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法であって、前記窒化珪素セラミックス集合基板12と耳部11を分割するための、スクライブ孔形成工程と、貫通孔形成工程とを備え、前記スクライブ孔形成工程は、前記窒化珪素セラミックス焼結基板の外縁から内側の位置に前記外縁に沿ってスクライブ孔による辺ブレークライン13を形成し、前記貫通孔形成工程は、前記前記辺ブレークラインの交差する角部に前記辺ブレークラインと傾斜する方向に貫通孔による角ブレークライン14を形成する。 【選択図】図1
Abstract translation: 提供抑制氮化硅陶瓷集合基板开裂或碎裂发生在角部即的制造方法。 硅的氮化物陶瓷烧结基板1矩形用耳朵11上的氮化硅陶瓷集合基板12，氮化硅和电路形成部和对大量电路板件的端部17围绕 用于制造陶瓷集合基板，用于将所述氮化硅陶瓷集合基板12和耳部11的氮化硅陶瓷烧结基板的制造方法，以及划线孔形成步骤，通孔形成步骤 其中，所述的划线孔形成步骤中，从沿位置内部的外边缘烧结基板的氮化硅陶瓷的外边缘通过划线孔以形成侧断裂线13，通孔形成步骤，其中，所述边缘破 取决于哪个是倾斜于侧在该行的交点的或者支票角在所述通孔的方向形成的角度断裂线14。 1点域
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公开(公告)号：JP2020127019A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2020067084
申请日：2020-04-02
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: H01F27/245 , H01F27/25 , B23K26/354 , B23K26/00 , C22C45/02 , H01F1/153
Abstract: 【課題】変圧器の小型化に寄与するFe基アモルファス合金薄帯を提供する。 【解決手段】自由凝固面及びロール面を有するFe基アモルファス合金薄帯10であって、自由凝固面及びロール面の少なくとも一方面に、複数のレーザー照射痕14から構成されるレーザー照射痕列12を有するようにレーザー加工が施されており、周波数60Hz及び磁束密度1.45Tの条件における鉄損を0.050W/kg以上0.160W/kg以下とすると共に、周波数60Hz及び磁束密度1.45Tの条件における励磁電力を0.100VA/kg以上0.200VA/kg以下とする。 【選択図】図3
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