研磨组合物
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101496143B

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN200780027880.X

    申请日:2007-07-26

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02 C23F3/06 C23F11/149 H01L21/3212

    Abstract: 本发明提供一种同时具有高平坦性和布线金属的表面腐蚀降低作用的研磨组合物。此类研磨组合物含有下述物质:(A)氧化剂;(B)选自氨基酸、碳原子数为8以下的羧酸、和无机酸中的至少一种酸;(C)浓度为0.01质量%以上,并且烷基碳原子数为8个以上的磺酸;(D)浓度为0.001质量%以上,并且烷基碳原子数为8个以上的脂肪酸;和(E)选自吡啶羰基化合物、非离子性水溶性聚合物、2-吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、芦竹碱、腺嘌呤、N,N’-二异丙基乙二胺、N,N’-二(2-羟基乙基)乙二胺、N,N’-二苄基乙二胺、N,N’-二苯基乙二胺中的至少一种化合物。

    研磨组合物
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101496143A

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200780027880.X

    申请日:2007-07-26

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02 C23F3/06 C23F11/149 H01L21/3212

    Abstract: 本发明提供一种同时具有高平坦性和布线金属的表面腐蚀降低作用的研磨组合物。此类研磨组合物含有下述物质:(A)氧化剂;(B)选自氨基酸、碳原子数为8以下的羧酸、和无机酸中的至少一种酸;(C)浓度为0.01质量%以上,并且烷基碳原子数为8个以上的磺酸;(D)浓度为0.001质量%以上,并且烷基碳原子数为8个以上的脂肪酸;和(E)选自吡啶羰基化合物、非离子性水溶性聚合物、2-吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、芦竹碱、腺嘌呤、N,N’-二异丙基乙二胺、N,N’-二(2-羟基乙基)乙二胺、N,N’-二苄基乙二胺、N,N’-二苯基乙二胺中的至少一种化合物。

    用于抛光金属的组合物、金属层的抛光方法以及生产晶片的方法

    公开(公告)号:CN100393832C

    公开(公告)日:2008-06-11

    申请号:CN200380102127.4

    申请日:2003-10-31

    Abstract: 使用一种金属抛光组合物抛光金属层,所述金属抛光组合物包含在金属层表面聚合、在金属层表面形成聚合物膜的成膜化合物。金属层的抛光方法包括使用金属抛光组合物的金属层的抛光和平面化的步骤。晶片的生产方法,其中包括形成于含有凹槽的晶片顶部以填充和覆盖凹槽的金属层的抛光和平面化的步骤。根据该组合物和抛光方法,避免了凹陷以改善平面性,并且抛光金属层、特别是铜层的抛光速率得到了改善,从而使低压下的膏抛光速率成为可能,由于也防止了金属层的划伤,产能得到了提高。

    银纳米线墨和透明导电膜

    公开(公告)号:CN111770972A

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN201980015268.3

    申请日:2019-03-26

    Abstract: 本发明的课题在于提供可以得到具有良好导电性和优异耐迁移性的透明导电图案、可以以比较少的工序制造的银纳米线墨,和使用该银纳米线墨而成的透明导电膜。本发明涉及一种银纳米线墨,含有分子内具有脲键的分子量60~250的低分子量脲化合物、银纳米线、粘合剂树脂和分散介质。还涉及一种透明导电膜,是在透明基材上涂布上述银纳米线墨并干燥而得到的。

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