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公开(公告)号:CN1465078A
公开(公告)日:2003-12-31
申请号:CN02802420.6
申请日:2002-07-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01G9/15 , H01G9/012 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供高频特性优异、能够直接安装半导体元器件的固体电解电容器的制造方法。在铝箔20的单面形成抗蚀剂膜23之后,形成第一通孔24,然后在形成绝缘膜25将铝箔20的另一面及第一通孔内覆盖之后,除去抗蚀剂膜23,将铝箔20粗化之后形成电介质层27,在填入第一通孔24的绝缘膜25的内部形成第二通孔36,在该第二通孔内形成通孔电极28之后,在上述电介质层27的表面形成固体电解质层29,再形成集电体层30,然后在形成开口部分37之后,在该部分形成第一连接端31,在通孔电极28的露出面形成第二连接端32。
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公开(公告)号:CN202853668U
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201220241820.6
申请日:2012-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01F1/66
Abstract: 本实用新型的超声波传感器包括:有底筒状的壳体、设置于壳体底部内侧的压电体、设置于壳体底部外侧的匹配层、将壳体的开口封闭的且带有开口部的端子板、设置于端子板的开口部的绝缘部、由绝缘部支撑保持的第1电极端子、设置于第1电极端子和压电体之间的导电体、和安装于端子板的第2电极端子。其中,与第1电极端子连接地设有减振作用部。据此,通过减振作用部,可以抑制从压电体经由导电体传送至第1电极端子的混响。
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