公开(公告)号：CN1236452C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN01816271.1

申请日：2001-09-25

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 陈正 ,  加藤刚久 ,  维克拉姆·乔希 ,  林铬镐 ,  卡洛斯·A·帕兹德阿罗 ,  拉里·D·麦克米伦 ,  嵨田恭博 ,  大槻达男

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种铁电存储器(636)，包括一组存储器单元(645，12，201，301，401，501)，每个单元具有一铁电存储器元件(44，218)，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线(25，49，125)，(325，425，525)，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器(20，42，120，320，420)，在存储器单元及位元线之间，一设定开关(14，114，314，414，514)，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关(16，116，316，416，516)，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。

公开(公告)号：CN1229867C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN01115998.7

申请日：2001-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种半导体存储装置的驱动方法，所述半导体存储装置包括：强电介质电容器30、串联连接强电介质电容器30的读出FET10、以及并联连接强电介质电容器30的选择FET20。在将数据存入强电介质电容器30之后，消除在强电介质电容器30的上电极31和下电极32之间产生的感应电位差。当读出数据时，将读出电压外加到下电极和衬底之间，使利用相对较高的第1存入电压进行存入时的栅极电位，低于利用相对较低的第2存入电压进行存入时的栅极电位。提高具有利用强电介质膜极化偏位来存储多值数据的强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。

公开(公告)号：CN1181553C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN01118833.2

申请日：2001-06-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/78391

Abstract: 一种非易失性半导体存储装置，是将强电介质电容器用于控制场效应型晶体管栅电位的非易失性半导体存储装置。在硅衬底10上形成源极区域11以及漏极区域12，在硅衬底10的源极区域11和漏极区域12之间的区域上侧形成硅氧化膜14，在该硅氧化膜14上形成强电介质膜15，在该强电介质膜15上形成栅电极16。强电介质膜以及硅衬底为第1导电型；源极区域以及漏极区域为第2导电型。在强电介质膜上不易产生伴随泄漏电流的电荷损失，能长期保存数据。

公开(公告)号：CN1447433A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03107287.9

申请日：2003-03-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤刚久 ,  嶋田恭博 ,  山田隆善

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22 ,  G11C11/4063

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种半导体存储装置及其驱动方法，各存储器单元块(MC)具有：选择晶体管(Q)和铁电电容器(C)构成的多个存储器单元、选择晶体管(QREF)和铁电电容器(CREF)构成的参考数据存储存储器单元、读出晶体管(QR)、位线(BL)、子位线(SBL)、复位线(RST)。读出晶体管(QR)的栅极接子位线(SBL)的一端、漏极连接位线(BL)的一端、源极连接复位线RST的一端。相邻的存储器单元块(MC)的子位线(SBL)的其他端之间经子位线耦合晶体管(QS)互相连接。从而可以降低半导体存储装置的存储器单元面积。

公开(公告)号：CN1333563A

公开(公告)日：2002-01-30

申请号：CN01115998.7

申请日：2001-07-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嶋田恭博 ,  加藤刚久

IPC: H01L27/04 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 一种半导体存储装置的驱动方法,所述半导体存储装置包括:强电介质电容器30、串联连接强电介质电容器30的读出FET10、以及并联连接强电介质电容器30的选择FET20。在将数据存入强电介质电容器30之后,消除在强电介质电容器30的上电极31和下电极32之间产生的感应电位差。当读出数据时,将读出电压外加到下电极和衬底之间,使利用相对较高的第1存入电压进行存入时的栅极电位,低于利用相对较低的第2存入电压进行存入时的栅极电位。提高具有利用强电介质膜极化偏位来存储多值数据的强电介质电容器的半导体存储装置的保持特性。

公开(公告)号：CN103493202A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019936.8

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冲野彻 ,  森三佳 ,  广濑裕 ,  加藤刚久 ,  田中毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，具备：基板(30)、形成在基板(30)上的绝缘体层(31)、形成在绝缘体层(31)上的半导体层(32)、形成在半导体层(32)上的硅层(33)。硅层(33)具有多个像素部，该多个像素部各自具有：光电变换部(34)，其将光变换为信号电荷；和电路，其读出信号电荷。绝缘体层(31)的折射率比半导体层(32)的折射率小。

公开(公告)号：CN101516004B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200910007898.4

申请日：2009-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 春日繁孝 ,  加藤刚久 ,  村田隆彦 ,  山田隆善

IPC: H04N5/378 ,  H04N5/374

CPC classification number: H04N5/378 ,  H04N5/3742

Abstract: 本发明是一种固体摄像装置，不需要高速的时钟就可以高速地输出数字信号，其中包括：被排列为行列状的多个像素电路(11)，对接受的光进行光电转换；以及模数转换部(70)，将作为所述光电转换的结果的信号电压，转换为以多个位表示的数字信号；模数转换部(70)具有：基准电压生成部(40)，在所述信号电压能够变化的电压范围内，生成彼此互不相同的多个基准电压；最高有效位转换部(20)，在将各个基准电压作为基点的多个电压区间中，确定包含所述信号电压的电压区间，并将确定结果作为所述数字信号的最高有效位的值；以及最低有效位转换部(30)，将作为所述被确定的电压区间的基点的基准电压和所述信号电压之间的电压差，转换为所述数字信号的最低有效位。

公开(公告)号：CN102405522A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200980158826.8

申请日：2009-12-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中浩之 ,  金子幸広 ,  加藤刚久

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/28291 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/78391

Abstract: 一种半导体存储单元，具备栅极绝缘膜由铁电体膜(4)构成的MFSFET(21)所组成的存储元件、和栅极绝缘膜由顺电体膜(9)构成的MISFET(22)所组成的选择开关元件，铁电体膜(4)与顺电体膜(9)隔着非晶半导体膜(5)而层叠，在铁电体膜(4)侧，形成MFSFET(21)的第1栅电极(3)，在顺电体膜(9)侧，形成MISFET的第2栅电极(10)。非晶半导体膜(5)构成MFSFET(21)以及MISFET(22)的共用的沟道层，在非晶半导体膜(5)的主面上，形成MFSFET(21)以及MISFET(22)共用的源电极(6)以及漏电极(8)。

公开(公告)号：CN1329992C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN03148731.9

申请日：2003-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 嵨田恭博 ,  加藤刚久 ,  田中圭介 ,  上田大助

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55

Abstract: 一种存储装置，具有包含由在硅构成的衬底(10)上依次形成的下部电极(21)、铁电体膜(22)以及上部电极(23)所构成的电容(20)的存储单元。铁电体膜(22)，在下部电极(21)上选择性生长后形成。这样，由于在具有所希望的下部电极(21)上选择性地形成铁电体膜(22)，在铁电体膜(22)中不会有损伤部，可以实现存储单元的微细化。

公开(公告)号：CN1991798A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172858.1

申请日：2006-09-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩成俊一 ,  五宝靖 ,  加藤刚久

IPC: G06F12/12 ,  G11C7/10 ,  G11C11/22

CPC classification number: G06F12/123 ,  G06F2212/2022

Abstract: 一种半导体存储装置，包括：铁电存储器；SRAM 30；计数器41；CAM 10，其判断被请求从铁电存储器读出的数据块是否存储在SRAM 30中；存储控制单元51，如果判断结果为否定，则其执行控制以从铁电存储器读出所请求的数据块，并将读出的数据块的副本存储到与由计数器41所表示的计数值相对应的SRAM 30中的单元存储区域中；以及计数器控制单元52，其导致计数器41在每次判断结果为否定时更新计数值。