公开(公告)号：CN1497725A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310102465.X

申请日：2003-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 炭田昌哉 ,  崎山史朗 ,  木下雅善

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体集成电路装置，可控制MOSFET的衬底电压，以使MOSFET的亚阈值区域或饱和区域的某任意栅极电压值的漏极电流消除温度依存性、工艺偏差依存性，谋求动作稳定性的提高。其包括：集成电路主体(16A)；监视装置(15A)；衬底电压调节装置(14A)，其中，监视器装置(15A)包括：恒流源(12A)；和所述多个MOSFET在同一衬底上形成的监视用MOSFET(11A)，衬底电压调节装置(14A)包括：在接地电位上连接监视用MOSFET(11A)的漏极端子和集成电路主体(16A)的多个MOSFET的漏极端子的状态下将监视用MOSFET(11A)的源极电位和预先决定的基准电位比较的比较装置(13A)，将基于采用比较装置(13A)的比较结果输出的输出电压反馈到监视用MOSFET(11A)的衬底电压中。

公开(公告)号：CN1310862A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：CN00800979.1

申请日：2000-03-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 崎山史朗 ,  木下雅善 ,  梶原准 ,  山本裕雄 ,  里见胜治

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/11807 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0251

Abstract: 为了提供在标准单元方式的LSI设计中具有充分的抑制电源噪声的效果且可实现充分的电源稳定化的LSI配置方法,在标准单元的自动配置布线的LSI设计中,具备电源电容单元作为标准单元之一,关于电源电容单元,根据作为标准单元之一的各逻辑门单元的驱动负载电容值来确定电容值,配置在逻辑门单元的附近。

公开(公告)号：CN1272961A

公开(公告)日：2000-11-08

申请号：CN99801001.4

申请日：1999-02-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本明 ,  崎山史朗 ,  中平博幸 ,  木下雅善 ,  里见胜治 ,  梶原准 ,  山本真一

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F2217/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/11807 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/49171 ,  H02M3/1588 ,  H02M7/003 ,  Y02B70/1466

Abstract: 一种根据本发明的电源电路是形成于一半导体芯片上的电源电路,它包括:输出一电源电压的输出晶体管部分;和用来控制输出晶体管部分的控制电路。输出晶体管部分设置在半导体芯片的外部输入/输出端附近。