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公开(公告)号：CN1774958A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009784.9
申请日：2004-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/685 , H01L2924/0002 , Y02B40/143 , H01L2924/00
Abstract: 本发明构造了一种构成，使得旁路电阻器30与能够测量高频加热装置的单向电源部分1的输出电流的部分串联，并且在旁路电阻器30产生的电压被缓冲器31输出。而且，具有高输入阻抗的运算放大器3101被用于缓冲器31。而且，二极管电桥101和半导体开关元件205被固定到公共的热辐射板33，所述热辐射板33是使用锯齿状的部分33a形成的，以由此保证与二极管电桥101和半导体开关元件205的绝缘距离，并且旁路电阻器30被布置在与在二极管电桥101和半导体开关元件205之间的直线相同的直线上。
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公开(公告)号：CN103716931A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310454359.1
申请日：2013-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 本发明提供高频介质加热用电力控制装置，其为了防止对磁控管（12）和漏磁变压器（2）的二次侧整流电路施加过大的电压并且缩短直到磁控管开始振荡所需的时间而具有磁控管振荡检测部（54），该磁控管振荡检测部（54）在检测到磁控管开始振荡之后，在经过了预定时间后使得磁控管振荡检测信息（23）有效，该高频介质加热用电力控制装置具有如下结构：根据磁控管振荡检测信息，切换到对磁控管的施加电压进行控制的电压控制或者对逆变器电源电路的输入电流进行控制的功率控制，并且将开关频率的最低频率切换为第1频率（f1）或比第1频率高的第2频率（f11）。
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公开(公告)号：CN1806301B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200480016711.2
申请日：2004-06-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/666 , H01F5/02 , H01F27/06 , H01F27/40 , H01F2027/065 , H05K1/18 , H05K3/301 , H05K3/3447 , H05K2201/1003 , H05K2201/10424 , H05K2201/10515 , H05K2201/10651 , H05K2201/10757
Abstract: 本发明公开了一种变压器单元(1)，该变压器单元包含变压器，该变压器包括至少缠绕有初级绕组和次级绕组的线圈架(2)、插入该线圈架中心的芯部以及保持在线圈架(2)和/或变压器的外周区域中的电子部件(3)，该单元位于印刷电路板(4)上，电子部件(3)的导引终端(3a)由焊料(5)焊接于印刷电路板(4)，并且导引终端(3a)夹在形成于线圈架(2)的狭缝(2b)中并且固定地安装于此。在该结构中，在终端(3a)中形成有弯折部分(3b)，该部分防止线圈架(2)在夹住导引终端(3a)的同时沿导引终端(3a)的纵向方向滑动。
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公开(公告)号：CN100584130C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200580013283.2
申请日：2005-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/666
Abstract: 提供一种能够抑制在半导体开关元件中热量损耗和噪声的发生并且能够在限制条件下无故障地导通IGBT的反相器电路。一种谐振型高频加热装置包括：直流电源；由连接到所述直流电源的两个半导体开关元件构成的串联电路；包括连接到所述两个半导体开关元件之一的两端的泄露变压器的初级绕组和电容器的串联电路；以及驱动部件，用于分别驱动两个相应的半导体开关元件，其中驱动部件中包括可变空载时间形成电路，其对于小于预定值的频率，保持空载时间不变，而对于等于或大于预定频率的频率，迅速地增加空载时间。并且其中建立一种限制，以便在所述开关频率变得更高时在不加宽空载时间。
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公开(公告)号：CN100553385C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200580017673.7
申请日：2005-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/681 , H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 有可能提供能够通过添加简单电路来执行平稳启动的一种逆变器电路。提供了一种驱动磁电管的高频加热装置，其中直流电源由两个半导体开关元件截断并且经由谐振电路而被交流输出。该高频加热装置包含用于同时断开半导体元件的空载时间生成电路。用于驱动该半导体开关元件的驱动部件具有限制用于驱动该半导体开关元件的最低频率的功能。在该高频加热装置的操作开始时，将该最低频率设置为高，然后逐渐降低该最低频率的设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1951151A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580013752.0
申请日：2005-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/666 , H02M3/33569
Abstract: 一种在从启动状态变成稳定状态的时刻，可以抑制输入电流的过冲，因此可以防止IGBT和磁控管损坏的高频加热设备。该高频加热设备包含：控制信号形成电路，用于根据AC电源的输入电流与参考电流之间的差值形成控制信号；调频信号形成电路，用于利用来自控制信号形成电路的控制信号，校正通过整流AC电源获得的整流电压/整流电流；和停滞时间形成电路，用于接收来自调频信号形成电路的输出；其中，具有进一步降低控制信号的值的功能的控制信号转换电路连接在控制信号形成电路和调频信号形成电路之间。
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公开(公告)号：CN1947463A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013283.2
申请日：2005-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/68
CPC classification number: H05B6/666
Abstract: 提供一种能够抑制在半导体开关元件中热量损耗和噪声的发生并且能够在限制条件下无故障地导通IGBT的反相器电路。一种谐振型高频加热装置包括：直流电源；由连接到所述直流电源的两个半导体开关元件构成的串联电路；包括连接到所述两个半导体开关元件之一的两端的泄露变压器的初级绕组和电容器的串联电路；以及驱动部件，用于分别驱动两个相应的半导体开关元件，其中驱动部件中包括可变空载时间形成电路，其对于小于预定值的频率，保持空载时间不变，而对于等于或大于预定频率的频率，迅速地增加空载时间。并且其中建立一种限制，以便在所述开关频率变得更高时在不加宽空载时间。
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公开(公告)号：CN1774775A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480010377.X
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05B6/662 , H01F27/323 , H01F27/325 , H01F30/04 , H01F2038/003
Abstract: 一种用于驱动磁控管的升压变压器100包括：线轴11，在其上至少缠绕第一线圈13和次级线圈15；和插入到线轴的中心的铁芯19，其中次级线圈15的绕线区域在插入隔墙23的同时被分成两个区域，并且次级线圈15的导线材料的外部直径d和每个被分成的绕线区域的宽度t1被设置成满足关系t1＜11d。
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公开(公告)号：CN1561148A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410003259.8
申请日：2002-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/4006 , H01L23/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于装配在印刷电路板上的散热装置包括：一个印刷电路板；安装在上述的印刷电路板上的多个散热器；带非绝缘封装的功率半导体器件，装配在上述散热器上；和一个用于连接上述各个散热器的具有导热性的绝缘体。
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公开(公告)号：CN1171505C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN01802926.4
申请日：2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05B6/66
CPC classification number: H05B6/685 , Y02B40/143
Abstract: 本发明涉及一种磁控管驱动电流，其中将可以反向导通的第一和第二半导体开关元件的串联体并联，将第一和第二电容器并联到第一和第二二极管上，将商用电流和高压变压器初级线圈的串联电路连接在第一和第二半导体开关元件的前点与第一和第二二极管的前点之间，高压变压器次级线圈的输出通过一个高压整流电路激励一个磁控管。
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