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公开(公告)号：CN1979649A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610135901.7
申请日：2002-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/005
Abstract: 一种具有2个或更多信息层的光信息记录媒体，其特征在于：利用激光光束聚集于信息层，使信息信号被记录或再现；位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，并且0≤|Tc－Ta|/Tc≤0.1，其中Tc是在记录层是a状态时较近位置的信息层的透射率，Ta是在b状态时的透射率。不论在较近的信息层上是否记录过任何信息，本发明可能使信息精确地记录在较远信息层上和从该层再现出来。
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公开(公告)号：CN1954376A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200680000195.3
申请日：2006-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/547 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
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公开(公告)号：CN1287360C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN02147334.X
申请日：2002-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/007
Abstract: 一种具有2个或更多信息层的光信息记录媒体，其特征在于：利用激光光束聚集于信息层，使信息信号被记录或再现；位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，并且0≤|Tc-Ta|/Tc≤0.1其中Tc是记录层在结晶态时较近位置的信息层的透射率，Ta是记录层在非结晶态时的所述同一信息层的透射率。不论在较近的信息层上是否记录过任何信息，本发明可能使信息精确地记录在较远信息层上和从该层再现出来。
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公开(公告)号：CN1677525A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200510054377.6
申请日：2005-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00456 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种具有很高的用于记录信息的记录灵敏性和优异的重复重写性能的信息记录介质。该信息记录介质至少具有记录层和介电层，记录层在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化，介电层至少含有C、Si、Sn和O。一种替代方案是，该信息记录介质中包括至少两个信息层和一个介电层，至少一个信息层包括在应用激光束或电流时能够在晶相和非晶相之间变化的至少一个记录层，介电层至少含有C、Si、Sn和O。
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公开(公告)号：CN1428775A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157408.1
申请日：2002-12-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B7/24038 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供了记录层和介电体层之间即使不设界面层也能确保高可靠性、良好的反复改写性能的信息记录介质。在基板1的表面上形成记录层4和介电体层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在晶相和非晶相之间产生相转变，介电体层2和6是例如用式(ZrO2)M(Cr2O3)100－M(摩尔％)(式中M在20≤M≤80)表示的材料组成的Zr－Cr－O基材料层。
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公开(公告)号：CN109216550A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810584996.3
申请日：2018-06-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供可以具有高光电转换效率的太阳能电池以及太阳能电池模块。所述太阳能电池具有：第1电极；第1空穴传输层，其位于所述第1电极上且含有镍；无机材料层，其位于所述空穴传输层上且含有钛；光吸收层，其位于所述无机材料层上，与所述无机材料层接触并将光转换为电荷；以及第2电极，其位于所述光吸收层上且与所述第1电极相对置；其中，所述光吸收层含有在将A设定为1价阳离子、将M设定为2价阳离子、将X设定为1价阴离子时，用组成式AMX3表示的钙钛矿型化合物。
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公开(公告)号：CN1538424B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200410031796.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种多层信息记录介质，即使长期作档案记录后也具有良好的复制性能和良好的记录和重写性能及良好的重复重写性能。信息记录介质(22)至少有在结晶相和非晶相之间能够产生可逆相变的第一记录层(104)和第二记录层(204)，第一记录层(104)含有Ge、Te和Bi，而第二记录层(204)含有Sb和一种或多种选自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
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公开(公告)号：CN101678693A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019786.4
申请日：2008-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明公开一种信息记录介质(100)，能够利用光的照射或电能的施加而记录信息，其中，至少备有能够产生相变化的记录层(115)。记录层包含锑(Sb)、碳(C)、原子量小于33的轻元素(L)。优选为，轻元素(L)是从B、N、O、Mg、Al以及S中选择的至少一种元素。例如，记录层(115)由用式(1)所表示，且由x和y满足x+y≤50的材料构成，Sb 100-x-y C x L y (1)；其中，下标100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的组成比。
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公开(公告)号：CN100570722C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200680000195.3
申请日：2006-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/42 , C04B35/486 , C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/547 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种记录信息时的记录灵敏度高、且反复改写性能优越、信号保存性良好的信息记录介质。为此，在信息记录介质(15)中，至少具备一个具有发生相变的记录层(104)的信息层(16)，信息层(16)中的至少一个具有：与记录层(104)的一方的面接触、含有Cr和O的Cr含有层；和与上述记录层的另一方的面接触、含有In和O的In含有层。
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公开(公告)号：CN100470646C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410083508.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录媒体(15)，其特征在于包括：衬底(14)和设置在衬底(14)上的信息层(16)，上述信息层(16)包括：记录层(104)，其通过照射激光束或施加电能量，而能够在晶相和非晶相之间产生相变化；含Cr层(103或105)，其中至少含有Cr和O，该层布置成与上述记录层(104)的第1面相连接；以及含Ga层(105或103)，其中至少含有Ga和O，该层布置成与上述记录层的第2面相连接。
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