公开(公告)号：WO2007029655A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/JP2006/317474

申请日：2006-09-04

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  北岡康夫 ,  峯本尚 ,  川口靖利 ,  森勇介 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

Inventor： 北岡康夫 ,  峯本尚 ,  川口靖利 ,  森勇介 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403

Abstract: 　成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できる六方晶系窒化物単結晶の製造方法、それにより得られる六方晶系窒化物単結晶を提供する。 　液相成長によって平面状の種結晶基板の両面に同時に六方晶系窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。前記結晶成長は、窒素含有ガスの存在下、ガリウム、アルミニウム及びインジウムからなる群から選択される少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも一方のフラックスと、窒素とを含む融液を用い、前記種結晶基板の両面が融液と接触するように、前記種結晶基板を融液中に配置して行うことが好ましい。

Abstract translation: 可以在短时间内生长获得改善的生长速度的六方氮化物单晶和高质量的大晶体的方法; 和通过该方法获得的六方氮化物单晶。 该方法的特征在于通过液相外延在平面晶种衬底的每一侧同时生长六方晶氮化物单晶。 晶体生长优选在将晶种衬底设置在包括选自镓，铝和铟的至少一种III族元素的熔体中，同时将包含碱金属和碱土金属中的至少一种的焊剂， 和氮气，使得晶种基板的两侧与熔体接触。

公开(公告)号：WO2005064661A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：PCT/JP2004/019249

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  森勇介 ,  北岡康夫 ,  峯本尚 ,  木戸口勲 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

Inventor： 森勇介 ,  北岡康夫 ,  峯本尚 ,  木戸口勲 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625

Abstract: In an atmosphere containing nitrogen, a flux containing at least one group III element selected from Ga, Al and In and an alkali metal is caused to contain Mg, and a group III nitride crystal is grown in the resulting flux, thereby forming a group III nitride substrate. Since Mg is a p-type dopant material for the group III nitride crystal, the crystal can still exhibit p-type or semi-insulating electrical characteristics even when Mg is mixed into the crystal. Consequently, mixing of Mg causes no problem in application of the group III nitride crystal to an electronic device. By having the flux contain Mg, the amount of nitrogen dissolved in the flux is increased. Consequently, a crystal can be grown at a high growth rate, thereby improving reproducibility of crystal growth.

Abstract translation: 在含氮气氛中，含有选自Ga，Al，In中的至少一种III族元素的助熔剂和碱金属含有Mg，在所得助焊剂中生长III族氮化物晶体，形成III族 氮化物衬底。 由于Mg是用于III族氮化物晶体的p型掺杂剂材料，所以即使将Mg混入晶体中，晶体仍然可以呈现p型或半绝缘电特性。 因此，Mg的混合对于将III族氮化物晶体应用于电子器件没有问题。 通过使助熔剂含有Mg，溶解在助熔剂中的氮的量增加。 因此，可以以高生长速度生长晶体，从而提高晶体生长的再现性。