公开(公告)号：CN1305227A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00133102.7

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: H01L27/092 ,  G02F1/13

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度,即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内,源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1284742A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN99126726.5

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  石原浩朗

IPC: H01L21/324

CPC classification number: G02B27/09 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5813 ,  C23C16/56 ,  G02B27/0966 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种用于恢复经受结构损伤的硅之类的淀积半导体薄膜晶性的激光退火方法,所述方法包括通过用波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的脉冲式激光束照射在薄膜的表面上激活半导体的步骤,其中,所述淀积薄膜被涂敷透明薄膜,如氧化硅之类的薄膜,其厚度为3至300nm,所采用的入射到所述涂层的激光束的能量密度为E(MJ/cm2),并满足关系式:log10N≤－0.02(E－350),其中N是脉冲式激光束的发射数目。

公开(公告)号：CN1275813A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN98116321.1

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法,该方法包括:使非晶硅膜结晶化;在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质,粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层,以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火,以激活已掺入的杂质。按另一方案,可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

公开(公告)号：CN1267907A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN99124812.0

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治 ,  大谷久 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1267902A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN99124811.2

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治 ,  大谷久 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体,并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤,把催化剂元素添加到非晶硅膜中;在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1258102A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99120260.0

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定形硅薄膜上,在预定的外围电路部分的区域内引入镍,以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后,用掺杂法形成源、漏和沟道,用激光照射改善结晶。之后,形成电极/引线。因此,获得有源矩阵型液晶显示器,它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT),由结晶薄膜结构,其晶体在平行于载流子流的方向里生长,在图象元素部分里的TFTS由无定形硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1052571C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN94108851.0

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。

公开(公告)号：CN1052568C

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN93109877.7

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/70 ,  H01L27/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导体器件。

公开(公告)号：CN1248038A

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN99117970.6

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: G09F9/35 ,  G02F1/13 ,  H01L29/78 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件,例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层,以改善半导体涂层的结晶度。然后,除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层,随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件,例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后,再形成主要由氧化硅组成的第2涂层,其上可制作半导体器件。

公开(公告)号：CN1238553A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99106954.4

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  福永健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

Abstract: 制造高稳定性的和高可靠性的半导体的方法，包括：在非晶硅膜表面覆盖以含有能加速非晶硅膜晶化的催化元素的溶液，并在此之后对非晶硅膜热处理以使此膜晶化。