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公开(公告)号:CN102326122A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN201080008142.2
申请日:2010-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1343 , G02F1/139
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134363 , G02F2001/13793
Abstract: 目的在于提供一种使用呈现蓝相的液晶材料以便于实现较高对比度的液晶显示装置。在包括呈现蓝相的液晶层的液晶显示装置中,第一结构体和第二结构体分别设置在第一电极层(像素电极层)和第二电极层(公共电极层)上。第一结构体和第二结构体是绝缘体,其均具有比用于液晶层的液晶材料高的介电常数,并且被设置为凸出到液晶层中。
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公开(公告)号:CN101916826A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010251935.9
申请日:2004-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0024 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0041 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0093 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的一个目的在于提供用于制造便宜有机TFT的一种方法,而不依赖昂贵专用设备,也不使有机半导体暴露于大气中。此外,本发明另一目的在于提供一种在低温下制造有机TFT的方法,而不引起材料热分解的问题。鉴于上述问题,本发明的一个特征在于在有机半导体薄膜形成一层起保护膜作用的薄膜状保护层。该薄膜状保护层可通过用粘接剂等将其固定在薄膜状支撑体上的方法形成。
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