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公开(公告)号：CN101064347A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100942.7
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/7881
Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。
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公开(公告)号：CN100338523C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN03119961.5
申请日：2003-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/167 , G02B26/026 , G02F1/133305 , G02F1/1368 , G02F2001/1672 , G02F2001/1676 , G02F2001/1678 , G02F2201/123 , G09F9/372 , G09G3/344 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的目的是提供一种宜于大量生产，重量轻和可弯曲的显示器件。显示器件包括含有TFT的象素单元，TFT的有源层包括用于在绝缘层的开口部分内形成沟道部分的有机半导体材料，安排成与栅电极相符合。象素单元还包括形成在连接到TFT的电极上方的根据施加的电场改变反射率的对比介质；或者包括根据施加的电场改变反射率的含有带电粒子的一些微胶囊。象素单元由塑料衬底夹住，包括无机绝缘材料的阻挡层提供在塑料衬底和象素单元之间。
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公开(公告)号：CN1333296C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200410069448.5
申请日：1995-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , H01L21/84 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/136227 , H01L29/78636
Abstract: 本发明提供了一种卡型电子装置，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。
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公开(公告)号：CN1998086A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580003172.3
申请日：2005-01-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供用于以容易的工艺制造具有膜图案如绝缘膜、半导体膜或导电膜的衬底的方法，且进一步地，提供具有高生产量或者以低成本生产的半导体器件和电视机及其制造方法。本发明的一个特征在于通过微滴泄放方法形成第一膜图案，将光敏材料泄放或涂敷到第一膜图案上，通过用激光束照射第一膜图案和光敏材料交叠的区域并通过显影来形成掩模图案，和通过使用掩模图案作为掩模蚀刻第一膜图案来形成具有希望形状的第二膜图案。
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公开(公告)号：CN1938721A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009814.0
申请日：2005-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K17/00 , G06K19/07 , B42D15/10
CPC classification number: G06K19/072 , G06K7/0008 , G06K19/0723 , G06K19/07718 , G06K19/07749
Abstract: 本发明提供了一种安全性得到增强的薄半导体器件，例如防止伪造或信息泄漏。本发明的一项特征是其中安装有多个薄膜集成电路，并且至少一个集成电路在规格、布局、收发频率、存储器、通信方式、通信规则等任一方面不同于其他集成电路的薄半导体器件。根据本发明，具有多个薄膜集成电路的薄半导体器件标签与读写器通信，至少一个薄膜集成电路接收信号以向存储器中写入信息，被写入存储器的信息确定哪个薄膜集成电路进行通信。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1910598A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002953.0
申请日：2005-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/13
Abstract: 由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。
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公开(公告)号：CN1855396A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077222.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66757
Abstract: 在形成薄膜晶体管过程中，形成在质量上优于常规CVD方法形成的薄膜，并在不影响衬底的温度下使形成的薄膜在质量上等于或优于通过热氧化方法形成的薄膜。在玻璃衬底设置在大于或等于100摄氏度且低于玻璃衬底的应变点的温度条件下，至少对玻璃衬底、以预定图案形成的包含非晶硅的半导体薄膜、栅电极和从该栅电极引出的引线、将作为栅绝缘薄膜的绝缘薄膜以及保护薄膜其中之一执行低电子温度和高电子密度的等离子体氧化或等离子体氮化。
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公开(公告)号：CN1832169A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610058896.4
申请日：2006-03-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L21/84 , H01L23/49855 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/78621 , H01L29/78675 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01Q1/22 , H01Q1/2283 , H01Q9/0407 , H01Q9/27 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有高机械强度的无线芯片。而且，本发明还提供了一种能够防止电波被阻挡的无线芯片。在本发明的无线芯片中，通过各向异性导电粘合剂将具有形成在绝缘衬底上的薄膜晶体管的层固定到天线，并将薄膜晶体管连接到天线。天线具有介电层、第一导电层、和第二导电层；第一导电层与第二导电层之间是介电层；第一导电层用作发射电极；第二电极用作接地体。
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公开(公告)号：CN1269227C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN00129082.7
申请日：2000-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L27/3244 , H01L51/524 , H01L51/5259 , H01L51/5275 , H01L51/5281 , H01L2251/5315 , H05B33/04
Abstract: 一种有源矩阵型有机EL显示器件，其中形成于单晶半导体衬底上的绝缘栅场效应晶体管被一个有机EL层覆盖；其特征在于单晶半导体衬底(图4中的413)夹持在一个由用一种绝缘材料形成的一个基板(401)和一个盖板(405)以及一种用于将基板和盖板粘合在一起的封装材料(404)确定的空余空间(414)中，而且该空余空间(414)中充有一种不活泼气体和一种干燥剂，从而防止有机EL层的氧化。
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公开(公告)号：CN1553270A
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN200410069448.5
申请日：1995-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/133305 , G02F1/136227 , H01L29/78636
Abstract: 本发明提供了一种卡型电子装置，包括：一个薄的或柔性的衬底；形成在所述衬底上的薄膜晶体管，一个树脂层位于所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述薄膜晶体管具有含硅的沟道形成区；和覆盖所述薄膜晶体管的含树脂的层。
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