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公开(公告)号：CN117796175A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055284.7
申请日：2022-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光电转换器件。本发明是一种包括第一电极(551S)、第二电极(552S)及单元(103S)的光电转换器件(550S)，其中单元(103S)被夹在第一电极(551S)与第二电极(552S)之间，单元(103S)包括第一层(113)及第二层(114S)，第一层被夹在第二电极(552S)与第二层(114S)之间。第一层(113)包含第一有机化合物ETM，第一有机化合物ETM具有电子传输性，第一有机化合物ETM的LUMO能级为第一能级LUMO1。此外，第二层(114S)包含第二有机化合物CTM，第二有机化合物CTM在室温下发射延迟荧光，第二有机化合物CTM的LUMO能级为第二能级LUMO2。第二能级LUMO2与第一能级LUMO1之差为1.0eV以下。
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公开(公告)号：CN115700042A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180038901.8
申请日：2021-05-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/11 , G09G3/20 , G09G3/3208 , G09F9/00 , H01L27/146 , H10K59/10 , H04N25/77 , H04N25/76 , H04N25/779 , G06F3/041 , H05B33/14
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的光功能器件。该光功能器件包括发光功能、光电转换功能、第一电极、第二电极以及光功能层，发光功能将电能转换为第一光，第一光具有第一发射光谱，第一发射光谱在第一波长示出最大峰值，第一发射光谱在第二波长具有最大峰值的80％的强度。另外，光电转换功能具有分光灵敏度特性，分光灵敏度特性在第三波长示出420nm以上且720nm以下的范围内的最大灵敏度，分光灵敏度特性在第四波长具有最大灵敏度的80％的灵敏度。第三波长比第一波长靠近第二波长一侧，第四波长比第三波长靠近第一波长一侧。
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公开(公告)号：CN114556584A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080072002.5
申请日：2020-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有高灵敏度的光电转换功能的显示装置。提高显示装置的光提取效率。本发明的一个方式是一种包括发光器件、受发光器件、第一透镜及第二透镜的显示装置。发光器件具有发射第一颜色的光的功能。受发光器件具有发射第二颜色的光的功能以及接收第一颜色的光而将其转换为电信号的功能。发光器件所发射的光通过第一透镜发射到显示装置的外部。光从显示装置的外部通过第二透镜入射到受发光器件。
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公开(公告)号：CN114365474A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202080063748.X
申请日：2020-09-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种轻量且薄型的摄像装置。提供一种方便性高的摄像装置。本发明的一个方式是一种包括摄像部、存储器及运算电路的摄像装置。摄像部包括受光器件、第一发光器件及第二发光器件。第一发光器件具有发射与第二发光器件不同的波长区域的光的功能。摄像部具有使第一发光器件发光而取得第一图像数据的功能。摄像部具有使第二发光器件发光而取得第二图像数据的功能。存储器具有保持第一基准数据及第二基准数据的功能。运算电路具有通过使用第一基准数据校正第一图像数据，算出第一校正图像数据的功能。运算电路具有通过使用第二基准数据校正第二图像数据，算出第二校正图像数据的功能。运算电路具有通过合并第一校正图像数据和第二校正图像数据，生成合成图像数据的功能。受光器件包括第一像素电极，并且，第一发光器件包括位于与第一像素电极同一面上的第二像素电极。
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公开(公告)号：CN114207830A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056271.2
申请日：2020-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种兼具触摸传感器的功能及指纹识别的功能的显示装置。显示装置包括第一显示区域及第二显示区域。第一显示区域与第二显示区域接触地设置。第一显示区域包括多个第一发光元件及多个第一受光元件。第二显示区域包括多个第二发光元件及多个第二受光元件。第一受光元件具有接收第一发光元件所发射的第一光的功能。第二受光元件具有接收第二发光元件所发射的第二光的功能。第一发光元件和第一受光元件各自以矩阵状配置在第一显示区域中。第二发光元件和第二受光元件各自以矩阵状配置在第二显示区域中。第二受光元件以其密度比第一受光元件高的方式配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114026696A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202080046346.9
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供一种具有光检测功能的显示装置。该显示装置包括第一像素电路及第二像素电路，第一像素电路包括受光器件、第一晶体管以及第二晶体管，第二像素电路包括发光器件，受光器件包括第一像素电极、活性层以及公共电极，发光器件包括第二像素电极、发光层以及公共电极，活性层位于第一像素电极上并包含第一有机化合物，发光层位于第二像素电极上并包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物，公共电极包括隔着活性层与第一像素电极重叠的部分及隔着发光层与第二像素电极重叠的部分，第一晶体管在半导体层中含有低温多晶硅，并且第二晶体管在半导体层中含有金属氧化物。
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公开(公告)号：CN113302745A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202080009798.X
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/02 , H01L51/42 , H01L31/10 , H01L31/12 , H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/22 , G02B5/20 , G09F9/30 , G09F9/33 , H01L27/146 , H01L27/32
Abstract: 提供一种具有光检测功能的显示装置。提供一种方便性高的显示装置。本发明的一个方式是一种在显示部包括受光元件、第一发光元件及第二发光元件的显示装置。受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极。第一发光元件包括第二像素电极、第一发光层及公共电极。第二发光元件包括第三像素电极、第二发光层及公共电极。活性层包括有机化合物。活性层位于第一像素电极与公共电极间。第一发光层位于第二像素电极与公共电极间。第二发光层位于第三像素电极与公共电极间。第一发光层还位于第一像素电极与公共电极间和第三像素电极与公共电极间中的一方或双方。
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公开(公告)号：CN112673488B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980059134.1
申请日：2019-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/121 , G09F9/30 , H05B33/02 , H05B33/12 , H05B33/22 , H10K50/11 , H10K50/84 , H10K59/80 , H10K50/85 , H10K50/805
Abstract: 提供一种具有光检测功能的显示装置。提供一种方便性高的显示装置。显示装置包括含有受光元件及发光元件的显示部。受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极。发光元件包括第二像素电极、发光层及公共电极。活性层位于第一像素电极上。活性层包含第一有机化合物。发光层位于第二像素电极上。发光层包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。公共电极包括隔着活性层与第一像素电极重叠的部分及隔着发光层与第二像素电极重叠的部分。显示装置优选还包括位于第一像素电极上及第二像素电极上的公共层。公共层包括与活性层重叠的部分及与发光层重叠的部分。
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公开(公告)号：CN117694032A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202280048401.7
申请日：2022-06-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K30/60 , H10K50/10 , H10K39/32 , H10K39/34 , H10K101/30 , H10K101/40
Abstract: 提供一种新颖受光器件。提供一种受光器件，该受光器件包括一对电极间的受光层，受光层包括活性层，活性层包含第一有机化合物以及第二有机化合物，第一有机化合物的吸收光谱具有一个或多个峰，该峰中的至少一个峰波长为400nm以上且700nm以下，并且，第二有机化合物的HOMO能级比上述第一有机化合物的HOMO能级高。第一有机化合物的HOMO能级与上述第二有机化合物的HOMO能级之差优选为0.2eV以上且1.5eV以下，更优选为0.4eV以上且1.5eV以下。
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公开(公告)号：CN116981268A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310449502.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K30/00 , H10K59/10 , H10K101/30
Abstract: 本发明提供一种驱动电压的上升得到抑制的光电转换器件。另外，提供一种功耗上升得到抑制的受发光装置。本发明提供一种光电转换装置，该光电转换装置包括第一电极、第二电极和有机化合物层，其中所述有机化合物层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述有机化合物层包括第一层，所述第一层与所述第二电极间包括具有凸状的结构体，该结构体包括第一有机化合物。
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