公开(公告)号：JP6846468B2

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：JP2019125276

申请日：2019-07-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  三宅 博之 ,  津吹 将志 ,  野田 耕生

IPC: G09G3/20 ,  H01L29/786 ,  G09G3/36

公开(公告)号：JP6823694B2

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：JP2019139679

申请日：2019-07-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  G09G3/20 ,  G09G3/34 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3275 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6817378B2

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：JP2019121641

申请日：2019-06-28

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  三宅 博之

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

公开(公告)号：JP6804592B2

公开(公告)日：2020-12-23

申请号：JP2019116150

申请日：2019-06-24

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50 ,  G09G3/36

公开(公告)号：JP6802336B2

公开(公告)日：2020-12-16

申请号：JP2019156482

申请日：2019-08-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  津吹 将志 ,  野田 耕生

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02B5/20 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30

公开(公告)号：JP2020198457A

公开(公告)日：2020-12-10

申请号：JP2020153668

申请日：2020-09-14

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 加藤 清 ,  小山 潤

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】無線通信機能を有する半導体装置を低消費電力化又は長寿命化すること。 【解決手段】当該半導体装置は、電力供給源となる電池と、特定の回路とがチャネル形成 領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを介して電気的に接続することによ って解決することができる。当該酸化物半導体の水素濃度は、5×10 19 (atoms /cm 3 )以下である。そのため、当該トランジスタのリーク電流を低減することができ る。その結果、当該半導体装置の待機時の消費電力を低減することができる。また、これ により当該半導体装置を長寿命化することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020191481A

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：JP2020143225

申请日：2020-08-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  加藤 清

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1156

Abstract: 【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート 電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第 2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジ スタと、を有し、第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトラ ンジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2020188277A

公开(公告)日：2020-11-19

申请号：JP2020126286

申请日：2020-07-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  荒澤 亮 ,  小山 潤 ,  津吹 将志 ,  野田 耕生

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】表示部に複数の画素100を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させる。画素は、ゲート絶縁膜113に酸化物半導体層103を具備する。酸化物半導体層は、キャリア濃度が1×10 14 /cm 3 未満である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6784865B1

公开(公告)日：2020-11-11

申请号：JP2020132895

申请日：2020-08-05

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 井上 聖子 ,  三宅 博之 ,  小山 潤

IPC: G09G3/3233 ,  G09F9/30

Abstract: 【課題】しきい値補正ができ、回路構成の簡単なアクティブマトリクス型表示装置を提供 する。 【解決手段】図1に示す回路において、図3に示すタイミングチャートにしたがって第1 ゲート信号線101と第2ゲート信号線102にパルスを入力し、回路のトランジスタの オンオフをおこなう。その結果、第3のノードN3と第2のノードN2の電位差が第4ト ランジスタ112のしきい値によらず、データ線103の電位V Data と第2配線10 5の電位V 2 によってのみ決定されるため、表示素子107に目的とする電流を流すこと ができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6764984B2

公开(公告)日：2020-10-07

申请号：JP2019144460

申请日：2019-08-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 加藤 清 ,  小山 潤

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786