シリカガラスルツボの評価方法、シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法

    公开(公告)号:JP2019119618A

    公开(公告)日:2019-07-22

    申请号:JP2017253106

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのガラス構造を非破壊で測定して、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボを高精度に見極めること。 【解決手段】本発明は、シリコン単結晶の引き上げを行った後、内表面側に設けられ、鉱化剤によってシリカガラスが結晶化された結晶層と、結晶層と接する非結晶層とが形成されるシリカガラスルツボの評価方法であって、記結晶層の表面のラマンスペクトルである第1ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における結晶層側のラマンスペクトルである第2ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における非結晶層側のラマンスペクトルである第3ラマンスペクトルを取得する工程と、第1ラマンスペクトル、第2ラマンスペクトルおよび第3ラマンスペクトルに基づきシリカガラスルツボの良否を判定する工程と、を備える。 【選択図】図9

    シリカガラスルツボの製造方法
    29.
    发明专利
    シリカガラスルツボの製造方法 有权
    用于制造石英玻璃坩埚的方法

    公开(公告)号:JP2017036207A

    公开(公告)日:2017-02-16

    申请号:JP2016163595

    申请日:2016-08-24

    Abstract: 【課題】非破壊的にルツボの形状を測定して品質検査を行うシリカガラスルツボの製造方法の提供。 【解決手段】回転モールド法により形成したシリカガラスルツボ11の内表面に沿って非接触で内部測距部17を移動させ、内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して2つのピークが観測されるように内部測距部17と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって内表面距離を測定し、外表面側のピークの位置によって界面距離を測定し、各測定点の三次元座標と、内表面距離及び界面距離を関連付けることによって内表面及び界面の三次元形状を求め、前記三次元形状に基づいてシリカガラスルツボ11の品質検査を行い、品質検査で、三次元形状が規定の範囲外である場合には、シリカガラスルツボ11の形状の修正を行う、シリカガラスルツボ11の製造方法。 【選択図】図1

    Abstract translation: 的非破坏性的提供用于通过测量所述坩埚的形状质量检验的二氧化硅玻璃坩埚的方法。 甲沿着由旋转模具法以非接触而形成的石英玻璃坩埚11中,用激光照射在倾斜方向相对于所述内表面,所述激光束的反射的内表面移动所述内部距离测量单元17 通过改变距离和所述发射方向与所述内表面的所述激光束的内部距离测量单元17,通过激光位移计测得的光的两个峰值被观察到的,这两个峰的内表面侧 由峰值的位置测得的内表面的距离,所述界面的距离由外表面的峰的位置来确定,立方内表面和界面,并且每个测量点的三维坐标,通过关联的内表面的距离与界面的距离 获得原始的形状,所述三维形状的基础上进行坩埚内的石英玻璃的质量检验11,质量检验,如果三维形状是在指定范围之外,校正所述石英玻璃坩埚11的形状 ,二氧化硅 一种制造Rasurutsubo 11的方法。 点域1

    シリコン単結晶の製造方法
    30.
    发明专利
    シリコン単結晶の製造方法 有权
    用于制造硅单晶的方法

    公开(公告)号:JP2017024980A

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:JP2016145198

    申请日:2016-07-25

    Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのコーナー部においてもシリコン単結晶の引き上げを適切に行うことが可能なシリコン単結晶の製造方法の提供。 【解決手段】シリカガラスルツボ11の内表面に沿って非接触で内部測距部を移動させ、複数の測定点において、内部測距部からシリカガラスルツボ11の内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して2つのピークが観測されるように内部測距部と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって、内部測距部と内表面の間の内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と内表面距離を関連付けることによって予め求めておいたシリカガラスルツボ内表面の三次元形状分布から、コーナー部11bでの液面23aの下降速度を高精度に予測し、その予測内容に基づいてシリコン単結晶の引き上げ速度などの引き上げ条件を決定する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 到用于拉动正确提供一种制造方法进行它是硅单晶的可能硅单晶即使在石英玻璃坩埚的角部。 距离测量单元,内部倾斜地从内部测距单元移动,而不沿着所述石英玻璃坩埚11的内表面接触,在多个测量点,激光对石英玻璃坩埚11的内表面 照射光,通过改变距离的发射方向和内部距离测量单元和所述内表面之间的激光束,使得用激光位移计测得的激光束的反射光的两个峰值被观察到,这两个 峰的内表面侧的峰值的位置,由三维坐标和每个测量点的内表面的距离相关联的所测量的内部距离测量单元和内部表面,预先求出之间内表面的距离 从石英玻璃坩埚内表面的三维形状的分布,它预测精度高的角部11b的液面23a的下降速度,以确定所述提拉条件如拉基于预测内容硅单晶的速度。 点域1

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