一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN105734335B

    公开(公告)日:2018-01-30

    申请号:CN201610145387.9

    申请日:2016-03-15

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法,属于纳米多孔金属薄膜材料的制备技术领域。本发明的铜基纳米多孔薄膜,呈多层结构,单层厚度200‑400nm(约为250 nm),中间层多孔孔径约为10‑25nm,最外两层的多孔孔径为175‑290 nm。上述铜基纳米多孔薄膜,是以各元素原子百分含量为:镁60‑30%、铜35–45%、钕25–5%的镁‑铜‑钕非晶合金为前驱体,通过化学脱合金法脱除镁、钕而成。其完整性强、纳米孔均匀连通并且尺寸可控、具有较高的比表面积、化学性质稳定的纯净的呈多层结构且层与层之间容易剥离。本发明的制备方法:工艺简单、绿色无污染、成本低廉、生产效率高,适合批量化生产。

    一种耐电弧烧蚀铜基电接触复合材料

    公开(公告)号:CN104282448B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201310346481.7

    申请日:2013-08-11

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种耐电弧烧蚀铜基电接触复合材料,特别涉及一种添加适量氧化钇制备耐电弧烧蚀铜基电接触材料的方法,主要用于中低负载的电源开关,继电器,接触器,起动器等电器装置中。本发明的低压电器用铜基电接触复合材料是由以下重量配比的材料组成:0.5‑6%锌,0.5‑2.5%氧化钇,0.04‑1%富铈混合稀土,0.5‑5%碳化硼,其余为铜粉及其它不可避免的杂质。本发明材料通过配料、粉末混合、压制成型、预烧、氩气保护烧结的制备而成。本发明的新型铜基复合材料的导电导热性、抗熔焊性、抗电弧烧蚀及摩擦性能可与银基相媲美,能满足电触头等制件对材料的基本要求,并具有突出的抗电弧烧蚀性能。

    一种铜-铪-磷中间合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN104651651B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201510101747.0

    申请日:2015-03-09

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种铜?铪?磷中间合金及其制备方法,属金属材料的合金制备技术领域。本发明的铜?铪?磷中间合金,其中,铪:8.95– 16.0%,磷:1.47–8.0%,铜:余量;磷以磷化铪和铜三磷的形式存在,磷化物性质稳定且磷的含量可高达8.0%。本发明的铜?铪?磷中间合金可将A390合金内初晶硅相由100μm细化至20μm以下。通过将本发明的中间合金的加入到铝?硅合金内,引入合金化元素铪,同步实现细化、合金化过程;向铝合金中引入铪元素,显著提高了合金的力学性能,特别是高温力学性能。本发明的制备方法工艺简单、绿色无污染,通过原料、工艺条件的搭配,可得到含磷量高达8.0%的铜?铪?磷中间合金。

    一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺

    公开(公告)号:CN105679928A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610058234.0

    申请日:2016-01-28

    Applicant: 济南大学

    CPC classification number: H01L35/04 H01L35/34

    Abstract: 本发明涉及一种适用于p型Cu2SnSe3基热电材料相匹配的合金电极及该Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺,该合金电极为Ti-Ni合金,不仅电导率和热导率高,本发明提供的Ti-Ni合金与Cu2SnSe3基热电材料具有非常接近的热膨胀系数。Cu2SnSe3基热电元件的制备是利用快速热压烧结 (RHPS)技术直接将Cu2SnSe3基热电材料于Ti-Ni合金电极烧制而成,不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定,且Cu2SnSe3/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单,非常适用于Cu2SnSe3基热电发电器件的制备,可用于大批量生产制备。

    一种石墨烯/Cu2AX3型热电复合材料及制备方法

    公开(公告)号:CN104046876B

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201410264951.X

    申请日:2014-06-16

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/Cu2AX3型热电复合材料及制备方法,所述材料的化学通式为石墨烯/Cu2AX3,其中复合相为石墨烯,石墨烯的含量为0.5-5%,基体为类金刚石结构的Cu2AX3热电材料,A为Sn或Ge,X为Se或Te。本发明的制备方法包括原料配制、机械合金化和放电等离子烧结等步骤,发明制备工艺简单,重复性好,可大批量生产,产业化前景良好,制备的p型石墨烯/Cu2AX3型热电复合材料具有优良的热电性能。

    一种过渡金属磷化物Co2P的制备方法

    公开(公告)号:CN104118852B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201410383096.4

    申请日:2014-08-06

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种过渡金属磷化物Co2P的制备方法,属于过渡金属磷化物合成技术领域。本发明的制备方法,以铜–磷合金作为磷源、以铜–钴合金或钴作为钴源,先将钴源和磷源用真空电弧熔炼炉熔炼成金属锭;然后将金属锭用氯化铁溶液处理至无气泡溢出,即可得Co2P。本发明的磷源无毒、性质稳定、低廉,容易与钴源熔融;充分熔融所需要时间短;熔融过程稳定、易控、安全。用真空电弧熔炼炉进行熔炼,通过调整频率即可控制温度,使熔融过程可调易控,同时保证产率达98.7-100%;采用氯化铁溶液进行处理,使产品纯度高达99.3-100%,且同时保证Co2P为多孔结构,孔多、小且均匀,比表面积大、活性高。

    一种宽温域热电元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN102956808B

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:CN201210423399.5

    申请日:2012-10-30

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明涉及一种宽温域热电元件,包括以连接层连接的高温段和低温段,连接层的材料为Cu、Nb或Mo中的一种;高温段的材料为CoSb3基化合物或Zn-Sb基化合物;所述低温段的材料为Bi-Te基化合物,同时本发明还提供了一种宽温域热电元件的制备方法,改方法通过放电等离子烧结技术把高温段、连接层和低温段连接起来。本发明提供的宽温域热电元件的结合强度大,温度区间大,且界面无明显扩散现象。

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