公开(公告)号：CN110690321B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910899143.3

申请日：2019-09-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  刘芬 ,  林延凌 ,  季凤岐 ,  岳炳臣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/58 ,  C23C14/28 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明公开了一种全氧化物铁电光电二极管及其制备方法，其包括基底，所述基底上覆有LSMO层，所述LSMO层上覆有BFCO层，所述BFCO层上覆有ITO层。其中，所述LSMO层为外延生长的La0.7Sr0.3MnO3薄膜，所述BFCO层为外延生长的BiFe0.7Co0.3O3‑δ薄膜。本发明利用铁电极化与电极之间肖特基结区势垒的耦合作用，促进器件中光生电子空穴对的分离和高效收集，增强了光电流响应和铁电极化对二极管电流的调制性，兼具了铁电性和半导性的优点，具有大的光电流响应，且具有很好的极化可调性。

公开(公告)号：CN110634974A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910899163.0

申请日：2019-09-23

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  刘芬 ,  林延凌 ,  季凤岐 ,  岳炳臣

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  C01G49/00

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFO层，所述BFO层上覆有ITO层；所述BFO层为外延生长的BiFeO3-δ薄膜。本发明巧妙地利用氧空位掺杂增加铁电层的吸光效率，利用上下电极功函差引起的内建电势协同铁电退极化场，有效地促进了光生电子空穴对的分离，提高了器件的光电转换性能。

公开(公告)号：CN107055610B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201710397769.5

申请日：2017-05-31

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  谢慧婷 ,  牛静 ,  刘芬 ,  郝雪红 ,  于滨

IPC: C01G29/00

Abstract: 本发明公开了一种制备均匀纳米微球Na0.5Bi0.5TiO3晶体的方法，本发明所述方法以金属盐为原料，加入有机溶剂制得混合溶液，再加入碱性水溶液制备钛和铋的羟基氧化物沉淀作为反应物，加入适宜的氢氧化钠水溶液制得浆液，提供Na源并促进晶化，于175~185℃下保温23‑25h，水热反应得到钛酸铋钠纳米级均匀微球，其典型特征尺度球体直径约为100‑150nm。本发明实现了钛酸铋钠纳米微球的合成，微球呈完美球形分布且均匀程度极高，球体半径容易控制，且工艺过程实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，污染小，易于实现规模化生产。该产品可用于制备高性能压电铁电陶瓷，在探测器、换能器、电光器件、光伏器件、机电耦合器件等领域前景无限。

公开(公告)号：CN104045335B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201410309940.9

申请日：2014-07-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  刘芬 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种择优取向生长的Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的制备方法，包括以下步骤：以(111)Pt/Ti/SiO2/Si为衬底，在衬底上先采用溶胶凝胶法沉积CoFe2O4薄膜作为种子层，然后在种子层上再采用溶胶凝胶法沉积Bi5Ti3FeO15薄膜，所得Bi5Ti3FeO15薄膜在c轴择优取向生长。本发明采用溶胶-凝胶法，在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上实现层状钙钛矿型Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的择优取向生长。该方法所制备的薄膜性能优异，用X射线定量估算c轴择优取向薄膜的择优取向度高达90%，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

公开(公告)号：CN103325942B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310254038.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  胡广达 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  吴海涛

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种铁电隧道结器件，包括依次堆叠的一层N型半导体薄膜、一层铁电薄膜和一层P型半导体薄膜；其中N型半导体薄膜上连接有第一电极，而在P型半导体薄膜上连接有第二电极，并且第一电极和第二电极为同样的半导体材料基于不同的掺杂而形成，其中第一电极为P型半导体电极，第二电极为N型半导体电极。依据本发明克服现有FTJ器件由于金属电极中屏蔽长度短的限制，实现大的开关比和长久的保持性。

公开(公告)号：CN104129981A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201410393881.8

申请日：2014-08-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨锋 ,  张福威 ,  董翠芳 ,  杨长红 ,  胡广达 ,  宗志豪

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种制备Bi5Ti3Fe0.5Co0.5O15多铁性薄膜的方法，步骤包括：配制浓度为0.05mol/L~0.2mol/L的前驱体溶液；将前驱体溶液涂在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上，以3500-5500rpm的速度甩膜，沉积厚度为40-60nm的单层薄膜；对单层薄膜进行热处理，然后重复甩膜、热处理步骤，直至得到厚度300~500nm的多铁性薄膜。本发明方法实施很方便，对实验设备要求不高，成本低，所得薄膜晶粒尺寸大，具有优良的介电、电学和磁学性能，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。

公开(公告)号：CN102775141A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210290899.6

申请日：2012-08-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 吴海涛 ,  杨长红 ,  武卫兵 ,  胡广达 ,  杨锋 ,  岳云龙

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明的技术方案为：利用湿化学法精细合成三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Nb离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Nb2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度并具有高比表面能，呈现出较高活性等显著优势，能够实现低温烧结，并保持其良好微波介电性能，满足LTCC应用需求。

公开(公告)号：CN102244192A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110123826.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  芦泽宇 ,  杨锋 ,  胡广达

IPC: H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  C01G23/00 ,  C01G49/00

Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋钠基和铁酸铋基的复合固溶体薄膜及其制备方法，该薄膜以通式(1-x)Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3-xBiFe0.97Mn0.03O3表示，所述钛酸铋钠基为Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3，所述铁酸铋基为BiFe0.97Mn0.03O3；其中，x为BiFe0.97Mn0.03O3的摩尔含量，0