一种基于多段颗粒填充床的热储能方法及系统

    公开(公告)号:CN119374398A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411772752.X

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 本发明实施例提供了一种基于多段颗粒填充床的热储能方法及系统,所述热储能系统包括电加热模块、流化床热储能模块以及固定床热储能模块,所述流化床热储能模块包括流化床、填充在所述流化床腔体内的第一颗粒,所述电加热模块部分置于所述流化床腔体内部,并与所述第一颗粒接触,所述固定床热储能模块与所述流化床热储能模块连接,所述固定床热储能模块包括多个并联的固定床以及所述固定床内填充的第二颗粒。通过本发明实施例,实现了流化床与固定床的快速储热,提高储热密度,通过多个固定床进行储热,也可避免采用流化床储热时流化床体积过于庞大的缺点。

    一种储热驱动的电动交通工具和储热驱动方法

    公开(公告)号:CN119308741A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411772751.5

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 本发明实施例提供了一种储热驱动的电动交通工具和储热驱动方法,电动交通工具包括:第一储能设备、第二储能设备、第三储能设备、热电转换模块、气力输送设备以及温控模块,气力运输设备包括循环管道和循环管道上的输送泵,第一储能设备内填充第一储能介质,且第一储能介质承受的温度不高于3000℃,第二储能设备内填充第二储能介质,第三储能设备内填充第三储能介质,储能设备的出口与热电转换模块的进口通过循环管道连接,热电转换模块出口与第二储能设备顶部以及第三储能设备顶部连接,热电转换进口与第二储能设备顶部以及第三储能设备顶部连接,第二储能设备底部以及第三储能设备底部通过循环管道与第一储能设备底部进口连接。

    一种合成气制芳烃的高压流化床反应器、循环系统和方法

    公开(公告)号:CN118949861A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411024135.1

    申请日:2024-07-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供一种合成气制备芳烃的高压流化床反应器,所述流化床反应器的腔室内沿气体流动方向依次设置有布风板、内构件以及内置旋风分离器,扰流构件和导流板的设置有效强化了反应器内气固传热、传质,且扰流件内部具有冷却液通道,保证了合成气制备芳烃反应过程中,反应区域的温度分布均匀性,使得该高压流化床反应器具备高传质传热效率,从而保证合成气高效转化为芳烃。本发明还提供一种包含上述高压流化床反应器的合成气制备芳烃的循环系统,该系统采用循环供气的方式,进一步提高了合成气转化率和芳烃收率。本发明提供的合成气制备芳烃的循环系统,其设备结构简单、工艺流程短,在一步法制芳烃等重要化工技术的应用中极具潜力。

    气固短接触分离装置、气固短接触系统及应用方法

    公开(公告)号:CN109847656B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN201910295138.1

    申请日:2019-04-12

    Abstract: 本发明提供了一种气固短接触分离装置、气固短接触系统及应用方法,该气固短接触分离装置包括:筒体结构壳体、气体切向入口和颗粒入口、颗粒出口以及设置于筒体结构壳体顶部的升气管,其中,颗粒入口,用于向筒体结构壳体输送第一类固体颗粒,第一类固体颗粒包括:催化剂、吸附剂和结晶核介质中的任意一种;气体切向入口,用于向筒体结构壳体输送气体反应物;在筒体结构壳体内,气体反应物形成涡流,并携带固体颗粒从底部向顶部旋转,以实现气体反应物与第一类固体颗粒接触反应,形成气体产物以及第二类固体颗粒;颗粒出口,用于输出到达筒体结构壳体顶部的第二类固体颗粒;升气管,用于输出气体产物。

    基于流化床的固体颗粒储能装置
    25.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116989474A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310950587.1

    申请日:2023-07-31

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本申请提出一种基于流化床的固体颗粒储能装置,包括流化床充热装置(1)、流化床放热装置(3)和储能罐(2)。所述流化床充热装置(1)使固体颗粒充热过程中固体颗粒处于流化状态,床内布置有用于加热固体颗粒的电极(12);储能罐(2)设置于所述流化床充热装置(1)和所述流化床放热装置(3)之间,储能罐(2)用于储存加热后的固体颗粒,并连接有空压机(21),能够对所述储能罐(2)充气加压;所述流化床放热器装置(3)使固体颗粒放热过程中所述固体颗粒处于流化状态,并通过所述换热管束(36)将水加热为水蒸气。本申请的基于流化床的固体颗粒储能装置能够实现快速储能和快速放热,放热负荷高,占用空间较小。

    储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116264271A

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202111519203.8

    申请日:2021-12-13

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 张迪 张晨曦 魏飞

    Abstract: 本申请公开了一种储锂碳化硅孪晶材料及其制备方法,用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法包括:包覆步骤,用于在硅粉表面包覆碳化硅层,得到碳化硅层包覆粒子;混合步骤,用于使碳化硅层包覆粒子与金属锂粉混合,得到混合物;热处理步骤,用于对混合物进行热处理,得到包含未反应物质的固体产物;后处理步骤,用于对包含未反应物质的固体产物进行洗涤处理,得到储锂碳化硅孪晶材料。本申请提供的用于制备储锂碳化硅孪晶材料的方法,充分利用了热化学方法的工艺特点,能够制备得到具备储锂功能的碳化硅孪晶材料,且该储锂碳化硅孪晶材料具备较高的储锂容量,由此其在用作电池正极材料时能够极大提升电池的能量密度。

    一种锂离子电池用导电剂、负极和制备方法以及锂离子电池

    公开(公告)号:CN115403033A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211228553.3

    申请日:2022-10-09

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明提供了一种锂离子电池用导电剂、负极和制备方法以及锂离子电池,其中,导电剂是纯单壁碳纳米管在范德华作用力下自组装形成的单壁碳纳米管网状结构,即,导电剂只含有单壁碳纳米管这一种成分,制备过程中无需加入分散剂等添加剂,有效保证导电剂纯度的同时,简化了导电剂的制备过程;并且,将该导电剂用于锂离子电池用负极时,电极充放电过程中,即使负极活性材料与电解液会发生副反应,在负极表面生成SEI膜,但由于单臂碳纳米管网状结构的导电剂与负极活性材料之间具备良好的电接触性能,能有效缓解因电极副反应(生成SEI膜)引起的电导率下降、失去电接触等问题。

    碳纳米材料复合集流体及其制备方法、电极和电池

    公开(公告)号:CN115036515A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210964821.1

    申请日:2022-08-12

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本公开提供了一种碳纳米材料复合集流体及其制备方法、电极和电池,该碳纳米材料复合集流体的制备方法包括如下步骤:将碳纳米材料置于粉碎腔室中,向粉碎腔室中通入压缩气体,对碳纳米材料进行气流粉碎处理,形成碳纳米粉料;于压缩气体的流动路径上设置网格状的基底,碳纳米粉料在压缩气体的带动下移动至基底并附着于基底上。该制备方法巧妙地利用了气流粉碎时的气流带动碳纳米材料运动,使其能够在分散的状态下直接附着于基底表面,整体制备步骤较少,实现难度低。

    一种三元正极材料@氧化铟核壳结构复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113097460B

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202110333076.6

    申请日:2021-03-29

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了一种三元正极材料@氧化铟核壳结构复合材料的制备方法,属于锂离子电池正极材料技术领域。其中,三元正极材料为镍钴锰或镍钴铝,该制备方法包括包覆与焙烧的步骤。本发明对包覆过程进行了优化,避免了在包覆过程中极其容易出现核包覆的情况,导致包覆不均匀的现象产生。通过焙烧步骤提升了包覆层的结晶度和纯度,进一步提升复合材料的性能。该复合材料与未经过包覆处理的原始三元正极材料相比,复合物导电导离子性显著提高、比容量较高、循环稳定性好、倍率性能提高、整体导电性显著提高的特点。该制备过程简单、无污染、成本低、流程短、易于工业放大。

    一种多孔碳化硅陶瓷膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN112876254A

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN202110259980.7

    申请日:2021-03-10

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及无机陶瓷膜技术领域,特别涉及一种多孔碳化硅陶瓷膜及其制备方法。在所述多孔碳化硅陶瓷膜的制备方法中,具体包括:向一碳膜表面加入含有碳化物的催化剂溶液,向该碳膜表面加入含有单质硅的硅源,通过将上述材料在惰性环境下进行高温煅烧,使得硅源中的硅融化并在碳膜表面流淌,在所述碳化物催化剂的作用下,促使在所述碳膜表面形成多孔碳化硅孔洞,最后冷却获得多孔碳化硅陶瓷膜。

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