公开(公告)号：CN102005469A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010231414.7

申请日：2010-07-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 石川晃三 ,  筱原正昭 ,  岩松俊明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/845

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。提供一种可以改善FINFET中的寄生电阻的技术。在本发明的FINFET中，由层叠膜形成侧壁SW。具体而言，侧壁SW由氧化硅膜OX1、形成在氧化硅膜OX1上的氮化硅膜SN1、以及形成在氮化硅膜SN1上的氧化硅膜OX2构成。另一方面，在鳍FIN1的侧墙上未形成有侧壁SW。如前所述，在本发明中，在栅电极G1的侧墙上形成有侧壁SW，而在鳍FIN1的侧墙上未形成有侧壁SW。