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公开(公告)号：CN109164400B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810994328.8
申请日：2018-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种基于自旋泵浦‑逆自旋霍尔效应的微波磁场探测器及探测方法，利用磁控溅射镀膜工艺和光刻工艺在3个SiO2基片上分别制备完全相同的n个串联的条状Py/Ta复合双层薄膜，薄膜的长宽比值在200以上，薄膜内的微波感应电流被限制在薄膜的长边方向；3个基片彼此互相垂直，且3个基片的公共顶点与原点重合；对于每个SiO2基片，都施加一个与薄膜长边垂直且从0开始增大的直流磁场，此磁场增大到某值a后，再从0开始增大到a，此过程一直循环，通过测量3个SiO2基片上串联的条状薄膜两端的电压得到空间微波磁场在x、y、z方向上的分量hx、hy、hz，本发明可以一次性测量空间微波磁场矢量，并且通过串联的方式增大逆自旋霍尔电压信号，大大提高了灵敏度。
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公开(公告)号：CN111403596A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010203692.5
申请日：2020-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L41/253 , H01L41/332 , H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/67 , B08B7/00
Abstract: 本发明属于单晶薄膜的工艺领域，具体涉及一种离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法。本发明的离子注入剥离单晶薄膜的表面处理方法，针对离子注入剥离技术制备的单晶薄膜，选择氩离子刻蚀精准去除表面的损伤层；此外，针对去除损伤层后薄膜的氧空位缺陷及表面改性的问题，通过分别控制氧等离子清洗过程中的氧气通量、工作功率以及清洗时间的工作参数，通过接触角测试对清洗效果进行验证，最终使得单晶薄膜达到完全浸润，便于后续制备图形化的器件结构。本发明使单晶薄膜的单晶质量大幅度提高，引入的二次损伤最小，简化了工艺的复杂度。
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公开(公告)号：CN108196178B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201711470872.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于陷阱能级分布测量领域，提供一种表面陷阱能级分布测试装置及光电导分析方法，用以实现样品表面陷阱能级分布测量。本发明测试装置，包括真空恒温腔体、真空泵、温度控制系统、固体激光器、数字电压电流源表及计算机；通过数字电压电流源表在待测样品两端施加一个恒定的预设电压，测量得到暗电流；然后，开始光电导测试，测量得到光电衰减曲线；最后根据光电导衰减曲线计算样品表面陷阱能级分布。本发明中恒温腔体提供一个黑暗、恒温的真空环境，使整个测量过程中有效避免温度、气氛和外界光源的干扰，大大提高测量精度；同时采用亚禁带激光激发得到的光电导曲线，能够准确反应禁带内缺陷分布，排除本征缺陷的影响。
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公开(公告)号：CN110660446A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910850863.0
申请日：2019-09-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于信息安全技术领域，涉及非易失性存储器的安全存储，具体涉及一种评估单片机中非易失性存储器数据残留的装置。本发明先通过SEM断面扫描的方获取了待测非易失性存储器的物理结构和使用材料，根据扫描得到的物理结构参数和使用材料对应的半导体特性参数，仿真得到浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系；然后通过芯片复位中断，并用掉电法获取阈值电压，获得在单片机中非易失性存储单元擦写过程中，阈值电压随时间的变化关系；最后利用之前获取的擦写过程中阈值电压随时间的变化关系，使用电荷注入和掉电的方法，结合浮栅电荷Q与阈值电压Vth的关系，获得一条浮栅上注入电荷与残留电荷之和Q0+Qr与擦除次数N的关系曲线。
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公开(公告)号：CN110596174A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910831127.0
申请日：2019-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体涉及了一种用于评估高反射率膜损耗稳定性的X射线辐照测试方法。本发明利用X射线的电荷积累效应，模拟高反膜因荷电积累的失效过程：采用的X射线源对高反膜表面进行荷电处理，在累积的处理过程中；同时利用光电子能谱仪原位监测高反膜表面化学态的变化，间断的进行XPS分析，检测高反膜表面的各元素的化学态变化。通过对随机选取的失效组样品和非失效组样品进行统计分析，并引入α和β参数描述O1s峰的对称性，只用到了两个拟合参数，就可以评估辐照荷电老化时的损耗变化，便于工程实际应用，是一种方便、快捷的判别方法。特别适合用于膜层材料工艺实验的快速优化、工艺监控等环节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109682882A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910082966.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/90
CPC classification number: G01N27/90 , G01N27/9033
Abstract: 一种涡流检测传感器，属于无损检测技术领域。涡流检测传感器包括磁芯、绕制在磁芯本体上的激励线圈和磁场传感器，所述磁芯面向被检导体表面所在端形成尖锐凸起并在凸起端开口形成缝隙，磁场传感器设置在所述缝隙与被检导体面平行的平面内。磁场传感器将缝隙处聚集的磁场与被检导体作用形成的磁信号转换为电信号输出。本发明显著减小了磁场作用范围，进而提高了空间分辨率。运用本发明传感器检测缺陷能够清晰反映被检缺陷的轮廓和大小以及精确位置，有利于进一步辨识缺陷，进而评估导体缺陷所带来的影响。并且通过设计不同的磁芯结构来大幅度增加激励线圈的匝数以适当减小激励信号的电流，避免了因激励线圈发热严重而造成的测量误差。
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公开(公告)号：CN109657787A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
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公开(公告)号：CN109536892A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910043549.1
申请日：2019-01-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高温薄膜传感器用抗热冲击复合绝缘层，属于薄膜传感器技术领域。所述复合绝缘层自下而上依次为热生长Al2O3层、YZrAlO层、Al2O3层，其中，所述YZrAlO层包括非晶Al2O3薄膜以及弥散于非晶Al2O3薄膜上的钇掺杂ZrO2纳米晶，钇掺杂ZrO2纳米晶的尺寸为10～40nm，YZrAlO层中元素比Y:Zr:Al＝1：6：(37～74)。本发明复合绝缘层中弥散有钇掺杂ZrO2纳米晶，ZrO2纳米晶良好的颗粒弥散补强增韧与应力诱导相变增韧效果，有效保证了高温和剧烈热冲击环境下绝缘层与合金基底之间的附着力以及绝缘性能。
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公开(公告)号：CN109440074A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811485665.0
申请日：2018-12-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高能量输出的氢爆膜桥及其制备方法，属于火工品技术领域。所述氢爆膜桥自下而上依次为基片、桥区薄膜层和保护层，所述桥区薄膜层为储氢薄膜。本发明选择储氢薄膜作为冲击片雷管的膜桥材料，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量作用下发生等离子爆炸，同时由于膜桥中含有大量氢，储氢薄膜自身也会发生氢爆；因此，该储氢薄膜在电能、脉冲激光能量等外界能量的作用下会同时发生等离子爆炸和氢爆，极大地提高了该过程的单位能量输出和能量转换效率，提升了爆炸箔的可靠性和稳定性，并有效降低了起爆能量和起爆电压。
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公开(公告)号：CN108613754A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810366196.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/30
Abstract: 一种以c轴取向的AlN薄膜为传感器的测温方法，包括：(1)以c轴取向的AlN薄膜作为测温传感器，进行不同温度T下的等时退火处理后，再分别测试退火后薄膜的衍射峰半高宽F，得到F-T标准曲线；(2)将同一批次的AlN薄膜埋设于被测热端部件的表层或表面，并随含被测热端部件的工作系统进行高温运转；(3)取出高温运转后的薄膜，测试其半高宽，通过对比F-T标准曲线，得到与该衍射峰半高宽值相对应的温度值，即为被测热端部件的最高工作温度。本发明方法简单，无需引线及复杂测试设备，无需现场判读，可用于400～1000℃高温工作区间的温度测试，尤其适用于异型结构部件及高速旋转的测试环境下被测部件温度的测量。
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