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公开(公告)号：CN102687075B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201080060219.0
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0332 , C08G77/80 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 提供了用于抗蚀剂的下层的组合物，包括如在化学式1至3中表示的有机硅烷类缩聚化合物；和溶剂。该用于抗蚀剂的下层的组合物容易控制折射率和光吸收，并且可以提供具有良好的抗反射特性的用于抗蚀剂的下层和使用其的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN102713758A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080060221.8
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/075 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08L83/04 , C08L83/06 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332
Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN102695987A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080060384.6
申请日：2010-12-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/11
Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。
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公开(公告)号：CN101770175A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215519.0
申请日：2009-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。
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