-
公开(公告)号:CN1291552C
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN03802858.1
申请日:2003-01-22
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H03K19/20 , H03K19/185 , G11C11/22 , G11C11/15
CPC classification number: G11C11/22 , G11C7/1006 , H03K19/185
Abstract: 提供一种能够使用强电介质电容进行数据逻辑运算的逻辑运算电路和逻辑运算方法。逻辑运算电路(1)具备强电介质电容(CF1、CF2)、晶体管(MP)。强电介质电容(CF1)保持着逻辑算子所对应的极化状态P1。在运算、存储动作时,在强电介质电容(CF1)的第1端子(3)和第2端子(5)上分别施加第1运算数据y1=1所对应的电源电位Vdd和第2运算数据y2=0所对应的接地电位GND。由此,强电介质电容(CF1)的极化状态移至P4。P4所对应的残留极化状态为P2。对于y1和y2的组合(0-0,0-1,1-0,1-1),残留极化状态为P1,P1,P2,P1。在以后的读出动作中,通过晶体管(MP)得到对应于该残留极化状态的输出。
-
公开(公告)号:CN1625838A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN03802859.X
申请日:2003-01-22
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H03K19/20 , H03K19/185 , G11C11/22 , G11C11/15
CPC classification number: H03K19/185 , G11C7/1006 , G11C11/22 , G11C2207/104 , H03K19/16
Abstract: 提供一种使用强电介质电容能够进行数据逻辑运算的逻辑运算电路和逻辑运算方法。逻辑运算电路(1)具备强电介质电容(CF)、晶体管(MP)。强电介质电容(CF)保持着第1运算数据(y)所对应的极化状态P1(y=1)或者P2(y=0)。在运算动作时,在强电介质电容(CF)的第1端子(3)预充电到电源电位(Vdd)之后,将第2运算数据(x)所对应的电位即接地电位(GND,x=1)或者电源电位(Vdd,x=0),通过位线(BL),施加在第2端子(5)上。根据适当设定晶体管(MP)的阈值电压(Vth),对y和x的组合(0-0,0-1,1-0,1-1),晶体管(MP)为(ON、ON、ON、OFF)。
-