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公开(公告)号：KR1020070009150A
公开(公告)日：2007-01-18
申请号：KR1020050064205
申请日：2005-07-15
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L23/36
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L23/3735 , H01L23/367 , H01L23/3736 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: A chip package with a heat radiating characteristic is provided to easily radiate the heat generated from a chip attached to the upper surface of an internal heat radiating plate by including an internal heat radiating plate with a broad area while using a substrate of a multilayered structure. A first substrate structure(110a) is made of at least one layer, including a plurality of through holes penetrating the upper surface of an uppermost layer and the lower surface of a lowermost layer. An external heat-radiating plate(140) is formed on the lower surface of the lowermost layer of the first substrate structure. The through hole is filled with a thermal conductive metal material(130). An internal heat-radiating plate is formed on the upper surface of the uppermost layer of the first substrate structure. A second substrate structure(110b) is formed on the internal heat-radiating plate, made of at least one layer and including an open region penetrating the upper surface of an uppermost layer and the lower surface of the lowermost layer. A chip is attached to the upper surface of the internal heat-radiating plate exposed by the open region. The multilayered substrate can be a PCB. The area of the open region is greater than that of the chip.
Abstract translation: 提供具有散热特性的芯片封装，通过在使用多层结构的基板的同时包括具有宽区域的内部散热板来容易地辐射从附接到内部散热板的上表面的芯片产生的热量。 第一衬底结构（110a）由至少一层制成，包括穿过最上层的上表面的多个通孔和最下层的下表面。 外部散热板（140）形成在第一基板结构的最下层的下表面上。 通孔填充有导热金属材料（130）。 内部散热板形成在第一基板结构的最上层的上表面上。 第二基板结构（110b）形成在内部散热板上，由至少一层制成，并且包括穿透最上层的上表面的开放区域和最下层的下表面。 芯片附着在由开放区域露出的内部散热板的上表面。 多层基板可以是PCB。 开放区域的面积大于芯片的面积。
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公开(公告)号：KR1020060059742A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098903
申请日：2004-11-29
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 적층 기술을 이용하여 CMOS 소자와 IPD소자를 동일 기판상에 형성하여 소형화를 도모하면서 생산성을 높힐 수 있는 다중 대역 고주파 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 그 기술적 수단은 복수 대역의 고주파송신신호를 전달하는 매칭네트워크, 커플러, 및 로우패스필터등의 수동소자와, 상기 복수 대역의 고주파 송신신호를 선택적으로 안테나로 전달하는 스위치 및 그 제어를 위한 디코더등의 능동소자가 복합구성되는 다중 대역 고주파 모듈에 있어서, 유리 재질로 이루어진 기판상에, 전기적 채널을 형성하는 채널층을 형성하고, 상기 채널층 상부에 스위치 및 그 제어를 위한 디코더등의 능동소자를 구현하는 제1회로형성층을 형성하며, 상기 제1회로형성층의 상부에 절연층을 형성하고, 이어 상기 절연층 상부에 매칭네트워크, 커플러 및 로우패스필터등의 수동소자가 구현되는 제2회로형성층을 형성하는 것이다.
무선 통신 시스템, 능동소자, 수동소자, 유리 기판, Si, IPD, CMOS-
公开(公告)号：KR1020050102371A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020040027709
申请日：2004-04-22
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01P5/18
CPC classification number: H01P5/185
Abstract: 본 발명은 방향성 커플러에, 신호 커플링을 위한 스트립 라인 및 위상 보상을 위한 인터디지털(Inter-Digital) 커패시터를 적용한 방향성 커플러 및 이를 이용하는 듀얼밴드 송신기를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 방향성 커플러는, 제1 전송소자(141); 상기 제1 전송소자(141)로부터의 신호중 일부를 커플링하는 제1 방향성 커플링 소자(143); 상기 제1 전송소자(141)와 상기 제1 방향성 커플링 소자(143) 사이에 연결된 제1 인터디지털 커패시터(145); 제2 전송소자(142); 상기 제2 전송소자(142)로부터의 신호중 일부를 커플링하는 제2 방향성 커플링 소자(144); 상기 제2 전송소자(142)와 상기 제2 방향성 커플링 소자(144) 사이에 연결된 제2 인터디지털 커패시터(146)를 포함한다.
또한, 상기한 방향성 커플러를 이용하는 듀얼밴드용 송신기를 제공한다.-
公开(公告)号：KR1020050082551A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：KR1020040011026
申请日：2004-02-19
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01P5/18
CPC classification number: H01P5/18 , H01P9/006 , H04B1/005 , H04B2001/0416
Abstract: 본 발명은 휴대폰 등의 이동통신 단말기에 적용되어 전력제어에 이용되는 IPD 구조의 커플러를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 IPD 구조의 커플러는, 실리콘기판(110); 상기 실리콘기판(110) 상에 적층된 절연층(120); 상기 절연층(120)상에 적층되고, 신호 샘플링을 위한 커플링라인(131)이 도전성 물질의 인쇄패턴으로 형성된 제1 금속층(130); 상기 제1 금속층(130)상에 적층된 유전체층(140); 및 상기 유전체층(140)상에 적층되고, 상기 제1 금속층(130)상의 커플링라인(131)에 실질적으로 대향되며, 도전성 물질의 인쇄패턴으로 신호라인(151)이 형성된 제2 금속 층(150)을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이러한 본 발명에 의하면, 커플러의 신호라인과 커플링라인을 상하로 배치하여 사이즈를 감소시킬 수 있고, 낮은 유전체를 사용함으로써 신호손실을 줄일 수 있으며, 또한, CPW(CoPlanar WaveGuide)구조를 채택하여 듀얼밴드의 각 밴드간의 상호간섭을 줄일 수 있는 효과가 있다.
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