公开(公告)号：KR1019930022282A

公开(公告)日：1993-11-23

申请号：KR1019920007413

申请日：1992-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김학주

IPC: G11B5/39

Abstract: 본 발명은 정보를 기록한 자기 매체에서 발생하는 신호자계를 받아 전압변화로서 신호를 검출해내는 재생전용 자기저항 헤드(Magnetoresistive head;이하MR헤드로 약칭한다)에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 기판(1)상에 하부 및 상부 자성층 (2 및 6)을 순차적으로 형성한 후에 상부 자성층의 개구부(9)상에1㎛이하의 간격으로 자기저항 소자(4)를 배치하고, 바이어스(bias) 자계를 인가하기 위하여 영구자석(5')을 삽입한 보호판(8)을 접착한 자기저항(MR)헤드의 제조 방법에 관한 것이다. MR헤드는 주파수 사용대역 f
max -f
min 구간에서 균일한 재생출력 특성이 요구되는데, 이런면에서 본 발명의 MR헤드가 매우 우수함을 알 수 있다. 또한 본 발명에서는 MR소자를 상부 자성층(6)에 밀착 형성하여 상, 하부 자성층(2 및 6) 사이에서 발생하는 누설자속에 의한 재생 출력의 저하도 감소시킬 수 있다. 또한 재생출력의 선형화를 위한 바이어스 방법도 선트(shunt) 방법이나 영구자석 박막의 형성에 의한 방법과는 달리 SmCo계 자석이나 Nd-Fe-B계 자석등 고성능 회토류 영구자석을 정밀 가공하여 보호판(8)에 삽입하는 방법을 채택함으로써, MR소자 전체에 걸쳐 균일한 자장 공급이 가능하고 박크하우젠 잡음이 감소된 양호한 재생 출력을 얻을 수 있다.