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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020170040516A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：KR1020150139596
申请日：2015-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/033 , G03F7/20
CPC classification number: H01L23/528 , G03F1/38 , G03F1/60 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/5226
Abstract: 마스크는마스크기판, 제 1 마스크패턴및 제 2 마스크패턴을포함할수 있다. 상기마스크기판은반도체장치의셀 영역에형성된금속막을노광하기위한셀 노광영역, 및상기반도체장치의주변영역에형성된금속막을노광하기위한주변노광영역을가질수 있다. 상기제 1 마스크패턴은상기마스크기판의주변노광영역내의상기금속막을노광하여신호금속패턴을형성할수 있다. 상기제 2 마스크패턴은상기마스크기판의주변노광영역내의상기금속막을노광하여더미금속패턴을형성할수 있다. 상기제 2 마스크패턴은상기제 1 마스크패턴에인접하게배열될수 있다. 상기제 2 마스크패턴은상기제 1 마스크패턴의폭과동일한폭을가질수 있다. 따라서, 이러한마스크를이용해서형성된주변영역내의금속배선도셀 영역의금속배선의피치와대응하는미세하면서균일한피치를가질수 있다.
Abstract translation: 掩模可以包括掩模衬底，第一掩模图案和第二掩模图案。 掩模衬底可以具有用于暴露在半导体器件的单元区域中形成的金属膜的单元暴露区域和用于暴露形成在半导体器件的外围区域中的金属膜的外围暴露区域。 第一掩模图案可以通过暴露掩模衬底的外围曝光区域中的金属膜来形成信号金属图案。 第二掩模图案可以通过暴露掩模衬底的外围曝光区域中的金属膜来形成虚拟金属图案。 第二掩模图案可以布置为与第一掩模图案相邻。 第二掩模图案可以具有与第一掩模图案的宽度相同的宽度。 因此，使用这种掩模形成的外围区域中的金属布线也可以具有与单元区域中的金属布线的间距相对应的精细且均匀的间距。
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公开(公告)号：KR1020160116934A
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150045377
申请日：2015-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04L5/1438 , H04B7/26 , H04W72/0413 , H04W72/042 , H04W72/046 , H04W72/1289
Abstract: 본개시는, 무선통신시스템에서업링크제어신호를송신하는방법에있어서, 전이중기반통신을수행하기로결정한기지국으로부터업링크제어신호가송신되는제1주파수영역을지시하는정보를송신하는과정과, 상기제1주파수영역을제외한나머지주파수영역을통해서다운링크수신을수행하는과정을포함한다.
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