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公开(公告)号：KR1020110100059A
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：KR1020100019139
申请日：2010-03-03
Applicant: 엘지전자 주식회사
Abstract: 본 발명은 감정 정보 생성 방법, 감정 정보 생성 장치 및 이를 포함하는 영상표시장치에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 감정 정보 생성 방법은, 사용자의 영상 정보, 음성 정보 및 신체 정보 중 적어도 두 개를 획득하는 단계와, 획득된 정보에 기초하여, 사용자의 감정 정보를 생성하는 단계와, 생성된 감정 정보를 저장하는 단계를 포함한다. 이에 의해, 사용자의 감정 상태에 따라 감정 정보를 생성할 수 있게 된다.
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公开(公告)号：KR1020090096090A
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：KR1020080021457
申请日：2008-03-07
Applicant: 엘지전자 주식회사
Inventor： 강민구
CPC classification number: G11B20/1217 , G11B20/1883 , G11B27/034 , G11B27/105 , G11B27/329 , G11B2020/1222 , G11B2020/1288 , G11B2220/20 , H04N5/85 , H04N9/8042
Abstract: A DVD play system, a display apparatus and a DVD display method are provided to transmit skip information to a DVD player to move a track until a screen appears when error exists in a DVD. A DVD play system comprises a DVD player and a display device. The DVD player performs focusing and tracking to read a recording signal from an inserted DVD disc. The DVD player comprises a DVD data processor(201) which processes and outputs digitized DVD data of an RF form. The display device is connected to the DVD player to play and display the output DVD data. The display device comprises an IR light receiving unit(101), a controller(102), a memory(103) and a play determining unit(104). The display device includes an error information detection unit(105), an MPEG decoder(106), an OSD unit(107), an image processor(108) and a display unit(109). When error of the DVD data occurs, the display device automatically skips the track with the error to the DVD player based on the error information list of the inserted DVD disc. The display device transmits a message related to the error through an OSD setting command by using a consumer electronic control protocol. The error information list of the DVD disc comprises at least one of a title of a DVD, playtime of the DVD, and track time or jump time in which error is generated.
Abstract translation: 提供DVD播放系统，显示装置和DVD显示方法，以便在DVD存在错误时将跳过信息发送到DVD播放器以移动轨道直到屏幕出现。 DVD播放系统包括DVD播放器和显示设备。 DVD播放机执行聚焦和跟踪以从插入的DVD光盘读取记录信号。 DVD播放器包括处理并输出RF形式的数字化DVD数据的DVD数据处理器（201）。 显示设备连接到DVD播放器以播放和显示输出的DVD数据。 显示装置包括IR光接收单元（101），控制器（102），存储器（103）和播放确定单元（104）。 显示装置包括错误信息检测单元（105），MPEG解码器（106），OSD单元（107），图像处理器（108）和显示单元（109）。 当DVD数据发生错误时，显示设备根据所插入的DVD光盘的错误信息列表自动跳过具有错误的轨迹到DVD播放机。 显示设备通过使用消费者电子控制协议通过OSD设置命令发送与错误相关的消息。 DVD盘的错误信息列表包括DVD的标题，DVD的播放时间和产生错误的跟踪时间或跳转时间中的至少一个。
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公开(公告)号：KR1020090068863A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136652
申请日：2007-12-24
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/1237 , H01S5/2203 , H01S5/3072
Abstract: A semiconductor laser diode and a manufacturing method thereof are provided to prevent a current injection by forming an N type vacancy region or an N type dopant region. A semiconductor laser diode structure includes an N type semiconductor substrate(200), an N type clad layer(210), an N type waveguide layer(220), an active layer(230), a P type waveguide layer(240), and a P type clad layer having a ridge structure. N type vacancies are formed on a surface of a top surface(261) of a P type contact layer(260) adjacent to a laser irradiating surface. N type dopant is distributed inside the P type waveguide layer in the P type contact layer adjacent to the laser irradiating surface. A current is not injected to a region adjacent to an optical output surface of a laser diode by the N type vacancies and the N type dopant.
Abstract translation: 提供半导体激光二极管及其制造方法，以通过形成N型空位区域或N型掺杂剂区域来防止电流注入。 半导体激光二极管结构包括N型半导体衬底（200），N型覆盖层（210），N型波导层（220），有源层（230），P型波导层（240）和 具有脊结构的P型覆盖层。 在与激光照射面相邻的P型接触层（260）的上表面（261）的表面上形成有N型空位。 N型掺杂剂分布在与激光照射面相邻的P型接触层中的P型波导层的内部。 通过N型空位和N型掺杂剂，不将电流注入与激光二极管的光输出面相邻的区域。
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公开(公告)号：KR1020090064887A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132258
申请日：2007-12-17
Applicant: 엘지전자 주식회사
CPC classification number: H01S5/0268 , H01S5/0201 , H01S5/2077 , H01S5/2231
Abstract: A nitride semiconductor laser diode and a fabricating method are provided to improve ohmic property in forming n-electrode by having uneven structure on N-pole surface. A nitride semiconductor laser diode comprises a GaN substrate(100), P-clad layer(160), P- contact layer(170), protective film(180), and the p- pad electrode. The N-clad layer, N- wave guide layer, active layer, electron block layer, P- wave guide layer are successively formed on the GaN substrate. The p-contact layer is on upper side of p-clad layer and forms ridge. The protective film is formed at the side of ridge and on the upper side of p-clad layer. The p-pad electrode is formed to cover a portion of p-contact layer and the protective film.
Abstract translation: 提供氮化物半导体激光二极管和制造方法以通过在N极表面上具有不均匀结构来改善形成n电极的欧姆特性。 氮化物半导体激光二极管包括GaN衬底（100），P覆层（160），P-接触层（170），保护膜（180）和p-焊盘电极。 在GaN衬底上依次形成N覆层，N-波导层，有源层，电子阻挡层，P-波导层。 p接触层位于p覆层的上侧并形成脊。 保护膜形成在脊的侧面和p包覆层的上侧。 p焊盘电极形成为覆盖p接触层和保护膜的一部分。
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公开(公告)号：KR1020070092051A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：KR1020060021964
申请日：2006-03-08
Applicant: 엘지전자 주식회사
CPC classification number: H01S5/0213 , C23C14/3442 , H01L21/203 , H01S5/2226
Abstract: A method of manufacturing a laser diode is provided to improve the operation reliability of the laser diode by removing an etching remainder in a high energy deposition process. A lower cladding layer(110a), a lower waveguide layer(120a), an activation layer(130), an EBL(Electron Blocking Layer)(140), an upper waveguide layer(120b), an upper cladding layer(110b), an ohmic layer(160), and an upper electrode(170b) are sequentially formed on a conductive substrate. A lapping process and a polishing process are performed on a lower portion of the conductive substrate. The lower portion of the conductive substrate is uniformly dry-etched. A lower electrode is deposited under the conductive substrate by using one of ion beam deposition, iron beam assisted deposition, ion beam sputtering, RF(Radio Frequency) sputtering, and DC(Direct Current) sputtering processes.
Abstract translation: 提供一种制造激光二极管的方法，以通过在高能量沉积工艺中去除蚀刻残余物来改善激光二极管的操作可靠性。 下包层（110a），下波导层（120a），活化层（130），EBL（电子阻挡层）（140），上波导层（120b），上覆层（110b） 欧姆层（160）和上电极（170b）依次形成在导电基板上。 在导电性基板的下部进行研磨处理和研磨处理。 导电基板的下部被均匀干蚀刻。 通过使用离子束沉积，铁束辅助沉积，离子束溅射，RF（射频）溅射和DC（直流）溅射工艺中的一种沉积下电极，在导电基底下方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070092050A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：KR1020060021962
申请日：2006-03-08
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H01S5/10 , H01L21/304
CPC classification number: H01S5/2214 , H01L21/3046 , H01S5/1237
Abstract: A method of manufacturing a laser diode is provided to decrease a threshold voltage and an operation voltage of a laser element by forming a sulfur protective film formed on a surface of a rear substrate and to improve uniformity of electrical contact resistance by removing etching remainders. A lower cladding layer(110a), a lower waveguide layer(120a), an activation layer(130), an EBL(Electron Blocking Layer)(140), an upper waveguide layer(120b), an upper cladding layer(110b), an ohmic layer(160), and an upper electrode(170b) are sequentially formed on a conductive substrate. A lapping process and a polishing process are performed under the conductive substrate. A lower portion of the conductive substrate is uniformly dry-etched. A sulfur protective film is formed under the conductive substrate by using a sulfur-group surface treatment solution. A lower electrode is formed under the conductive substrate.
Abstract translation: 提供一种制造激光二极管的方法，通过形成在后基板的表面上的硫保护膜来降低激光元件的阈值电压和操作电压，并通过去除蚀刻残留物来改善电接触电阻的均匀性。 下包层（110a），下波导层（120a），活化层（130），EBL（电子阻挡层）（140），上波导层（120b），上覆层（110b） 欧姆层（160）和上电极（170b）依次形成在导电基板上。 在导电性基板的下方进行研磨处理和研磨处理。 均匀地干蚀刻导电基底的下部。 通过使用硫基表面处理溶液在导电性基材的下方形成硫保护膜。 在导电性基板的下方形成有下部电极。
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公开(公告)号：KR101938883B1
公开(公告)日：2019-04-10
申请号：KR1020120021825
申请日：2012-03-02
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: G06F3/01 , G06F3/0482 , H04N21/422
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公开(公告)号：KR101771461B1
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020150058283
申请日：2015-04-24
Applicant: 엘지전자 주식회사
IPC: H05B33/20 , H01L33/10 , H05B33/10 , H05B33/24 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2224/95 , H01L2933/0025
Abstract: 본발명은디스플레이장치에관한것으로특히, 반도체발광소자를이용한디스플레이장치에관한것이다. 본발명에따른디스플레이장치에있어서, 상기반도체발광소자들중 적어도하나는, 제1도전형전극및 제2도전형전극과, 상기제1도전형전극이배치되는제1도전형반도체층과, 상기제1도전형반도체층과오버랩되며, 상기제2도전형전극이배치되는제2도전형반도체층, 및상기제1도전형반도체층과상기제2도전형반도체층의측면들을감싸도록형성되는패시베이션층을포함하고, 상기패시베이션층은상기측면들로방출되는빛을반사하도록, 서로다른굴절률을가지는복수의레이어를구비한다.
Abstract translation: 显示装置技术领域本发明涉及一种显示装置，尤其涉及一种使用半导体发光装置的显示装置。 至少一个半导体发光器件可以包括第一导电类型电极和第二导电类型电极，其中设置第一导电类型电极的第一导电类型半导体层， 第一导电类型并且与半导体层重叠的第二导电类型半导体层的第二导电电极设置，且在第一导电类型半导体层和被形成为围绕所述第二导电类型半导体层的侧表面的第二钝化 并且钝化层具有多个具有不同折射率的层，以反射发射到侧表面的光。
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公开(公告)号：KR101761617B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020100114875
申请日：2010-11-18
Applicant: 엘지전자 주식회사
Inventor： 강민구
Abstract: 본발명은반도체발광소자에관한것으로특히, 수직형질화물계반도체발광소자에관한것이다. 이러한본 발명은, 도전성기판; 상기기판상에위치하는제 1 전극; 상기제 1 전극상에위치하는제 1 전도성반도체층; 상기제 1 전도성반도체층상에위치하는활성층; 상기활성층상에위치하는제 2 전도성반도체층; 상기제 2 전도성반도체층내에위치하는전류분산층; 및상기제 2 전도성반도체층상에위치하는제 2 전극을포함하여구성된다.
Abstract translation: 垂直型氮化物半导体发光器件技术领域本发明涉及半导体发光器件，并且更具体地涉及垂直型氮化物半导体发光器件。 本发明提供了一种半导体器件，包括：导电衬底; 位于衬底上的第一电极; 设置在第一电极上的第一导电半导体层; 位于第一导电半导体层上的有源层; 在有源层上的第二导电半导体层; 位于第二导电半导体层中的电流扩展层; 以及位于第二导电半导体层上的第二电极。
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