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公开(公告)号：KR100826308B1
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：KR1020060070038
申请日：2006-07-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 주식회사 나노텍
Abstract: 본 발명은 질화갈륨(GaN)계 나노선을 이용한 질화갈륨/산화갈륨(Ga
2 O
3 ) 나노케이블, 이의 제조방법 및 이를 이용한 소자에 관한 것으로서, 본 발명에 따라 질화갈륨 나노선을 열산화하여 제조된 질화갈륨/산화갈륨 나노케이블은 하나의 1차원 나노구조가 반도체/절연체로 구성되어 있기 때문에 전계효과 트랜지스터, 바이오/가스 센서 등에 유리하게 이용될 수 있다.
나노케이블, 나노선, 질화갈륨, 산화갈륨, 전계효과-
公开(公告)号：KR100819743B1
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020070013618
申请日：2007-02-09
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14607 , H01L27/14636 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: A 3-dimensional structure poly-crystal compound semiconductor solid-state image sensor and a method for manufacturing the same are provided to maximize a light receiving area and to improve photosensitive efficiency by forming a metal electrode on a semiconductor epi layer. A signal transfer region(206) is formed on a first conductive type semiconductor substrate(205) and comprised of a second conductive-type impurity layer. A signal detection region(208) is separated from the signal transfer region and comprised of a second conductive type impurity layer. Plural metal lines(207) are electrically connected to the signal detection region. A transfer gate(204) is formed on the semiconductor substrate of a first conductive type. The transfer gate transmits charges between the signal transfer region and the signal detection region. An interlayer dielectric(210) of a first conductive type is formed on the semiconductor type semiconductor substrate including the signal transfer region, the transfer gate, and the signal detection region. A metal electrode(203) is connected to a photodiode region(209) and comprised of a vertical metal electrode(211) and a horizontal top metal electrode(212). A poly crystal compound semiconductor epi layer(202) is formed on a surface of the interlayer dielectric including the top metal electrode and becomes the photodiode region by implanting P-type and N-type impurities to realize a PN junction.
Abstract translation: 提供三维结构的多晶体化合物半导体固态图像传感器及其制造方法，以通过在半导体外延层上形成金属电极来最大化光接收面积并提高感光效率。 信号传递区域（206）形成在第一导电类型半导体衬底（205）上，并由第二导电型杂质层构成。 信号检测区域（208）与信号传输区域分离并由第二导电型杂质层构成。 多个金属线（207）电连接到信号检测区域。 在第一导电类型的半导体衬底上形成传输门（204）。 传输门在信号传输区域和信号检测区域之间传输电荷。 在包括信号传输区域，传输门极和信号检测区域的半导体型半导体衬底上形成第一导电类型的层间电介质（210）。 金属电极（203）连接到光电二极管区域（209）并由垂直金属电极（211）和水平顶部金属电极（212）组成。 在包括顶部金属电极的层间电介质的表面上形成多晶硅化合物半导体外延层（202），并通过注入P型和N型杂质形成PN结。
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公开(公告)号：KR1020080010062A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：KR1020060070038
申请日：2006-07-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 주식회사 나노텍
Abstract: GaN/Ga2O3 nano cables, an FET(Field Effect Transistor) using the nano cables and a method for producing the same are provided to integrate an element using a nano wire by forming a semiconductor/insulator in a single one dimensional nanostructure. GaN/Ga2O3 nano cables include a GaN-based nano wire and Ga2O3 coated on the surface of the GaN-based nano wire. A semiconductor/insulator structure is formed in a single one dimensional nanostructure by coating the Ga2O3 on the surface of the GaN-based nano wire. The Ga2O3 is formed by adding other element such as Al, Ti, Hf so as to improve the characteristic thereof. The Ga2O3 coating is formed by the thermal oxidation of the surface of the GaN-based nano wire.
Abstract translation: GaN / Ga2O3纳米电缆，使用纳米电缆的FET（场效应晶体管）及其制造方法被提供以通过在单个一维纳米结构中形成半导体/绝缘体而使用纳米线来整合元件。 GaN / Ga2O3纳米电缆包括GaN基纳米线和涂覆在GaN基纳米线表面上的Ga2O3。 通过在GaN基纳米线的表面上涂覆Ga 2 O 3，在单个一维纳米结构中形成半导体/绝缘体结构。 通过添加Al，Ti，Hf等其他元素来形成Ga2O3，以提高其特性。 通过GaN基纳米线的表面的热氧化形成Ga 2 O 3涂层。
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公开(公告)号：KR1020170026728A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020150120744
申请日：2015-08-27
Applicant: 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본발명에따라서기판과; 상기기판상에형성된배리어층과; 상기배리어층 상에용액처리공정을통해형성되고패터닝된활성층과; 상기활성층상에형성된소스및 드레인전극으로서, 상기각 전극은탄소나노튜브와산화물나노입자의하이브리드박막으로구성되고, 상기산화물나노입자는상기탄소나노튜브보다일함수가작으며상기탄소나노튜브에물리흡착되어있는, 상기소스및 드레인전극과; 상기전극상에용액처리공정에기반하여형성된유전체층과, 상기유전체층 상에형성된탑 게이트전극을포함하는트랜지스터가제공된다.
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公开(公告)号：KR101494213B1
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020130168817
申请日：2013-12-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L41/22
CPC classification number: H01L41/113 , B82Y15/00 , H01L41/31 , H02N2/18 , Y10S977/948 , Y10T29/42
Abstract: 본 발명에 따라서 자가발전형 제너레이터가 제공되는데, 상기 제러레이터는 제1 층과; 제2 층과; 상기 제1 층과 제2 층 사이에 배열된 복수의 압전물질 나노로드를 포함하는 나노로드 부재층을 포함하고, 상기 나노로드는 이축 방향으로 성장시킨 나노로드이며, 외부로부터 기계적 에너지가 인가되는 경우, 그 길이방향 축을 중심으로 상기 길이방향 축과 수직한 상부의 절반부와 하부의 절반부는 서로 반대되는 극성의 압전 전위를 나타내는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 提供了一种自发电机。 发电机包括第一层; 第二层; 以及纳米棒构件层，其包括布置在第一层和第二层之间的压电材料纳米棒。 纳米棒是沿双轴方向生长的纳米棒。 当从外部供给机械能时，上半部分的半部和与长度方向轴的长度方向的轴垂直的下半部的半部表示相反极性的压电电位。
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Patent Agency Ranking26.发明授权전자 소자의 광활성층 형성용 용액을 현장에서 대량 생산하기 위한 방법 및 3차원 부직 구조를 갖는 광활성층을 포함하는 전자 소자 有权用于形成光电装置的光敏层的解决方案的大量生产方法和包含三维非结构结构的光电层的电子装置
公开(公告)号：KR101450514B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130005647
申请日：2013-01-18
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 본 발명에 따라서 전자 소자에 광활성층을 형성하기 위한 광활성층 형성 장치가 제공되는데, 상기 장치는 용매와 용해도 파라미터 차이(△δ)를 갖는 고분자 재료가 용해되어 있는 용액을 담고 있는 용액 공급부와; 상기 용액 공급부와 관을 매개로 연결되어 있고, 상기 용액 공급부로부터 미리 정해진 유량으로 상기 용액을 이송할 수 있도록 구성된 이송 수단과; 상기 이송 수단과 관을 매개로 연결되어 있고, 0℃ 미만의 저온 상태에서 유지되어, 상기 이송 수단에 의해 이송되는 상기 관 내부의 용액의 온도를 0℃ 미만의 저온으로 냉각하는 냉각 수단과, 상기 냉각 수단에 관을 매개로 연결되어 있고, 상기 냉각 수단으로부터 이송되어 오는 상기 용액을 기판 상에 분사하여 광활성층을 형성하는 분사 수단을 포함하고, 상기 냉각 수단에 의해 상기 용액 중의 상기 고분자 재료는 적어도 일부가 나노미터 크기의 직경과 마이크로미터 크기의 길이를 갖는 나노소섬유(nanofibrils)의 형태로 변화되어, 상기 분사 수단에 의해 상기 기판 상에 분사되고, 상기 분사 수단에 의해 분사되는 상기 용액은 상기 냉각 수단에 의해 냉각된 상태의 온도보다 높은 온도에서 분사되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR101254949B1
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：KR1020110069676
申请日：2011-07-14
Applicant: 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명에 따라서 엣칭 과정을 통해 표면에 나노크기의 기공이 형성된 다공성 구조의 층이 형성되어 있는 반사 방지성 유리 기판을 포함하는 태양전지가 제공된다. 상기 다공성 구조의 층의 상기 유리 기판의 두께 방향으로의 깊이는 입사광의 파장보다 작으며, 바람직하게는 입사광의 파장의 1/4 이하일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120119446A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：KR1020110037376
申请日：2011-04-21
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13363
CPC classification number: G02F1/13363 , G02F1/133528 , G02F2001/133631 , G02F2202/36 , G02F2202/40 , G02F2413/00
Abstract: PURPOSE: An in-plane switching mode liquid crystal display device is provided to compensate for a phase difference. CONSTITUTION: A light compensating layer(200) is located on an external surface of a second substrate. The light compensating layer is made of a transparent inorganic film. The transparent inorganic film has a uniaxial crystallization feature. A first polarization plate(119a) is formed on an external surface of a first substrate. A second polarization plate(119b) is located on the light compensating layer.
Abstract translation: 目的：提供面内切换模式液晶显示装置，以补偿相位差。 构成：光补偿层（200）位于第二基板的外表面上。 光补偿层由透明无机膜制成。 透明无机膜具有单轴结晶特征。 第一偏振板（119a）形成在第一基板的外表面上。 第二偏振板（119b）位于光补偿层上。
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公开(公告)号：KR1020120094550A
公开(公告)日：2012-08-27
申请号：KR1020110007118
申请日：2011-01-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: 본발명에따라서기판과, 상기기판상에형성된하부전극층과, 상기하부전극층상에형성된 CIS계재료로이루어진광반응층과, 상기광반응층상에형성된버퍼층과, 상기버퍼층상에형성되어윈도우역할을하는 ZnO 층과, 상기 ZnO 층상에형성된상부전극층을포함하는 CIS계태양전지용반사방지코팅을형성하는방법이제공된다. 상기방법은상기상부전극층과반응하는반응화합물을담고있는반응챔버내에상기태양전지를수직방향으로침지시킨후, 상기반응챔버를밀봉하고가열하여하이드로써멀반응을일으켜, 상기상부전극층상에바텀-업(bottom-up) 방식으로나방눈구조의나노로드를성장시켜반사방지코팅을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 提供一种制造具有蛾眼结构的太阳能电池用抗反射涂层的方法和包括该防反射涂层的太阳能电池的方法，以通过在太阳能电池的上电极层上形成具有蛾眼结构的抗反射涂层来大大降低反射率 自下而上的方法。 在基板上形成底部电极层。 在底部电极层上形成光反应层。 光反应层由CIS（铜，铟，硒化物）材料制成。 在光反应层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成ZnO层。 在ZnO层上形成顶部电极层。
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公开(公告)号：KR101176796B1
公开(公告)日：2012-08-27
申请号：KR1020110007118
申请日：2011-01-25
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing antireflective coating for solar cell having a moth-eye structure and a solar cell including the same are provided to greatly reduce reflectivity by forming an antireflective coating layer having a moth-eye structure on an upper electrode layer of the solar cell using a bottom-up method. CONSTITUTION: A bottom electrode layer is formed on a substrate. A photoreactive layer is formed on the bottom electrode layer. The photoreactive layer is made of CIS(Copper, Indium, Selenide) materials. A buffer layer is formed on the photoreactive layer. A ZnO layer is formed on the buffer layer. A top electrode layer is formed on the ZnO layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造具有蛾眼结构的太阳能电池用抗反射涂层的方法和包括该防反射涂层的太阳能电池的方法，以通过在太阳能的上电极层上形成具有蛾眼结构的抗反射涂层来大大降低反射率 细胞使用自下而上的方法。 构成：在基板上形成底部电极层。 在底部电极层上形成光反应层。 光反应层由CIS（铜，铟，硒化物）材料制成。 在光反应层上形成缓冲层。 在缓冲层上形成ZnO层。 在ZnO层上形成顶部电极层。
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