금속 산화물 나노 플레이트를 무극성 유기 용매-얼음 계면에서 형성시켜 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된 금속 산화물 나노 플레이트
    21.
    发明公开
    금속 산화물 나노 플레이트를 무극성 유기 용매-얼음 계면에서 형성시켜 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된 금속 산화물 나노 플레이트 失效
    在非极性有机溶剂与其制备的和其制备的金属氧化物纳米板之间的界面区域上形成金属氧化物纳米板的方法

    公开(公告)号:KR1020120063762A

    公开(公告)日:2012-06-18

    申请号:KR1020100124885

    申请日:2010-12-08

    Inventor: 최원용 김건우

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of metal oxide nano-plate on a non-polar organic solvent-ice interface and a metal oxide nano-plate manufactured by using thereof are provided to shorten manufacturing time and reduce manufacturing cost. CONSTITUTION: A manufacturing method of metal oxide nano-plate on a non-polar organic solvent-ice interface comprises the following steps: forming metal oxide nano-plate on surface of ice by processing sol-gel reaction in a mixture of precursor of the metal oxide and ice; removing ice and water from the mixture solution in which the metal oxide nano-plate is formed; and collecting the metal oxide nano-plate. A manufacturing method of the metal oxide nano-plate comprises the following steps: adding ice in the mixture solution of the non-polar organic solvent and titanium dioxide precursor; and forming the metal oxide nano-plate by the sol-gel reaction in interface between ice and the non-polar organic solvent.

    Abstract translation: 目的:提供非极性有机溶剂 - 冰界面上的金属氧化物纳米板的制造方法和使用其制造的金属氧化物纳米板,以缩短制造时间并降低制造成本。 构成:在非极性有机溶剂 - 冰界面上的金属氧化物纳米板的制造方法包括以下步骤:通过在金属前体的混合物中加工溶胶 - 凝胶反应在冰表面上形成金属氧化物纳米板 氧化物和冰; 从其中形成金属氧化物纳米板的混合溶液中除去冰和水; 并收集金属氧化物纳米板。 金属氧化物纳米板的制造方法包括以下步骤:在非极性有机溶剂和二氧化钛前体的混合溶液中加入冰; 并通过溶剂 - 凝胶反应在冰与非极性有机溶剂界面形成金属氧化物纳米板。

    금속 표면에 티타니아 박막을 코팅하는 방법
    23.
    发明公开
    금속 표면에 티타니아 박막을 코팅하는 방법 无效
    在金属表面涂覆钛酸钡薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020100050122A

    公开(公告)日:2010-05-13

    申请号:KR1020080109252

    申请日:2008-11-05

    CPC classification number: B05D7/14 B05D5/00 B05D2202/15 C04B2237/346 C23C14/24

    Abstract: PURPOSE: A method for coating a titania thin film on the surface of a metal is provided to rapidly coat the titania thin film on the surface of the metal while preventing faults such as crack and a pin hole from being generated on the surface of the metal. CONSTITUTION: A method for coating a titania thin film on the surface of a metal comprises the following steps: washing a metal surface; and forming the titania thin film on the metal surface through a plasma-enhanced atomic layer deposition. The titania thin film has TDMAT(Trakisdimethylamidotitanium) as a precursor. The titania thin film is deposited using oxygen of plasma state as a reactive group. The deposition method comprises: a step injecting the TDMAT on a heated metal surface; a purging step for eliminating remaining precursor; injecting oxygen of plasma state to react with the TDMAT; and the purging step for removing remaining gas and by-products.

    Abstract translation: 目的:提供一种在金属表面涂覆二氧化钛薄膜的方法,可以在金属表面快速涂覆二氧化钛薄膜,同时防止在金属表面产生裂纹和针孔等故障 。 构成:在金属表面上涂覆二氧化钛薄膜的方法包括以下步骤:洗涤金属表面; 以及通过等离子体增强的原子层沉积在金属表面上形成二氧化钛薄膜。 二氧化钛薄膜具有TDMAT(Trakisdimethylamidotitanium)作为前体。 使用等离子体状态的氧作为反应性基团沉积二氧化钛薄膜。 沉积方法包括:在加热的金属表面上注入TDMAT的步骤; 用于消除剩余前体的清洗步骤; 注入等离子体状态的氧与TDMAT反应; 以及用于除去剩余气体和副产物的清洗步骤。

    광촉매, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 과산화수소의 제조방법

    公开(公告)号:KR101743945B1

    公开(公告)日:2017-06-07

    申请号:KR1020160012381

    申请日:2016-02-01

    Inventor: 최원용 문건희

    Abstract: 본발명은탄소질화물(CN); 상기탄소질화물의표면또는내부에 K, NH, Li, Na및 H중에서선택된 1종이상의양이온; 및상기탄소질화물의표면또는내부에인산모노에스테르기(phosphate monoester group), 오르토인산기(orthophosphate group), 인산다이에스테르기(phosphate diester group), 피로인산기(pyrophosphate group), 폴리인산기(polyphosphate group), 황산기(sulfate group) 및탄산기(carbonate group) 중에서선택된 1종이상의음이온;을포함하는광촉매에관한것이다. 본발명의광촉매는탄소질화물, 알칼리금속양이온및 다종의인산기음이온을포함하여독성물질을포함하지않아친환경적이고, 귀금속을포함하지않아경제적이며, 장시간안정하고과산화수소생산효율을향상시킬수 있다. 또한, 이와같은광촉매를이용하여가시광조사하에서도과산화수소를생성할수 있다.

    6가 크롬의 환원 방법
    27.
    发明授权
    6가 크롬의 환원 방법 失效
    减少六价铬的方法

    公开(公告)号:KR101291507B1

    公开(公告)日:2013-07-30

    申请号:KR1020110077508

    申请日:2011-08-03

    Inventor: 최원용 김기태

    Abstract: 6가 크롬의 환원 방법에 관한 것으로, 6가 크롬을 포함하는 용액을 준비하는 단계; 상기 용액에 유기산을 투입하는 단계; 및 상기 유기산이 투입된 용액을 냉각하는 단계를 포함하는 6가 크롬의 환원 방법을 이용하여, 간단한 공정으로 독성이 강한 6가 크롬을 독성이 덜한 3가 크롬으로 환원시킬 수 있다.

    광촉매의 제조 방법
    28.
    发明公开
    광촉매의 제조 방법 无效
    制备光刻胶的方法

    公开(公告)号:KR1020130006089A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:KR1020110067922

    申请日:2011-07-08

    Inventor: 최원용 박이슬

    CPC classification number: B01J37/04 B01J19/08 B01J31/0201

    Abstract: PURPOSE: A method for preparing a photocatalyst is provided to simply and cheaply obtain the photocatalyst with excellent photo-conversion efficiency. CONSTITUTION: A method for preparing a photocatalyst comprises a step of treating a graphite solution by electrochemical oxidation and ultrasonic wave and preparing a graphite oxide colloid solution; a step of adding TiO_2 powder to the graphite oxide colloid solution at pH 2-5 and mixing; and a step of drying the mixture. The oxidation voltage and ultrasonic wave frequency are 28-35 V and 95-105 kHz.

    Abstract translation: 目的:提供一种制备光催化剂的方法,简单且便宜地获得具有优异光转换效率的光催化剂。 构成:制备光催化剂的方法包括通过电化学氧化和超声波处理石墨溶液并制备石墨氧化物胶体溶液的步骤; 在pH 2-5下将氧化钛胶体溶液加入TiO_2粉末并混合的步骤; 和干燥混合物的步骤。 氧化电压和超声波频率为28-35 V和95-105 kHz。

    삼성분계 반도체 복합체를 이용한 광전환 소재 및 이의 제조 방법
    29.
    发明授权
    삼성분계 반도체 복합체를 이용한 광전환 소재 및 이의 제조 방법 失效
    使用三元混合半导体复合材料的光致变色材料及其制备方法

    公开(公告)号:KR101160269B1

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:KR1020110035285

    申请日:2011-04-15

    Inventor: 최원용 김형일

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04 H01L31/18

    Abstract: PURPOSE: A photo conversion material and a manufacturing method thereof are provided to offer a semiconductor composite which includes ternary system hybrid material of CdS-TiO2-WO3. CONSTITUTION: A semiconductor composite comprises ternary system hybrid material of CdS-TiO2-WO3. An atomic ratio of Cd, Ti, and W of the semiconductor composite is 4 : 1 : 1 to 0.25 : 1 : 1. An optical band gap of the semiconductor composite is from 2.3eV to 2.5eV. The semiconductor composite has an absorption edge of 490nm to 550nm. The semiconductor composite is a crystalline structure.

    Abstract translation: 目的:提供一种光转换材料及其制造方法,以提供包括CdS-TiO2-WO3的三元系混合材料的半导体复合材料。 构成:半导体复合材料包括CdS-TiO2-WO3的三元系杂化材料。 半导体复合体的Cd,Ti和W的原子比为4:1:1:0.25:1:1。半导体复合体的光学带隙为2.3eV〜2.5eV。 半导体复合材料的吸收边缘为490nm至550nm。 半导体复合材料是晶体结构。

    광감응성 전극 및 이의 제조방법
    30.
    发明授权
    광감응성 전극 및 이의 제조방법 失效
    光敏电极及其制备方法

    公开(公告)号:KR101013151B1

    公开(公告)日:2011-02-10

    申请号:KR1020080134854

    申请日:2008-12-26

    Inventor: 최원용 박지희

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 광감응성 전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 종래의 고온 열처리(450 내지 500 ℃) 과정을 거치지 않고, 저온 코팅 공정(100 ℃ 이하)만 수행하여도 우수한 전자전달 효율을 얻을 수 있어, 태양전지 또는 광감응성 센서의 전극으로 매우 유용한 광감응성 전극 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다.
    저온 코팅 공정, 광감응성 전극, 태양전지

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