公开(公告)号：KR1020140065167A

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：KR1020120132379

申请日：2012-11-21

Applicant: 서울바이오시스 주식회사 ,  전남대학교산학협력단

Inventor： 허정훈 ,  최주원 ,  김창연 ,  김영욱 ,  류상완

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/22 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: Disclosed are a substrate recycling method and a recycled substrate. The method comprises preparing a substrate with a surface separated from an epi-layer; etching the surface of the substrate by using an electrochemical etching technique; and etching the surface, which is etched by the electrochemical etching technique, by using a chemical etching technique. Therefore, the substrate can be recycled to have a good growth surface.

Abstract translation: 公开了一种基板回收方法和再循环基板。 该方法包括制备具有与外延层分离的表面的基底; 通过使用电化学蚀刻技术蚀刻衬底的表面; 并通过使用化学蚀刻技术蚀刻通过电化学蚀刻技术蚀刻的表面。 因此，可以将基材再循环以具有良好的生长表面。

公开(公告)号：KR101001782B1

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：KR1020100099900

申请日：2010-10-13

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02 ,  H01L21/3063

Abstract: 본 발명은 n-GaN계열의 제1 반도체영역과 상기 제1 반도체영역과 다른 도핑 농도를 갖는 n-GaN계열의 제2반도체 영역을 포함하는 반도체 구조물을 양극으로 하고 전해액을 음극으로 하여 전해 에칭을 수행하여, 제1 반도체영역과 제2 반도체 영역의 에칭 속도가 서로 다르게 하여 반도체 영역의 선택적 식각방법 및 반도체소자를 기판으로부터 분리하는 방법을 제공한다.

Abstract translation: 第一半导体区域的本发明，并且所述第一半导体区域和所述蚀刻递送至和电解质的半导体结构，其包括第二半导体区域作为阳极，以具有基于的n-GaN的不同的掺杂浓度的n型GaN系列的阴极 第一半导体区域的蚀刻速率和第二半导体区域的蚀刻速率彼此不同，由此选择性地蚀刻半导体区域并将半导体元件与衬底分离。

公开(公告)号：KR1020100010827A

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：KR1020080071876

申请日：2008-07-23

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완

IPC: H01L33/14

Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to improve the luminous efficiency of a light emitting diode by removing a light emitting layer and forming an insulating layer on a groove. CONSTITUTION: A first cladding layer(210), a light-emitting layer(220), and a second clad layer(230) are formed on a substrate(200). A groove is formed by etching the second clad layer and the light-emitting layer to a predetermined depth so that a part of the first cladding layer is exposed to the outside. An insulating layer(260) is formed on the groove. Electrodes(240,250) are formed on the insulating layer. A conductive transparent thin film is formed between the insulating layer and the electrode. The size of groove is smaller or same than that of electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，通过去除发光层并在沟槽上形成绝缘层来提高发光二极管的发光效率。 构成：在基板（200）上形成有第一包层（210），发光层（220）和第二包层（230）。 通过将第二包覆层和发光层蚀刻到预定深度以使第一包层的一部分暴露于外部而形成沟槽。 绝缘层（260）形成在凹槽上。 电极（240,250）形成在绝缘层上。 在绝缘层和电极之间形成导电透明薄膜。 槽的尺寸小于或等于电极的尺寸。

公开(公告)号：KR100862925B1

公开(公告)日：2008-10-13

申请号：KR1020070017434

申请日：2007-02-21

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01S5/20 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3077 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34306

Abstract: 본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 기판과, 상기 기판의 상부에 형성된 버퍼층과, 상기 버퍼층의 상부에 형성된 하부 클래드층과, 상기 하부 클래드층의 상부에 형성되며, 그 상부 및 하부에 각각 n형과 p형 도핑영역이 구비되는 제1 SCH층과, 상기 제1 SCH층의 상부에 형성되며, 복수의 양자우물층과 장벽층이 교대로 형성되는 다중 양자우물 구조의 활성층과, 상기 활성층의 상부에 형성되며, 그 하부 및 상부에 각각 n형과 p형 도핑영역이 구비되는 제2 SCH층과, 상기 제2 SCH층의 상부에 형성된 상부 클래드층과, 상기 상부 클래드층의 상부에 형성된 콘택층이 포함됨으로써, 제1 및 제2 SCH층의 에너지 밴드 모양을 변화시켜 온도특성이 향상될 수 있는 효과가 있다.
반도체 레이저 다이오드, 양자우물, 활성층, 장벽층, 도핑

公开(公告)号：KR100859282B1

公开(公告)日：2008-09-19

申请号：KR1020070052741

申请日：2007-05-30

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완

IPC: H01L33/00 ,  B82Y20/00

Abstract: A multi-wavelength light emitting diode and a fabricating method thereof are provided to radiate light of different wavelengths of light according to each of regions by forming quantum dots having different sizes on the same substrate. A sacrificial layer is formed on an upper surface of a lower structure. A photoresist layer is formed on an upper surface of the sacrificial layer. An electron beam is irradiated on a first region of the photoresist layer during one hour. The electron beam is irradiated on a second region of the photoresist layer during two hours. A first nano-hole region having a first diameter corresponding to the first region and a second nano-hole region having a second diameter corresponding to the second region are formed by performing a developing process. The first and second nano-hole regions formed on the mask pattern layer are printed on the sacrificial layer. A first quantum dot region(242) and a second quantum dot region(244) are formed.

Abstract translation: 提供多波长发光二极管及其制造方法，通过在同一基板上形成尺寸不同的量子点，根据各区域照射不同波长的光的光。 牺牲层形成在下部结构的上表面上。 在牺牲层的上表面上形成光致抗蚀剂层。 在1小时内将电子束照射在光致抗蚀剂层的第一区域上。 电子束在两个小时内照射在光致抗蚀剂层的第二区域上。 通过进行显影处理，形成具有对应于第一区域的第一直径的第一纳米孔区域和具有对应于第二区域的第二直径的第二纳米孔区域。 形成在掩模图案层上的第一和第二纳米孔区域被印刷在牺牲层上。 形成第一量子点区域（242）和第二量子点区域（244）。

公开(公告)号：KR1020080060638A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：KR1020060134979

申请日：2006-12-27

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완

IPC: H01L33/06

Abstract: An electric field control structure of a quantum well and an optical device using the same are provided to change the adsorption and recombination property by varying a band shape of the quantum well. Barrier layers(30b,30c) and quantum well layers(20a) are formed alternately on a substrate. An n-type doping region(20b) and a p-type doping region(20c) of the predetermined thickness are formed within the two barrier layers respectively. The n-type doping region and the p-type doping region comprise at least one quantum well layer. An electric field, which is formed by the n-type doping region and the p-type doping region, is formed toward the opposite direction of a piezoelectric field of the quantum well structure.

Abstract translation: 提供量子阱的电场控制结构和使用该量子阱的光学装置，通过改变量子阱的带状来改变吸附和复合性能。 阻挡层（30b，30c）和量子阱层（20a）交替地形成在衬底上。 分别在两个势垒层内形成预定厚度的n型掺杂区域（20b）和p型掺杂区域（20c）。 n型掺杂区域和p型掺杂区域包括至少一个量子阱层。 由n型掺杂区域和p型掺杂区域形成的电场朝量子阱结构的压电场的相反方向形成。

公开(公告)号：KR1020070019266A

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050074047

申请日：2005-08-12

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/8254 ,  H01L21/22

Abstract: 본 발명은 확산물질층, 반도체 확산층 및 반도체 확산배리어층을 구비하는 화합물반도체 구조물에 관한 것으로, 반도체 확산배리어층은 반도체 확산층과 동일한 화합물 반도체 구성 물질을 포함하고 확산속도가 서로 다르게 구성되어 상기 확산물질층으로부터 확산되는 원소의 확산속도가 상기 반도체 확산배리어층에서 감소되도록 하는 화합물반도체 구조물을 제공한다.
확산배리어층, 확산물질층, 화합물반도체

Abstract translation: 本发明涉及包括扩散材料层，半导体扩散层和半导体扩散阻挡层的化合物半导体结构，其中半导体扩散阻挡层包括与半导体扩散层相同的化合物半导体材料， 并且在半导体扩散阻挡层中从半导体扩散阻挡层扩散的元素的扩散速率降低。

公开(公告)号：KR100679739B1

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：KR1020050061936

申请日：2005-07-09

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 류상완

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/16

Abstract: 본 발명은 광결정 발광다이오드의 발광구조물의 제조에서 제1 클래드층, 발광층, 및 제2 클래드층을 차례로 형성하고, 제2 클래드층의 상부에 알루미늄층을 증착하고, 증착된 알루미늄층의 상부에 애노다이징 방식을 이용하여 소정 주기로 배열되는 홀들이 구비되는 알루미나층의 패턴을 형성하며, 알루미나층의 패턴을 식각마스크로 하여 제2 클래드층을 소정 깊이로 식각하여 광결정 격자 어레이를 형성하는 단계를 구비하는 광결정 발광다이오드의 제조방법을 개시한다.
광결정, 발광구조물, 발광다이오드, 애노다이징