Abstract:
본 발명은 커패시터가 로딩된 다중층 1/4 파장 공진기를 이용한 이단 적층 대역통과 여파기에 관한 것으로, 보다 자세하게는 통신 단말기 등의 대역통과 여파기를 요구하는 기기의 소형, 경량화에 따라, 공진기의 구조 변경이 가능하고, 소형화할 수 있으며, 공진기 간 결합 구조가 용이한 초소형 대역통과 여파기에 관한 것이다. 본 발명의 커패시터가 로딩된 다중층 1/4 파장 공진기를 이용한 이단 적층 대역통과 여파기는 유전체 기판을 사이에 두고 양면에 한 조의 도체 박막으로 되어있는 스트립 선로와 상기 스트립 선로의 일 측단이 비아홀을 통하여 접지면으로 연결되는 제 1연결부 및 상기 스트립 선로의 타 측단이 비아홀을 통하여 커패시터와 연결되는 제 2연결부로 구성된 소정의 다중층 1/4 파장 공진기가 에지 커플링 구조로 결합되어짐에 기술적 특징이 있다. 따라서, 본 발명의 대역통과 여파기의 경우, 공진 특성은 스트립 선로의 길이 및 넓이, 스트립 선로와 접지면 사이의 거리 등에 의해서 영향을 받으므로 구조의 변경이 가능하고, 여파기 회로의 크기를 줄일 수 있으며, 공진기 간 결합 구조가 가능하며, 공진기의 기준 공진 주파수(f 0 )와 첫 번째 기생 공진 주파수(f 1 )의 비(f 1 /f 0 )가 종래의 전송 선로를 이용한 공진기에 비해 훨씬 크게 나타나기 때문에, 넓은 상향 저지대역을 갖는 여파기를 설계할 수 있을 뿐만 아니라, 기생 신호를 제어할 수 있음으로 인해 광대역 특성의 회로를 설계할 수 있는 기술적 장점과 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A two-layer stacked band pass filter using a multi-layered 1/4-wavelength resonator for forming loading capacitance between a capacitor and ground is provided to reduce the size by changing a structure of a resonator. CONSTITUTION: A two-layer stacked band pass filter includes a plurality of multi-layered 1/4-wavelength resonators(540). The multi-layered 1/4-wavelength resonators are coupled each other by a mutual coupling structure. Each multi-layered 1/4-wavelength resonator includes the first connector and the second connector. The first connector is used for connecting one side end of a strip line(510) to a ground part(500) through a via-hole(520). The second connector is used for connecting the other side end of the strip line to a capacitor(530) through the via-hole.
Abstract:
PURPOSE: A multilayer quarter-wavelength resonator having a capacitor as a load is provided to reduce the total size and design a filter having a wide upper stopband and a broadband circuit for controlling a spurious signal by reducing the size of the resonator as the desired size. CONSTITUTION: A multilayer quarter-wavelength resonator having a capacitor as a load includes a strip line, a first connection part, and a second connection part. The strip line(100) is formed between dielectric substrates. The strip line is formed with a conducting thin film. The first connection part(110) is formed at one side of the strip line in order to be connected to a capacitor. The second connection part(120) is formed at the other side of the strip line in order to be connected to the capacitor.