公开(公告)号：KR3003523020000S

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR3020030020913

申请日：2003-07-24

Applicant: 차정호

Designer： 차정호

公开(公告)号：KR3003523010000S

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR3020030020912

申请日：2003-07-24

Applicant: 차정호

Designer： 차정호

公开(公告)号：KR3003522960000S

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR3020030020905

申请日：2003-07-24

Applicant: 차정호

Designer： 차정호

公开(公告)号：KR3003522930000S

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR3020030020902

申请日：2003-07-24

Applicant: 차정호

Designer： 차정호

公开(公告)号：KR3003522860000S

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR3020030020891

申请日：2003-07-24

Applicant: 차정호

Designer： 차정호

公开(公告)号：KR3003522850000S

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR3020030020890

申请日：2003-07-24

Applicant: 차정호

Designer： 차정호

公开(公告)号：KR3003522840000S

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR3020030020884

申请日：2003-07-24

Applicant: 차정호

Designer： 차정호

公开(公告)号：KR1020030059936A

公开(公告)日：2003-07-12

申请号：KR1020020000355

申请日：2002-01-03

Applicant: 강윤묵 ,  차정호 ,  김득영 ,  김두수 ,  장영욱 ,  이세준 ,  심영석 ,  김방현 ,  강태원

Inventor： 강윤묵 ,  이세준 ,  김두수 ,  차정호 ,  김방현 ,  심영석 ,  장영욱 ,  강태원 ,  김득영

IPC: H01L21/203 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A new process for forming silicon nano crystal is provided to be capable of forming a silicon nano crystal by using natively formed Au nano grains as an etching mask. CONSTITUTION: After sequentially depositing an SiO2 oxide layer(2) and an amorphous silicon thin film on an Si substrate(1), an oxide layer(3) is activated and the amorphous silicon thin film is transformed into a polycrystalline silicon thin film(4) by carrying out a heat treatment at the temperature of 1000 °C under nitrogen gas atmosphere for 10 minutes. After depositing an Au thin film on the resultant structure, Au nano grains(5) are formed by carrying out a heat treatment at the temperature of 550 °C for 2 minutes. Then, a silicon nano crystal is formed by selectively etching the oxide layer(3) and the polycrystalline silicon thin film(4) using the Au nano grains as an etching mask.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成硅纳米晶体的新工艺，以能够通过使用天然形成的Au纳米晶粒作为蚀刻掩模来形成硅纳米晶体。 构成：在Si衬底（1）上依次沉积SiO 2氧化物层（2）和非晶硅薄膜后，激活氧化物层（3），将非晶硅薄膜转变成多晶硅薄膜（4 ）通过在氮气气氛下在1000℃的温度下进行10分钟的热处理。 在所得结构上沉积Au薄膜后，通过在550℃的温度下进行2分钟的热处理形成Au纳米晶粒（5）。 然后，通过使用Au纳米晶粒作为蚀刻掩模选择性地蚀刻氧化物层（3）和多晶硅薄膜（4）来形成硅纳米晶体。