나노크랙을 이용한 고 민감도, 고 변형율 측정센서 및 그 제조방법 및 변형율 측정 시스템
    21.
    发明授权
    나노크랙을 이용한 고 민감도, 고 변형율 측정센서 및 그 제조방법 및 변형율 측정 시스템 有权
    使用Nanocrack的高灵敏度和高应变测量传感器,其制造方法和应变测量系统

    公开(公告)号:KR101737525B1

    公开(公告)日:2017-05-18

    申请号:KR1020150027810

    申请日:2015-02-27

    Abstract: 본발명은, 비전도성이고신축성부재로구성되는제1 레이어, 전도체로구성되며, 제1 레이어에부착되며, 길이가신장됨에따라복수의크랙의폭이넓어짐으로써저항이증가되도록구성되는제2 레이어를포함하는변형율측정센서, 그제조방법및 이를포함하는변형율측정시스템이제공된다. 본발명에따른나노크랙을이용한고 민감도, 고변형율측정센서, 그제조방법및 변형율측정시스템을이용하면, 저렴하게생산이가능하고, 미세한변화량의측정이가능하며, 변형율의측정범위가극대화될 수있는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明中,非导电性和由第一层的,由柔性件的导体,附接到所述第一层,配置为电阻的长度的第二层增加所述多个裂缝如肾的加宽宽度 ,制造该应变传感器的方法以及包括该应变传感器的应变测量系统。 具有高灵敏度,高应变测量传感器,纳米裂缝及其制造方法和使用本发明的应变测量系统中,低成本的生产是可能的,使得变化的精细量的测定,和应变的测量范围可以被最大化 有一个效果。

    다중 스케일 표면 가공 방법 및 이 방법에 의해 제조된 다중 스케일 표면을 가지는 고체 기재
    22.
    发明公开
    다중 스케일 표면 가공 방법 및 이 방법에 의해 제조된 다중 스케일 표면을 가지는 고체 기재 有权
    通过相同方法制作多尺度表面的多尺度表面和固体基板的方法

    公开(公告)号:KR1020110105541A

    公开(公告)日:2011-09-27

    申请号:KR1020100024737

    申请日:2010-03-19

    Inventor: 조성진 임근배

    CPC classification number: H01L21/0273 H01L21/0274 H01L21/2003 H01L21/2018

    Abstract: 마이크로미터 스케일의 구조물과 나노미터 스케일의 구조물이 혼합된 다중 스케일 표면 가공 방법 및 이 방법에 의해 제조된 다중 스케일 표면을 가지는 고체 기재를 제공한다. 본 발명에 따른 다중 스케일 표면 가공 방법은, 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계와, 실리콘 웨이퍼 위에 마이크로미터 크기의 희생층을 형성하여 실리콘 웨이퍼 표면을 희생층 형성 영역과 그 이외의 노출 영역으로 분리하는 단계와, 보호막 공정과 식각 공정이 주기적으로 반복되는 심도 반응성 이온 식각을 희생층이 제거된 이후까지 진행하여 희생층 형성 영역에 마이크로미터 스케일 구조물을 형성함과 동시에 희생층 형성 영역과 노출 영역 전체에 나노미터 스케일의 나노그라스(nanograss)를 형성하는 단계를 포함한다.

    초소수성 실리콘 거울 및 이의 제조 방법
    23.
    发明授权
    초소수성 실리콘 거울 및 이의 제조 방법 有权
    超级疏水硅镜及其制造方法

    公开(公告)号:KR101049544B1

    公开(公告)日:2011-07-14

    申请号:KR1020100023505

    申请日:2010-03-16

    Inventor: 조성진 임근배

    CPC classification number: G02B5/08 B08B17/06 B82B1/005 B82Y40/00 H01L21/30

    Abstract: PURPOSE: An ultrahydrophobic silicon mirror and a manufacture method thereof are provided to remove a surface cleaning process by performing a self-cleaning function of a solar cell. CONSTITUTION: A silicon wafer is prepared. A deep reactive ion etch process is performed by periodically repeating a protection layer and an etch process. A nano-grass of a nanometer scale is manufactured on a surface of a silicon wafer by the deep reactive ion etch process. In the nano-grass manufacturing process, the deep reactive ion etch process is stopped when first condition and second conditions are satisfied.

    Abstract translation: 目的:提供超疏水硅镜及其制造方法,以通过执行太阳能电池的自清洁功能来去除表面清洁过程。 构成:制备硅晶片。 通过周期性地重复保护层和蚀刻工艺来执行深反应离子蚀刻工艺。 通过深反应离子蚀刻工艺在硅晶片的表面上制造纳米尺度的纳米草。 在纳草制造工艺中,当满足第一条件和第二条件时,停止深反应离子蚀刻工艺。

    액적 토출 장치
    24.
    发明公开
    액적 토출 장치 无效
    滴灌装置

    公开(公告)号:KR1020110046935A

    公开(公告)日:2011-05-06

    申请号:KR1020090103654

    申请日:2009-10-29

    Abstract: PURPOSE: A droplet discharging device is provided to precisely allocate various flow amounts of droplets by selectively operating a pneumatic ejector and an electric pipet. CONSTITUTION: A droplet discharging device(100) includes a pneumatic discharger(10) for discharging the droplet of the first flow amount of droplets, and an electric pipette(50) for discharging or absorbing the droplet of a second flow amount smaller than the first flow amount. The pneumatic discharger includes: a storage chamber(12) storing the liquid; an air tank(16) which is connected to the storage chamber through a first air pipe(14) and pushes the liquid of storage chamber to the outside by providing compressed air to the storage chamber; and a first nozzle(22) which is connected to the storage chamber through a liquid pipe(20) and discharges the droplet by providing the liquid pushed from the storage chamber.

    Abstract translation: 目的:提供一种液滴喷射装置,通过选择性地操作气动喷射器和电动移液器来精确地分配各种流量的液滴。 构成:液滴喷射装置(100)包括用于排出第一流量的液滴的气动排放器(10),以及用于排放或吸收小于第一流量的液滴的第二流量的液滴的电移液管(50) 流量。 所述气动排出器包括:储存所述液体的储存室(12); 空气罐(16),其通过第一空气管(14)连接到所述储存室,并且通过向所述储存室提供压缩空气将所述储存室的液体推向外部; 以及通过液体管道(20)连接到储存室的第一喷嘴(22),并且通过提供从储存室推动的液体来排出液滴。

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