광안정화제, 이를 포함하는 유기 태양전지 및 이의 제조방법
    23.
    发明公开
    광안정화제, 이를 포함하는 유기 태양전지 및 이의 제조방법 无效
    光稳定剂,包含其的有机光电池及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020160033392A

    公开(公告)日:2016-03-28

    申请号:KR1020140124089

    申请日:2014-09-18

    Abstract: 본발명은공액고분자광안정성향상을위한첨가제들, 그제조방법및 이를포함하는유기태양전지에관한것이다. 본발명의여러구현예에따르면, 본발명의첨가제들은공액고분자의광안정성을향상시키므로유기태양전지소자(OPV)에적용가능하며, 좀더 넓게는전도성유기물을기반으로하는유기광센서(OPD), 유기박막트랜지스터(OTFT), 유기발광다이오드(OLED) 등다양한분야에적용할수 있는유기광전자소자용재료들이다.

    Abstract translation: 本发明涉及用于提高共轭聚合物的光稳定性的添加剂,其制备方法和包含该共轭聚合物的有机太阳能电池。 本发明的光稳定剂具有由化学式1表示的结构。根据本发明的各种实施方案,添加剂可提高共轭聚合物的光稳定性,从而适用于有机光伏(OPV)电池器件。 特别地,添加剂可以用作有机光电子器件的材料,其可以应用于各种领域,例如基于有机光电检测器(OPD),有机薄膜晶体管(OTFT)和有机发光二极管(OLED)) 在导电有机材料上。

    이온성 액체 전해조와 이를 이용한 Cu2ZnSnS4-xSex (0≤x≤4) 박막의 단일 스텝 전기 증착법
    25.
    发明公开
    이온성 액체 전해조와 이를 이용한 Cu2ZnSnS4-xSex (0≤x≤4) 박막의 단일 스텝 전기 증착법 有权
    使用离子液体一步电沉积制造Cu2ZnSnS4-xSex(0≤x≤4)薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020150013997A

    公开(公告)日:2015-02-06

    申请号:KR1020130088012

    申请日:2013-07-25

    Abstract: 본 발명은 광흡수층의 Cu
    2 ZnSnS
    4-x Se
    x (0≤x≤4) 박막을 이온성 액체를 용매로 하여 정전류 방법을 통해 Cu, Zn, Sn, Se로 이루어진 전구체막을 형성하고 황열처리를 통하여 Cu
    2 ZnSnS
    4-x Se
    x (0≤x≤4) film을 제조하는 것을 특징으로 하는 Cu
    2 ZnSnS
    4-x Se
    x (0≤x≤4) 박막 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 진공 방법에 비해 대면적 대량생산의 비용적인 측면에서 이점이 있는 비진공 전착 방법을 제공하며, 이온성 액체를 이용함으로써 부반응으로 형성되는 인체에 유해한 부산물 생성 발생이 적을 뿐만 아니라, 네 가지 원소를 한번에 형성시킬 수 있는 간단한 단일 전착 방법 및 다단계 증착과 열처리 방법을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种Cu_2ZnSnS_4-xSe_x(0 <= x <= 4)薄膜太阳能电池及其制造方法,其形成光吸收层的Cu_2ZnSnS_4-xSe_x(0 <= x <= 4)膜,以形成 通过使用离子液体作为溶剂的恒定电流法由Cu,Zn,Sn和Se制成的前体膜,以及通过硫热处理制造Cu_2ZnSnS_4-xSe_x(0 <= x <= 4)膜的特征。 提供了一种简单的电沉积方法和提供非真空电沉积方法的多级沉积和热处理方法,与真空方法相比,从大面积批量生产的成本观点来看,这是有利的。 简单的电沉积方法和多级沉积和热处理方法可以一次形成四种元素,并且通过使用对人体有害的离子液体产生由副反应形成的较少有害的副产物。

    고체산을 이용한 합성가스 제조 방법
    28.
    发明公开
    고체산을 이용한 합성가스 제조 방법 有权
    通过使用固体酸生产合成气的方法

    公开(公告)号:KR1020140056526A

    公开(公告)日:2014-05-12

    申请号:KR1020120120235

    申请日:2012-10-29

    CPC classification number: E21B43/295 C01B3/06 E21B43/168 Y02E60/366

    Abstract: The present invention relates to a method of producing a synthetic gas using solid acid, and specifically, to a producing method of a synthetic gas using solid acid wherein a hydrogen is produced by reacting the solid acid and water and a synthetic gas is produced by reacting the produced hydrogen and a carbon compound, thereby dramatically reducing the generation of environmental pollutants such as carbon dioxide.

    Abstract translation: 本发明涉及一种使用固体酸制造合成气的方法,具体地说,涉及一种使用固体酸的合成气的制造方法,其中通过使固体酸与水反应而产生氢气,合成气通过使 产生的氢气和碳化合物,从而显着减少二氧化碳等环境污染物的产生。

    고체산 혼합물을 이용한 수소 제조 방법
    29.
    发明公开
    고체산 혼합물을 이용한 수소 제조 방법 有权
    使用固体混合物制备氢气的方法

    公开(公告)号:KR1020140056512A

    公开(公告)日:2014-05-12

    申请号:KR1020120120114

    申请日:2012-10-29

    Abstract: The present invention relates to a method for preparing hydrogen using solid acid mixture, and more specifically, by providing a hydrogen preparing method comprising: (a) a solid acid mixture insertion step mixing a carbon body with solid acid mixture so as to prepare solid acid mixture and putting the prepared solid acid mixture into a reactor; (b) a raw material mixture insertion step which inserts raw mixture composed of methane/alcohol/water vaporized in the reactor; (c) a hydrogen generation step which the inserted solid acid mixture acts as a catalyst to the raw material mixture so as to break down the raw material mixture and generates hydrogen as a result of the break down reaction; and (d) a hydrogen discharging step which discharges the generated hydrogen to the outside of the reactor, a hydrogen preparing method which significantly improves economic efficiency and operation stability is provided.

    Abstract translation: 本发明涉及使用固体酸混合物制备氢的方法,更具体地说,通过提供一种氢气制备方法,其包括:(a)将碳体与固体酸混合物混合以制备固体酸的固体酸混合物插入步骤 混合并将制备的固体酸混合物放入反应器中; (b)在反应器中插入由甲烷/醇/水蒸发的原料混合物的原料混合物插入步骤; (c)氢化生成步骤,其中插入的固体酸混合物作为原料混合物的催化剂,以便分解原料混合物并由于分解反应而产生氢; 和(d)将产生的氢气排放到反应器外部的氢气排放步骤,提供显着提高经济效率和操作稳定性的氢气制备方法。

    CIS계 박막 코팅 장치
    30.
    发明授权
    CIS계 박막 코팅 장치 有权
    涂布基于电影的设备

    公开(公告)号:KR101370637B1

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:KR1020120116573

    申请日:2012-10-19

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/18 H01L31/042 H01L31/0749

    Abstract: The present invention relates to a device for coating a CIS based film. More particularly, the present invention relates to a device for coating a CIS based film which can be used in fabrication of all semiconductor thin films where light is absorbed and electron-hole pairs can be formed. According to the embodiment of the present invention, the device for coating a CIS based film which can be used in fabrication of all semiconductor thin films where light is absorbed and electron-hole pairs can be formed, uses a self-accelerated photoelectrochemical deposition phenomenon. According to the embodiment of the present invention, the device for coating a CIS based film can fabricate a CIS thin film with a compact microstructure and a flat and uniform surface.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于涂布CIS基膜的装置。 更具体地说,本发明涉及一种用于涂布CIS基膜的装置,其可用于制造所有可以吸收光并且可以形成电子 - 空穴对的半导体薄膜。 根据本发明的实施方式,可以形成可以用于制造吸收光的全部半导体薄膜和电子 - 空穴对的CIS基膜的涂布装置,采用自加速光电化学沉积现象。 根据本发明的实施例,用于涂布CIS基膜的装置可以制造具有紧凑的微结构和平坦且均匀的表面的CIS薄膜。

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