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公开(公告)号：KR101433856B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020100070579
申请日：2010-07-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/125 , G02B2006/12145 , G02F1/0147 , G02F1/3137 , G02F1/315 , G02F2202/022
Abstract: 본 발명은 광 경로의 구조가 간단하고 고속 스위칭이 가능한 광 스위치 소자 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 소자는, 제 1 방향으로 배치된 적어도 하나의 제 1 광 도파로와, 상기 제 1 광 도파로에서 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연결되는 적어도 하나의 제 2 광 도파로와, 상기 제 2 광 도파로가 연결되는 상기 제 1 광 도파로 내에서 상기 제 1 방향으로 투과되는 빛을 단속하여 상기 제 2 방향의 상기 제 2 광 도파로에 선택적으로 반사하는 적어도 하나의 스위칭부를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101199302B1
公开(公告)日：2012-11-09
申请号：KR1020090097184
申请日：2009-10-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: G02B6/136 , G02B6/423 , G02B6/4231 , G02B2006/12176 , H01L24/11 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 광 소자가 제공된다. 이 광 소자는 도파로 영역 및 실장 영역을 갖는 기판, 기판의 도파로 영역 상에 제공된 하부 클래드층 및 상부 클래드층, 및 이들 사이에 개재된 플랫폼 코어로 구성된 광 도파로, 기판의 실장 영역 상에 하부 클래드층이 식각되어 형성되되, 인터로킹부(interlocking part)를 갖는 테라스, 기판의 실장 영역에 실장되되, 내부에 칩 코어를 갖는 광 능동 칩, 및 광 능동 칩의 실장면에 제공된 칩 정렬 마크를 포함한다. 광 능동 칩은 테라스의 인터로킹부와 광 능동 칩의 칩 정렬 마크와의 인터로킹에 의해 정렬되어 실장 영역 상에 실장되는 것을 특징으로 한다.
광, 도파로, 플랫폼, 테라스, 하이브리드-
公开(公告)号：KR101165715B1
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：KR1020080125319
申请日：2008-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/3548 , G02B2006/12069 , G02B2006/12126 , G02B2006/12195 , G02F1/0147 , G02F1/3137
Abstract: 광 스위치를 포함하는 광통신 소자를 제공한다. 이 소자는 광 입력부 및 투과 출력부를 포함하는 주 코어, 및 주 코어 일측에 배치된 반사 출력부를 포함한다. 광신호는 히터의 동작 유무에 따라 반사 출력부 또는 투과 출력부를 통하여 출력될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100960919B1
公开(公告)日：2010-06-04
申请号：KR1020080066470
申请日：2008-07-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/01 , G02B6/12 , H04J14/02 , H04B10/2581
CPC classification number: H04Q11/0005 , H04Q2011/0016 , H04Q2011/0035 , H04Q2011/0052
Abstract: 본 발명에 따른 파장선택 스위치는, M개의 파장 채널의 광신호를 입력받아 각 파장 채널별로 분리하여 광 전송 선로로 출력하는 제 1 파장분할 다중화기, 상기 제 1 파장분할 다중화기로부터 상기 M개의 파장 채널별로 출력된 광신호의 경로를 N개의 출력 포트들 중 어느 하나의 출력 포트로 변경하는 상기 M개의 광 스위치들, 상기 광 스위치의 상기 N개의 출력 포트들 중 하나씩 연결되고, 상기 N개의 입력된 광신호를 결합하여 출력하는 (M+N-1)개의 광 합파기들, 및 상기 (M+N-1)개의 입력 포트들 및 상기 N개의 출력 포트들을 갖고, 상기 (M+N-1)개의 상기 광 합파기들의 출력 신호들이 각각 상기 입력 포트들에 연결되고, 상기 입력된 신호를 다중화시켜 상기 N개의 출력 포트들로 출력하는 제 2 파장 분할 다중화기를 포함한다.
파장선택, 도파로-
公开(公告)号：KR100630804B1
公开(公告)日：2006-10-09
申请号：KR1020040086390
申请日：2004-10-27
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/4246 , G02B6/122 , G02B6/29367 , G02B6/2938 , G02B6/30 , G02B6/42 , G02B6/4214 , G02B2006/12104 , G02B2006/12119
Abstract: 본 발명은 박막필터를 이용한 다파장 광 송수신 모듈, 다중 및 역 다중화기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 소정의 광도파로부가 형성되고, 광 송신부가 실장되는 PLC 플랫폼; 상기 PLC 플랫폼의 일 측면에 결합되어 소정의 광을 전송하기 위한 광섬유; 상기 PLC 플랫폼의 타 측면에 결합되어 입력되는 광 파장을 분리하기 위한 복수개의 박막필터부; 및 상기 박막필터부의 일측에 결합되고, 상기 광섬유로부터 입력되어 상기 박막필터부를 통과한 광을 수신하기 위한 광 수신부를 하이브리드 집적함으로써, 광 송수신 모듈을 저 가격으로 대량 생산할 수 있는 효과가 있다.
다파장 광 송수신 모듈, 다중 및 역 다중화기, PLC 플랫폼, 박막필터부, 광도파로, 광 송신부, 광 수신부, 포토 다이오드-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050120067A
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：KR1020040045259
申请日：2004-06-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/40 , H04B10/2581
CPC classification number: H04J14/023 , H04B10/2581 , H04B10/40 , H04B10/50 , H04B10/60
Abstract: 본 발명은 수동형 광 가입자 망의 기지국측 광 송수신기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 송신용 및 수신용 파장분할 다중화기가 각각 분리되어 실장된 파장분할 다중화기부와 그 양단에 각각 광 송신부 및 광 수신부를 하이브리드 집적방법을 이용하여 동일한 평판 도파도 칩에 집적시켜 구성함으로써, 제작 비용 및 설치공간을 효과적으로 절감할 수 있도록 한 수동형 광 가입자 망의 기지국측 광 송수신기에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR100527107B1
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020030083066
申请日：2003-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 실리카 및 폴리머 재료를 이용한 하이브리드형 광도파로 플랫폼 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 기판 상에 실리카로 하부 클래드층, 중심 코어층, 상부 클래드층을 적층하고 포토리소그라피 및 식각 공정으로 패터닝하여 광도파로를 형성한다. 이 때 실장될 능동 광소자와 광도파로 중심 코어의 수직 정렬에 기여하는 테라스의 위치를 고려하여 식각 깊이를 결정한다. 상기 광도파로 측부의 기판 상에 폴리머로 상부 클래드층을 형성하고 표면을 평탄화한다. 상기 트렌치 영역의 상부 클래드층을 식각하여 하부 클래드층을 노출시키고, 노출된 하부 클래드층를 소정 깊이 식각하여 테라스를 형성한다. 상기 트렌치 영역의 하부 클래드층 상에 솔더 패드 및 금속 배선 형성하고, 광축이 상기 광도파로 코어층의 중심과 정렬되도록 상기 테라스 상에 광소자를 실장하는 동시에 솔더 패드 및 금속 배선과 상기 광소자를 전기적으로 연결한다.
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公开(公告)号：KR100525041B1
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：KR1020030075621
申请日：2003-10-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/293
Abstract: 본 발명은 파장분할 다중화 및 역 다중화 장치를 이용하는 파장분할다중 방식의 수동형 광 가입자 망에 관한 것으로, 가입자측 광 접속기(ONU)가 기지국측 광 단말기(OLT)의 광원으로부터 광을 제공받아 광 신호를 생성한다. 가입자측 광 접속기는 기지국측으로부터 제공된 광을 반도체 광 증폭기의 구동전류를 조정하여 변조시키며 변조된 광 신호를 기지국측 광 단말기로 송신한다. 따라서 가입자측 광 접속기에 광원이 설치되지 않음으로써 파장 안정성 및 광 출력 안정성이 확보되며 저가격으로 구현이 가능해진다.
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公开(公告)号：KR1020030056333A
公开(公告)日：2003-07-04
申请号：KR1020010086534
申请日：2001-12-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/13
Abstract: PURPOSE: A light waveguide platform and a fabrication method are provided, which is fabricated by a simple process without etching or polishing silicon, and enable a high speed operation of a semiconductor chip, and enable hybrid mounting of a light waveguide device and an optical device. CONSTITUTION: The light waveguide platform includes a silicon substrate(100), and a light waveguide device which includes a bottom clad layer(122) and a center core(124) and a top clad layer(126) and is formed on the silicon substrate as having a trench restricting an optical device mounting position. A terrace(132) is formed with a metallic film and is formed on the silicon substrate at the optical device mounting position. An insulator film(134) is formed on the terrace. And an UBM(Under Bump Metallurgy) pad is formed on the insulator film.
Abstract translation: 目的：提供一种光波导平台和制造方法，其通过简单的工艺制造而无需蚀刻或抛光硅，并且能够实现半导体芯片的高速操作，并且能够实现光波导器件和光学器件的混合安装 。 构成：光波导平台包括硅衬底（100）和包括底部覆盖层（122）和中心芯（124）和顶部覆盖层（126）并形成在硅衬底上的光波导器件 具有限制光学装置安装位置的沟槽。 露台（132）形成有金属膜，并且在光学装置安装位置处形成在硅衬底上。 绝缘膜（134）形成在露台上。 并且在绝缘膜上形成UBM（在Bump冶金下）焊盘。
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公开(公告)号：KR1020030033143A
公开(公告)日：2003-05-01
申请号：KR1020010063931
申请日：2001-10-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/136
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a planar lightwave circuit type optical amplifier using glass sputtering is provided to obtain low waveguiding loss and good gain characteristics by depositing a glass containing a high density rare-earth element. CONSTITUTION: According to the method for fabricating a planar lightwave circuit type optical amplifier, a silica clad layer(401) is formed on a silicon substrate. The silica clad layer is etched in intaglio. A glass film(404) containing a rare-earth element is deposited on the intaglio-etched silica clad layer. And a top clad layer(405) is formed on the glass film containing a rare-earth element. The above silica clad layer is formed as thick as 15-20 micro meter using FHD(Flame Hydrolysis Deposition), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or HIPOX. And the etching of the silica clad layer is performed using an ICP(Inductively Coupling Plasma) etching method with a metal mask.
Abstract translation: 目的：提供一种使用玻璃溅射制造平面光波导型光放大器的方法，通过沉积含有高密度稀土元素的玻璃来获得低波导损耗和良好的增益特性。 构成：根据制造平面光波电路型光放大器的方法，在硅衬底上形成二氧化硅包覆层（401）。 二氧化硅包覆层以凹版蚀刻。 含有稀土元素的玻璃膜（404）沉积在凹版蚀刻二氧化硅包层上。 并且在包含稀土元素的玻璃膜上形成顶部覆层（405）。 使用FHD（火焰水解沉积），PECVD（等离子体增强化学气相沉积）或HIPOX，将上述二氧化硅包层形成为15-20微米厚。 并且使用具有金属掩模的ICP（电感耦合等离子体）蚀刻方法进行二氧化硅包覆层的蚀刻。
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