公开(公告)号：KR1020120023265A

公开(公告)日：2012-03-13

申请号：KR1020100085529

申请日：2010-09-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤성현 ,  윤호선 ,  문성 ,  박종대 ,  김영부 ,  이순석

IPC: G06Q20/40 ,  H04L9/32 ,  H04L12/24

CPC classification number: G06Q20/027

Abstract: PURPOSE: A network management method capable of controlling a high-reliability session based on a client and a server is provided to offer an electronic signature and to assure integrity by encoding transmission and reception information in wire and wireless internet environment. CONSTITUTION: Terminal state information is transmitted to a network management system(100) through the terminal agent of a user terminal(110). The network management system identifies a security channel and other access network which contacts to the user terminal based on transmission and reception information. The user terminal requests payment to a payment agency system(120).

Abstract translation: 目的：提供一种能够基于客户机和服务器来控制高可靠性会话的网络管理方法，以提供电子签名并通过在有线和无线互联网环境中对发送和接收信息进行编码来确保完整性。 构成：通过用户终端（110）的终端代理将终端状态信息发送到网络管理系统（100）。 网络管理系统基于发送和接收信息来识别与用户终端接触的安全信道和其他接入网络。 用户终端请求支付给支付代理系统（120）。

公开(公告)号：KR100916669B1

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：KR1020070128502

申请日：2007-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍승우 ,  박종대 ,  홍성백

IPC: H04L12/28

Abstract: 본 발명은 저전력 센서 네트워크 시스템에서의 라우팅 방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 이웃노드에 대한 위치정보를 감지하여, 적어도 하나의 이웃노드와 목적지노드 간 사이각을 각각 산출하는 단계, 적어도 하나의 이웃노드에 대해 각각 산출된 사이각으로부터 양각 이웃노드를 검출하고, 검출된 양각 이웃노드 중 최소각 이웃노드를 다음 홉으로 선정하는 단계 및 다음 홉으로 선정된 이웃노드로 패킷을 전달하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 저전력 센서 네트워크에서 패킷의 전달 경로의 거리는 기존의 위치 기반 라우팅 방식과 거의 비슷하도록 하게 하면서도, 에너지 손실 부담을 여러 노드가 같이 공유하게 함으로써 전체 네트워크의 에너지 효율을 높이는 효과가 있다.
센서노드, 이웃노드, 목적지노드, 양각 이웃노드, 적응적 홀 회피

公开(公告)号：KR100228395B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960069761

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  김홍만 ,  박종대

IPC: H01S5/12

Abstract: 본 발명은 초고속 장거리 광통신의 광원으로서 기존의 굴절률 결합형에 이득 결합을 추가한 복소 결합형 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 이득 결합의 분율을 증가시키기 위하여 광 흡수와 전류 차단의 이중효과가 있는 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하므로써 레이저의 광 특성을 증대시키는 것이다. 발명의 구성은 단일 모드 광원용 분포 궤환형 반도체 레이저에 있어서 반절연 인듐갈륨비소를 회절격자로 사용하는 것과 이 회절격자를 n형 인듐인 기판 사용시 n형 인듐인 버퍼층에 삽입시키므로써 본 회절격자가 p형 반도체와 접합시 야기될 수 있는 정공 주입효과를 배제 시키는 방법, 그리고 회절격자 두께의 자유로운 조절을 위하여, p형 인듐인 기판 사용시 공정상의 제한을 가지지 않도록 활성층 윗쪽에 본 회절격자를 위치시키는 소자 설계 등을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970054558A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950053687

申请日：1995-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이승원 ,  김정수 ,  남은수 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 선택적 유기금속성장을 이용하여 테이퍼(taper) 구조의 출력단을 갖는 광결합효율이 향상된 광변조기 집적소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 광변조기 집적소자에 있어서, 선택적 MOVPE 결정성장과 조절식각을 이요하여 수직형 테이퍼 광 모드 변환기가 접적화된 InGaAsP MQW 흡수층의 단위 광 변조 소자로된 데에 있고, 그 다른 특징은 광변조기 집적소자에 있어서, 선택적 MOVPE 결정성장과 조절식각을 이용하여 수직형 테이퍼 광 모드 변환기를, 광변조기가 집적된 DFB 레이져에 추가로 집적화한 데에 있으므로, 본 발명은 광모드 변환기가 없는 경우에 비하여 무반사 박막 제작 조건을 상당히 완화시켜 무반사 박막 공정의 신뢰성과 재현성을 높일 뿐만 아니라 결국 광변조기 집적 DFB 레이져 소자자체의 성능을 향상시킨다는 효과가 있 다.

公开(公告)号：KR100116437B1

公开(公告)日：1997-06-16

申请号：KR1019930018146

申请日：1993-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박기성 ,  오광룡 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

公开(公告)号：KR1019970006608B1

公开(公告)日：1997-04-29

申请号：KR1019930027342

申请日：1993-12-11

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: H01L31/10 ,  H01L33/00

Abstract: A method for fabricating an optical switch is described that performs an etching process using a self-aligned mask prior to a selective re-growing process. The method includes the steps of forming an n+-InP buffer region 3, n-InGaAsP light pass path layer 4, undoped InP layer 10 and a semi-insulated InP layer 11, depositing SiNx layer 12, forming a pattern for the part where current is applied, performing an etching until the boundary between the undoped InP layer 10 and light pass path layer 4 is exposed, forming a p+-InP layer 13 and p+-InGaAs ohmic contact layer 14 and thus forming n-ohmic layer 1, etching the SiNx layer 12 and then performing a selective etching until the boundary between the light pass path layer 4 and semi-insulated InP layer 11 is exposed, and forming an n-ohmic metal layer 1. Thereby, it is possible to make a total reflection surface, and improve a switching efficiency and ohmic characteristic.

Abstract translation: 描述了一种用于制造光开关的方法，其在选择性再生长处理之前使用自对准掩模进行蚀刻处理。 该方法包括以下步骤：形成n + -InP缓冲区3，n-InGaAsP光通路层4，未掺杂InP层10和半绝缘InP层11，沉积SiNx层12，形成电流 进行蚀刻，直到未掺杂的InP层10和光通过层4之间的边界露出，形成p + -InP层13和p + -InGaAs欧姆接触层14，从而形成n欧姆层1，蚀刻 然后进行选择性蚀刻，直到曝光光通路层4和半绝缘InP层11之间的边界，并形成n欧姆金属层1.由此，可以形成全反射面 ，提高开关效率和欧姆特性。

公开(公告)号：KR1019970004488B1

公开(公告)日：1997-03-28

申请号：KR1019930018145

申请日：1993-09-09

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박기성 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: The present invention provides a method of making a self-aligned semiconductor optical switch using variation of refractivity of optical waveguide by current application. This method includes the steps of: forming on a substrate (1) a light waveguide layer (2), an n-type InP clad layer (3), a p-type InP blocking layer (4) for blocking current, and an n-type InGaAs cap layer (5); selectively etching the cap layer (5) forming a reflecting surface to be in a groove shape and diffusing Zn all over the surface; depositing a p-type electrode (6) on the cap layer (5); and etching the cap layer (5), the p-type InP blocking layer (4), the clad layer (3), and depositing an n-type electrode (7) under the substrate (1).

Abstract translation: 本发明提供一种使用当前应用的光波导的折射率变化来制作自对准半导体光开关的方法。 该方法包括以下步骤：在基板（1）上形成光波导层（2），n型InP包覆层（3），用于阻断电流的p型InP阻挡层（4），以及n 型InGaAs覆盖层（5）; 选择性地将形成反射面的盖层（5）蚀刻成沟槽形状并使Zn全部在表面上扩散; 在所述盖层（5）上沉积p型电极（6）; 蚀刻所述盖层（5），所述p型InP阻挡层（4），所述覆盖层（3），以及在所述基板（1）的下方沉积n型电极（7）。

公开(公告)号：KR1019960027101A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940035489

申请日：1994-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  박종대 ,  김형문 ,  주흥로 ,  박형무

IPC: H01S5/227

Abstract: 누설전류 및 고속변조 특성이 개선된 반도체 레이저의 제조방법을 개시한다.
비평면 수직메사 구조위에 저압유기금속 화학증착을 이용해 밴드갭이 큰 In
1-x Ga
x P(0≤x≤0.84)/AlSb 초격자 구조의 디지탈 알로이(7)를 100㎚ 정도의 두께로 성장시키고, 전류차단층(8)을 상기 SiN
x 마스크(6) 위치까지 성장시키고, 계속해서 p형 클래드층(5)으로부터의 정공주입을 막기위해 n-InP층으로 이루어지는 정공주입방지층(9)을 약 0.5㎛ 정도의 두께로 성장시킨 후, SiN
x 마스크(6)를 식각해내고, p-InP클래드층(11)과 p
+ -InGaAs 저항성 접촉층(11)을 재성장시킨다.
이로써, p형 광도파층 바로위의 p-InP클래드층의 도판트인 Zn과 반절연 InP의 도판트인 Fe과의 상호 확산도 효과적으로 방지하게 되므로 광출력 특성 또한 선형적으로 증가하게 되어 고출력 특성을 가지게 된다.

公开(公告)号：KR1019950019795A

公开(公告)日：1995-07-24

申请号：KR1019930027625

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박종대 ,  박기성 ,  오광룡 ,  오대곤 ,  김홍만

IPC: G02B6/26

Abstract: 본 발명은 트랜치를 이용한 내부 전반사형 광스위치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 광스위치는 에피의 성장, 식각을 통한 트랜치의 형성, 재성장을 통한 오믹충의 형성, 전극증착등에 의해 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분을 식각한 후 재성장법을 사용하여 종래의 Zn확산법에 의해 형성되는 전반사 영역보다 도핑분포를 조절함이 용이하여 전류주입층과 도파로층간이 도핑이 계단형 분포를 이룸으로 전류주입에 의한 스위칭 효율을 증가시킬 수 있다. 또한 상승 플래딩에 반절연 InP를 삽입하여 광도파로의 전파손실을 주지 않으면서 전류주입시 전류의 확산을 막는 구조이다.

公开(公告)号：KR1019950010147A

公开(公告)日：1995-04-26

申请号：KR1019930018267

申请日：1993-09-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오광룡 ,  박기성 ,  박종대 ,  김홍만

IPC: H01L29/86 ,  H01L29/8605

Abstract: 본 발명은 광스위치의 집적도증가 및 도파로 폭설계등의 조건을 완화시켜 우수한 성능의 광스위치를 제작하는 데 목적이 있는 것으로, 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피성장, 홈(groove)식각, Zn확산, 전극증착등에 의하여 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어 Zn 확산이 깊숙이 이루어져 전류주입이 집중되어 지고 홈의 양옆으로는 p/n/p/n 접합이 형성되어 전류주입이 차단되어 진다.
즉, p형 접촉면적은 도파로 폭전체에 형성되어지고 전류 주입은 홈식각된 반사면을 이루고자하는 부분에서만 이루어진다.
그결과 p옴 저항접촉면적을 극대화시켜 접촉저항이 최소화하고, p형 전극증착시에 1㎛정도의 리쏘그라피 정렬조건이 제거되어 제작공정이 수월해진다.
도파로폭이 설계요건을 완화시켜 3~4㎛폭까지 가능해지고, 동작전력의 감소로 집적도 및 교환용량 향상에 기여할 수 있다.