公开(公告)号：WO2008117693A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/JP2008/054881

申请日：2008-03-17

Applicant: JSR株式会社 ,  西村 幸生 ,  酒井 香織 ,  松村 信司 ,  杉浦 誠 ,  中村 敦 ,  若松 剛史 ,  庵野 祐亮

Inventor： 西村 幸生 ,  酒井 香織 ,  松村 信司 ,  杉浦 誠 ,  中村 敦 ,  若松 剛史 ,  庵野 祐亮

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0035 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2024 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/40

Abstract: 　液浸露光プロセスを用いた二重露光によるパターンニングにおいて、第一層目に形成されるパターンを不活性化させ、第二層目のパターン形成時における露光の際に、第一層目のパターンが感光してアルカリ可溶性とならず、第一層目のパターンを保持したまま第二層目のパターンを形成可能なパターン形成方法等を提供する。 　本パターン形成方法は、第一レジスト層形成用組成物を用い、基板上に第一パターンを形成する工程と、第一パターンを不活性化させる工程と、第二レジスト層形成用組成物を用い、パターンが形成された基板上に第二レジスト層を形成し、露光する工程と、現像し、第一パターンのスペース部分に第二パターンを形成する工程とを含み、第一レジスト層形成用組成物はネガ化を促進する架橋剤を含有することを特徴とする。

Abstract translation: 本发明提供了一种图案形成方法，其优点在于，在通过使用液浸曝光的双曝光进行图案化时，当第一层图案在形成第二层图案时被钝化，随后曝光时，第一层图案 通过第一层图案的曝光不会碱溶，因此可以在保持第一层图案的同时形成第二层图案。 图案形成方法的特征在于包括以下步骤：使用第一抗蚀剂层形成用组合物在基板上形成第一图案，使第一图案失效，使用在基板上形成第二抗蚀剂层的组合物形成第二抗蚀剂层 其上形成有图案并将组件暴露于光，并且显影组件以在第一图案的空间区域中形成第二图案，所述第一抗蚀剂层形成用组合物含有用于加速转化为负作用类型的交联剂。

公开(公告)号：WO2008087840A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：PCT/JP2007/075016

申请日：2007-12-26

Applicant: JSR株式会社 ,  西村 幸生 ,  原田 健太郎 ,  若松 剛史 ,  中島 浩光 ,  中川 大樹 ,  松村 信司

Inventor： 西村 幸生 ,  原田 健太郎 ,  若松 剛史 ,  中島 浩光 ,  中川 大樹 ,  松村 信司

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041

Abstract: 　本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ、液浸露光時に接触した水等の液浸媒体への溶出物の量が少なく、且つバブル欠陥の発生を抑制することができる液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたフォトレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、フッ素化アルキル基を含有し、フッ素含量が３ａｔｏｍ％以上であり、且つ酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体（Ａ）と、酸の作用によりアルカリ可溶性となり、且つフッ素含量が３ａｔｏｍ％未満である樹脂（Ｂ）と、感放射線性酸発生剤（Ｃ）と、を含有する樹脂組成物であって、この樹脂組成物を基板上に塗布して形成されるフォトレジスト膜の水に対する前進接触角が９５度以下である。

Abstract translation: 用于浸渍曝光的辐射敏感树脂组合物，其能够产生令人满意的图案形状，具有优异的焦深，并且降低溶解在浸渍介质（例如水）中的组分的含量，浸渍介质中的组合物在浸渍期间与其接触 曝光。 减少气泡缺陷是有效的。 还提供了从组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。 用于浸渍曝光的辐射敏感性树脂组合物包括：含有氟烷基的聚合物（A），氟含量为3原子％以上，并且通过酸的作用变得碱溶性; 通过酸作为碱溶性且氟含量低于3原子％的树脂（B）; 和辐射敏感性酸产生剂（C）。 通过将该树脂组合物涂布在基板上而形成的光致抗蚀剂膜与水的前进接触角为95°以下。

公开(公告)号：WO2008066011A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：PCT/JP2007/072794

申请日：2007-11-27

Applicant: JSR株式会社 ,  清水 大輔 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之

Inventor： 清水 大輔 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0392

Abstract: 　ナノエッジラフネス、エッチング耐性、感度、および解像度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。感放射線性酸発生剤（Ａ）と、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）とを含み、感放射線性酸発生剤（Ａ）は、酸発生剤（Ａ１）と酸発生剤（Ａ２）とを含む混合酸発生剤であり、酸発生剤（Ａ１）と酸発生剤（Ａ２）とは同一のカチオンを有し、上記酸発生剤（Ａ１）は、常圧における沸点が１５０°C以上のカルボン酸を放射線照射により発生し、かつ下記式（１）で表され、上記酸発生剤（Ａ２）は、カルボン酸以外の酸を放射線照射により発生し、かつ下記式（２）で表され、上記樹脂（Ｂ）は、下記繰り返し単位（ｉ）、下記繰り返し単位（ｉｉ）および下記繰り返し単位（ｉｉｉ）を含む。 M + RCOO - (1) M + X - (2) Ｍ ＋ は１価のオニウムカチオンであり、Ｒは１価の有機基であり、Ｘ － は１価のアニオンである。

Abstract translation: 公开了纳米边缘粗糙度，耐蚀刻性，灵敏度和分辨率优异的正型辐射敏感性树脂组合物，能够稳定地形成高精度的精细图案。 具体公开了含有辐射敏感性酸产生剂（A）和含有酸分解性基团的树脂（B）的正性辐射敏感性树脂组合物。 辐射敏感性酸产生剂（A）是含酸产生剂（A1）和酸产生剂（A2）的混合酸发生剂，酸产生剂（A1）和酸产生剂（A2）具有相同的阳离子。 酸产生剂（A1）由下式（1）表示，并且当辐射照射时产生沸点在常压下不低于150℃的羧酸。 酸产生剂（A2）由下述式（2）表示，当用辐射照射时，产生除羧酸以外的酸。 树脂（B）含有下面的重复单元（i），下面的重复单元（ii）和下面的重复单元（iii）。 （2）在上述式中，M + 表示单价鎓阳离子; R表示一价有机基团; 而X - 表示一价阴离子。

公开(公告)号：WO2008015969A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/JP2007/064756

申请日：2007-07-27

Applicant: JSR株式会社 ,  杉田 光 ,  松村 信司 ,  清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

Inventor： 杉田 光 ,  松村 信司 ,  清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/265

Abstract: 　電子線（以下、ＥＢと略称する）、Ｘ線、極紫外線（以下、ＥＵＶと略称する）による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、（１）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、（２）マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、（３）前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、（４）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、（５）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。

Abstract translation: 适合于用电子束（以下简写为EB），X射线或极紫外（以下简称为EUV）形成精细图案的图案形成方法。 该方法按以下顺序包括以下步骤：（1）在基材上形成含有辐射敏感酸产生剂的下层膜，该下层膜产生酸，并固化; （2）通过掩模对下层膜照射辐射的步骤，以选择性地在被辐射的下层膜的那些区域中产生酸; （3）在下层膜上形成不含有辐射敏感性酸发生剂的上层膜，其中含有通过酸作用聚合或交联的组合物的上层膜; （4）在与产生酸的下层膜的那些区域相对应的上层膜的那些区域中选择性地形成聚合或交联/固化膜的步骤; 和（5）除去上层膜的与没有产生酸的下层膜的那些区域对应的那些区域的步骤。