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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107634119A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710560491.9
申请日：2017-07-11
Applicant: LG电子株式会社
Inventor： 安世源
IPC: H01L31/05 , H01L31/078 , H01L31/0475
Abstract: 本公开涉及串联太阳能电池及包括其的串联太阳能电池模块。更具体地，本公开涉及包括层叠在结晶硅太阳能电池的前表面上的钙钛矿太阳能电池的单片式串联太阳能电池及其制造方法。根据本公开，纳米结构可以被构图在结晶硅太阳能电池和钙钛矿太阳能电池经由结层键合的太阳能电池的前透明电极的前表面上，使得可以通过纳米结构增加入射到太阳能电池上的太阳光的光路，以提高光的利用率。
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公开(公告)号：CN104810414A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510023406.6
申请日：2015-01-16
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 讨论了太阳能电池及其制造方法。该制造太阳能电池的方法包括：在包含第一导电类型的杂质的晶体半导体基板的背表面上，形成非晶硅层；执行将与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质扩散到所述非晶硅层的一部分中的第一扩散过程，以形成发射极区；执行将所述第一导电类型的杂质扩散到除了具有所述第二导电类型的杂质的所述非晶硅层的所述一部分外的剩余部分中，以形成背表面场区。当执行所述第一扩散过程和所述第二扩散过程中的至少一个时，所述非晶硅层结晶，以形成硅层。
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公开(公告)号：CN102037568B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980118599.6
申请日：2009-10-01
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022466
Abstract: 公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括n型或者p型非晶硅层、透明电极以及位于该透明电极和该非晶硅层之间的金属缓冲层。所述金属缓冲层包含铟、锡、硼、铝、镓以及锌中的至少一种。当所述透明电极包含铟锡氧化物ITO时，所述金属缓冲层包含铟和锡中的至少一种。当所述透明电极包含锌氧化物时，所述金属缓冲层包含硼、铝、镓以及锌中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102473776A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080034233.3
申请日：2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/03762 , H01L31/076 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池。该太阳能电池包括基板、在所述基板上的第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转化单元。所述光电转化单元包括由掺杂有作为杂质的碳(C)和氧(O)中的至少一种的非晶硅形成的第一本征(称为i型)半导体层和由掺杂有锗(Ge)的微晶硅形成的第二i型半导体层。
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公开(公告)号：CN102138224A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201080002434.5
申请日：2010-01-11
Applicant: LG电子株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明讨论了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括非晶硅层，并且非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。所述方法包括以下步骤：在基板上形成电极，并且在氢(H2)气量与硅烷(SiH4)气体量的比例为15∶1至30∶1的氛围中在所述基板上淀积非晶硅，以在所述基板上形成非晶硅层。
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