公开(公告)号：CN1637531A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410011527.0

申请日：2004-12-28

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 林柄昊 ,  李仙花

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/133504 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

Abstract: 透射反射型液晶显示器件及其制造方法。一种透射反射型液晶显示器件的基板包括：基板上的多条选通线；至少一条数据线，所述数据线与所述多条选通线交叉而限定了像素区域，所述像素区域包括透射部分和反射部分；与所述多条选通线中的一条和所述至少一条数据线相连的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；覆盖所述薄膜晶体管的一部分的第一绝缘层，所述第一绝缘层不覆盖所述像素区域和所述漏极的一部分；所述像素区域中的透明电极，所述透明电极直接接触所述漏极和所述半导体层；以及所述反射部分中的反射电极，所述反射电极具有第一不平坦表面。

公开(公告)号：CN101097925A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610170514.7

申请日：2006-12-21

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 林柄昊 ,  金宝岚 ,  金珍浩

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134309 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/134318 ,  G02F2001/136218 ,  G02F2201/50 ,  G02F2203/64

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管基板，包括设置在基板上的栅线、与栅线交叉以限定像素区域并且在二者之间具有栅绝缘膜的数据线、和与栅线和数据线连接的薄膜晶体管。水平电场施加型薄膜晶体管基板进一步包括与薄膜晶体管连接的像素电极板、设置用来覆盖栅绝缘膜上的数据线、薄膜晶体管和像素电极板的保护膜、和设置在设置有薄膜晶体管阵列的阵列区域处并以网格形状设置在保护膜上的公共电极。

公开(公告)号：CN1797151A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510081473.X

申请日：2005-06-29

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 安炳喆 ,  林柄昊 ,  安宰俊

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231

Abstract: 一种液晶显示装置，其包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的选通线；与选通线相交以限定像素区的数据线，在该选通线与数据线之间具有栅绝缘膜；薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及半导体层，在该源极与漏极之间存在沟道；在第一基板上与选通线平行的公共线；从公共线延伸到像素区中的公共电极；以及在像素区中位于栅绝缘膜上的像素电极。其中，漏极与像素电极相交叠以连接到像素电极；并且，其中，从半导体层交叠透明导电膜的区域去除半导体层。

公开(公告)号：CN1605918A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410083491.7

申请日：2004-10-10

Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社

Inventor： 林柄昊 ,  徐铉植 ,  金泓植 ,  赵兴烈

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136236 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66742

Abstract: 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管阵列基板器件包括：形成在基板上的选通线；与选通线交叉的数据线，在两者之间具有栅绝缘图案；位于选通线和数据线交叉处的薄膜晶体管；在由选通线和数据线的交叉所限定的像素区形成的并且连接到薄膜晶体管的像素电极；具有连接到选通线的下选通焊盘电极和连接到下选通焊盘电极的上选通焊盘电极的选通焊盘部；具有连接到数据线的下数据焊盘电极和连接到下数据焊盘电极的上数据焊盘电极的数据焊盘部；以及在除了包括像素电极、上数据焊盘电极和上选通焊盘电极的区域以外的区域上形成的钝化膜图案，其中，像素电极形成于由钝化膜图案暴露的像素区域的栅绝缘图案上。